BCM857QAS 45 V, 100 mA PNP/PNP matched double transistors
发布时间：
2019-04-10
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BCM857QAS; BCM847QAS
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BCM847QAS 45 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BCM857QAS
2019/01/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BCM857QAS
2018/10/26
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| 技术文档 - 英文 |
BCM857QAS材料清单
2025/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
BCM856BS；BCM856BS/DGBCM856DS；BCM856DS/DG PNP/PNP匹配双晶体管产品数据表
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
PNP/PNP匹配双晶体管
Rev. 06
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| 数据手册 - 英文 |
PNP/PNP匹配双晶体管
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
BCM847QAS材料清单
2025/06/30
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| 技术文档 - 英文 |
BCM856BS材料清单
2025/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
BCM857BV；BCM857BS；BCM857DS PNP/PNP匹配双晶体管
Rev. 06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BCM847QAS
2019/01/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BCM847QAS
2018/10/26
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明，适用于BCM846BS
2025/06/30
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| 技术文档 - 英文 |
BCM856BS-Q材料清单
2025/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
BCM847BV；BCM847BS；BCM847DS NPN/NPN匹配双晶体管产品数据表
Rev. 06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM847QAS
2018/10/26
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明，型号BCM846BS-Q
2025/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
NPN/NPN匹配双晶体管
Rev. 06
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| 测试报告 - 英文 |
BCM847QAS产品质量信息
2019/07/11
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| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明，型号BCM857BS-Q
2025/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
BCM846BSH 65 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管产品数据表
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM857QAS
2018/10/26
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| 数据手册 - 英文 |
BCM847BSH 45 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管产品数据表
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
BCM857QAS产品质量信息
2019/07/11
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| 数据手册 - 英文 |
BCM856BSH-Q 65 V、100 mA PNP/PNP匹配双晶体管
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM856BS\U ZL
2018/04/23
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM856BS\U ZL
2018/03/04
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| 数据手册 - 英文 |
BCM846BSH-Q 65 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
BCM857BSH-Q 45 V、100 mA PNP/PNP匹配双晶体管
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM857BS\U ZL
2018/04/23
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM857BS\U ZL
2018/03/04
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| 数据手册 - 英文 |
BCM847BSH-Q 45 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
BCM856DS材料清单声明
2025/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
BCM856BS 65V，100mA PNP/PNP匹配双晶体管2024年10月18日产品数据手册
v.2
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM857DS
Version 15
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM857DS
2018/04/23
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM857DS
2018/03/04
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| 数据手册 - 英文 |
NPN/NPN匹配双管
26 June 2015
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BCM856BS
2019/01/05
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS BCM856BS
2018/04/23
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS BCM856BS
2018/03/04
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| 数据手册 - 英文 |
BCM856DS
v.2
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM856DS
Version 5
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM856DS
2018/04/23
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM856DS
2018/03/04
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| 数据手册 - 英文 |
BCM856BSH 65 V、100 mA PNP/PNP匹配双晶体管
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
BCM856BS型产品的可靠性结果
2017/12/20
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| 数据手册 - 英文 |
BCM856DS-Q 65V，100mA PNP/PNP匹配双晶体管2024年8月14日产品数据手册
v.1
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应用/方案
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GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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