CMO5V0LC SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
发布时间：
2019-04-10
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CMO5V0LC; 2N2222A
本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMO5V0LC单向瞬态电压抑制器（TVS）。该器件专为保护敏感设备免受静电放电（ESD）损坏而设计，具备超低电容、低漏电流及快速响应特性。其采用节省空间的SOD-523表面贴装封装，最大峰值功率耗散达12W，能够提供强大的电气快瞬变及静电防护能力，符合IEC 61000-4-2标准（接触放电10kV、空气放电15kV）。在电气性能方面，该TVS的最大钳位电压为5.0V，最大结电容仅为0.9pF，工作结温范围覆盖-55°C至+125°C，适用于高速数据线、用户界面及充电/电源端口的保护，确保在严苛环境下维持系统稳定性。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | CPZ40R-CMO5V0LC-CT |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CPZ40R-CMO5V0LC |
| 品类 | Low Capacitance Uni-Directional TVS |
| 描述/说明 | Low Capacitance Uni-Directional TVS Die,5.0 Volt, Singulated die in tray (waffle) pack |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 400 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CMHZ4690 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMHZ4690 |
| 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Surface mount Diode-Zener Single: Low Level |
| 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Pd-功率耗散 | 275 mW |
| 电压容差 | 1.05 |
| Ir - 最大反向漏电流 | 10 uA |
| Zz - 齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2009
库存：
16,500
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| 订货型号 | CMR1-10M TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMR1-10M |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-General Purpose Single |
| 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 1.1 V @ 1 A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3305
库存：
11,375
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| 订货型号 | CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CBRHDSH1-40L |
| 品类 | 桥式整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 - 峰值反向（最大值） | 40 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1.2 A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 440 mV @ 1 A |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 40 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.7332
库存：
8,810
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| 订货型号 | CTLSH01-30L TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CTLSH01-30L |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Diode-Schottky (<1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | TLM2D3D6 |
| 最小包装量 | 8,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 30 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 100mA |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 370 mV @ 10 mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 7 µA @ 10 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 7pF @ 0V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0170
库存：
8,200
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| 订货型号 | CMNT3904E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMNT3904E |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0679
库存：
8,200
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| 订货型号 | CET3904E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CET3904E |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0424
库存：
8,200
世强硬创平台提供CET3904E TR PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货8,200，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
SOD-523 CASE CMO5V0LC SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R4
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CPZ40X瞬态电压抑制器5伏TVS芯片
R0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品寿命终止通知PDN01013
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMO5V0LC SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
20-October 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CMO5V0LC SURFACE MOUNT SILICONUNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
20-October 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CMO5V0LC SURFACE MOUNT SILICONUNI-DIRECTIONALTRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
20-October 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CMO5V0LC SURFACE MOUNT SILICONUNI-DIRECTIONALTRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
20-October 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CMO5V0LC SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
20-October 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CMO5V0LC SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
20-October 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CMO5V0LC SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R4
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| 测试报告 - 英文 |
J-Lite和JX-Lite认证
2022/5/17
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| 数据手册 - 英文 |
CMO5V0LC表面贴装硅单向瞬态电压抑制器
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CMO5V0LC表面贴装硅单向瞬态电压抑制器
R4
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| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CMO5V0LC数据手册
2016年06月29日
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| 数据手册 - 英文 |
表面贴装硅单向瞬态电压抑制器CMO5V0LC
REV:R3
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CPZ40X Transient Voltage Suppressor5 Volt TVS Chip
9-January 2013
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CPZ40X Transient Voltage Suppressor 5 Volt TVS Chip
9-January 2013
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CPZ40X Transient Voltage Suppressor 5 Volt TVS Chip
9-January 2013
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CPZ40X Transient Voltage Suppressor 5 Volt TVS Chip
R0
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CPZ40X Transient Voltage Suppressor 5 Volt TVS Chip
R0
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| 数据手册 - 英文 |
CMNTVS5V0 SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL 5.0 VOLT, 4-LINE TVS ARRAY
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CMRDM7590表面贴装双P沟道增强型硅MOSFET
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMXTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMKTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CMKSH-3T SURFACE MOUNT SILICON TRIPLE ISOLATED SCHOTTKY DIODE
R5
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| 数据手册 - 英文 |
BAS28表面贴装硅双隔离高速开关二极管
19-September 2018
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| 数据手册 - 英文 |
CMOTVS5V7 SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CMRDM3590 SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
R5
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| 数据手册 - 英文 |
CXDM4060N SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CXT491E SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CMASH-4 SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODE
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS5V0B SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CMOD2005 SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMLT491E表面贴装硅NPN晶体管
R5
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| 数据手册 - 英文 |
CMXD2004 SURFACE MOUNT TRIPLE ISOLATED HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODES
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CDM4-650 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL MEDIUM POWER MOSFET 4.0 AMP, 650 VOLT
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMLDM7585 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY MOSFET
R6
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技术论坛
CPZ40R-CMO5V0LC-CT 有尾缀CT 的是不是裸片？还是Low Capacitance Uni-Directional TVS？
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原来设计用了2N2222 NPN三极管，现在想替换为世强代理的三极管 ,要求封装为SOT23 给推荐一下 谢谢
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
蓝牙耳机应用简介
本文介绍了适用于蓝牙耳机设计的半导体解决方案，包括低功耗、小尺寸、ESD保护等关键特性。文中详细列出了多种半导体产品，如ESD瞬态电压抑制器、二极管、TVS、MOSFET等，适用于耳机中的射频收发器、用户界面、音频处理、电源管理等不同模块。此外，还提供了样品订购和文献资料获取的途径。
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【产品】两款TO-18 封装的硅NPN晶体管，专为小信号，通用开关应用设计
Central公司推出的硅NPN晶体管2N2221A和2N2222A，采用TO-18 封装，其集电极连续电流为800mA， 最大功耗为800mW，结壳热阻ΘJC为97°C/W，工作和存储结温的范围均为-65 °C~+200°C，具有耐高/低温的能力，适应性能强。专为小信号，通用开关应用而设计。
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【产品】专为小信号通用放大器和开关应用而设的硅互补晶体管CMLT2207G
Central公司推出的硅晶体管CMLT2207G，由一个隔离的2N2222A NPN晶体管和一个互补的隔离式2N2907A PNP晶体管组成，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，采用SOT-563表面贴装封装，集电极连续电流为600mA。主要应用于小信号通用放大器和开关等领域。
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【产品】硅制低电容单向瞬态电压抑制器，15kV高ESD保护能力
CENTRAL公司推出的CPZ40X-CMO5V0LC是一种硅制低电容单向瞬态电压抑制器，可以对电路中的核心芯片进行保护，使敏感设备免受ESD伤害。适用于高可靠性系统的设计。
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