CXDM1002N SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
发布时间：
2019-04-10
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CXDM1002N; 2N2222A
Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | CXDM1002N TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CXDM1002N | 品类 | 晶体管 |
| 描述/说明 | Surface mount N-Channel Enhancement Mode High Current MOSFETs | 封装/外壳/尺寸 | SOT-89 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V | 25°C 时电流 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 300 毫欧 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | 20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 550 pF @ 25 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CMHZ4690 TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMHZ4690 | 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Surface mount Diode-Zener Single: Low Level | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Pd-功率耗散 | 275 mW | 电压容差 | 1.05 |
| Ir - 最大反向漏电流 | 10 uA | Zz - 齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ | 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥0.2009
库存：
16,500
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| 订货型号 | CMR1-10M TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMR1-10M | 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-General Purpose Single | 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000 V | 电流 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 1.1 V @ 1 A | 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V | 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V，1MHz |
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价格：
￥0.3305
库存：
11,375
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| 订货型号 | CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CBRHDSH1-40L | 品类 | 桥式整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 - 峰值反向（最大值） | 40 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1.2 A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 440 mV @ 1 A | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 40 V |
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价格：
￥2.7332
库存：
8,810
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| 订货型号 | CTLSH01-30L TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CTLSH01-30L | 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Diode-Schottky (<1A) | 封装/外壳/尺寸 | TLM2D3D6 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 30 V | 电流 平均整流 (Io) | 100mA |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 370 mV @ 10 mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 7 µA @ 10 V | 不同 Vr、F 时电容 | 7pF @ 0V，1MHz |
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价格：
￥1.0170
库存：
8,200
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| 订货型号 | CMNT3904E TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMNT3904E | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA | 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW | 频率 跃迁 | 300MHz |
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价格：
￥1.0679
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8,200
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| 订货型号 | CET3904E TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CET3904E | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA | 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW | 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥1.0424
库存：
8,200
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合Central Semiconductor原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供Central Semiconductor快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
龙鳞专业提供PCBA/整机纳米防护镀膜定制服务！可根据客户实际应用需求定制不同膜厚、亲水疏水特性等参数。
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豪帮高科拥有25年经验，具备36000平智能工厂与16条SMT/DIP产线。掌握高精度贴装（±30μm）、“三阶缓冲焊接”等核心技术，通过IATF16949认证，为汽车电子等领域提供高可靠PCBA解决方案，出厂合格率100%。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
CMNTVS5V0 SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL 5.0 VOLT, 4-LINE TVS ARRAY
R4
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| 测试报告 - 英文 |
J-Lite和JX-Lite认证
2022/5/17
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品寿命终止通知PDN01013
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMXTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMRDM7590表面贴装双P沟道增强型硅MOSFET
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMKTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CMOTVS5V7 SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R4
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| 数据手册 - 英文 |
BAS28表面贴装硅双隔离高速开关二极管
19-September 2018
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| 数据手册 - 英文 |
CMKSH-3T SURFACE MOUNT SILICON TRIPLE ISOLATED SCHOTTKY DIODE
R5
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| 数据手册 - 英文 |
CMO5V0LC SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS5V0B SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CMRDM3590 SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
R5
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| 数据手册 - 英文 |
CXDM4060N SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CXT491E SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CMASH-4 SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODE
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CMAD4448 SURFACE MOUNT ULTRA HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE
R1
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| 数据手册 - 英文 |
CMLDM7585 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY MOSFET
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CMLDM5757 SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CDM4-650 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL MEDIUM POWER MOSFET 4.0 AMP, 650 VOLT
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMLT491E表面贴装硅NPN晶体管
R5
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| 数据手册 - 英文 |
CMOD2005 SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMXD2004 SURFACE MOUNT TRIPLE ISOLATED HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODES
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CMKD4448 SURFACE MOUNT TRIPLE ISOLATED HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODES
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CMUDM7001 SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CXDM4060P SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R1
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS12 SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMOSH-4E ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODE
R5
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| 数据手册 - 英文 |
CXDM3069N SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
R1
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| 数据手册 - 英文 |
CMUDM8005 SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CEDM8004 SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET 450mA, 30V
R8
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| 数据手册 - 英文 |
CMNDM7001 SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CZT2222A SURFACE MOUNT SILICON NPN TRANSISTOR
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CMRDM3575 SURFACE MOUNT N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMLM0575 Multi Discrete Module SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL MOSFET AND LOW VF SCHOTTKY DIODE
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CMUDM8004 SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
R3
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技术论坛
原来设计用了2N2222 NPN三极管，现在想替换为世强代理的三极管 ,要求封装为SOT23 给推荐一下 谢谢
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
CXDM1002N表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
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【产品】两款TO-18 封装的硅NPN晶体管，专为小信号，通用开关应用设计
Central公司推出的硅NPN晶体管2N2221A和2N2222A，采用TO-18 封装，其集电极连续电流为800mA， 最大功耗为800mW，结壳热阻ΘJC为97°C/W，工作和存储结温的范围均为-65 °C~+200°C，具有耐高/低温的能力，适应性能强。专为小信号，通用开关应用而设计。
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【产品】专为小信号通用放大器和开关应用而设的硅互补晶体管CMLT2207G
Central公司推出的硅晶体管CMLT2207G，由一个隔离的2N2222A NPN晶体管和一个互补的隔离式2N2907A PNP晶体管组成，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，采用SOT-563表面贴装封装，集电极连续电流为600mA。主要应用于小信号通用放大器和开关等领域。
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专业音频产品简介
Central Semiconductor自1974年起专注于生产高品质的离散半导体器件，广泛应用于全球专业音频设计。产品包括多种型号的晶体管、二极管等，如2N3055、2N2222A、1N4007等，并提供TO-3、TO-18、TO-39等多种封装选项。如需更多信息或特定产品，可联系Central Sales。
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【产品】2A/100V N沟道增强型MOSFET CXDM1002N，采用符合行业标准SOT-89封装
Central的CXDM1002N是一款由SOT-89封装的N沟道增强型MOSFET，专为电机控制，DC-DC转换和继电器驱动应用而设计。
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Central Semiconductor（中央半导体） CXDM1002N的产品介绍
CXDM1002N是一款由Central Semiconductor公司生产的2.0A、100V N-Channel MOSFET，采用SOT-89封装。该器件适用于电机控制、DC-DC转换和继电器驱动等应用，具有低rDS(ON)、高电流能力、低栅极电荷和2kV ESD保护等特点。其主要优点包括能源效率高、电气性能卓越，并采用行业标准封装。
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