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BCM56DS 80 V, 1 A NPN/NPN matched double transistors
发布时间: 2019-04-10
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
BCM56DS; BCM53DS
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数据手册 - 英文
BCM53DS 80 V、1 A PNP/PNP匹配双晶体管
v.1
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测试报告 - 英文
化学成分BCM53DS
Version 4
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测试报告 - 英文
化学成分BCM53DS
2018/04/29
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数据手册 - 英文
BCM56DS-Q 80V,1A NPN/NPN匹配双晶体管 2024年12月6日 产品数据手册
v.1
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测试报告 - 英文
化学成分BCM56DS
Version 4
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测试报告 - 英文
化学成分BCM56DS
2018/04/29
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测试报告 - 英文
中国RoHS BCM56DS
2019/01/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS BCM56DS
2018/04/29
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测试报告 - 英文
完整材料声明,适用于BCM56DS
2025/06/30
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测试报告 - 英文
中国RoHS BCM53DS
2019/01/05
下载
测试报告 - 英文
中国RoHS BCM53DS
2018/04/29
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测试报告 - 英文
完整材料声明,适用于BCM53DS
Not specified
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测试报告 - 英文
BCM53DS产品质量信息
2019/07/11
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测试报告 - 英文
BCM56DS产品质量信息
2019/07/11
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测试报告 - 英文
完整材料声明,型号BCM56DS-Q
2025/06/30
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数据手册 - 英文
NPN/NPN匹配双晶体管
Rev. 04
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数据手册 - 英文
NPN/NPN匹配双晶体管
Rev. 04
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数据手册 - 英文
NPN/NPN匹配双晶体管
Rev. 06
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技术文档 - 英文
完整材料声明,适用于BCM846BS
2025/06/30
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数据手册 - 英文
BCM847QAS 45 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管
v.1
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数据手册 - 英文
PMP4501QAS 45V,100mA NPN/NPN匹配双晶体管
v.1
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数据手册 - 英文
BCM847BV;BCM847BS;BCM847DS NPN/NPN匹配双晶体管产品数据表
Rev. 06
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数据手册 - 英文
BCM61B NPN/NPN匹配双晶体管
Rev. 02
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数据手册 - 英文
NPN/NPN匹配双管
26 June 2015
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数据手册 - 英文
NPN/NPN匹配双管
Rev. 02
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数据手册 - 英文
BCM846BSH-Q 65 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管
v.1
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数据手册 - 英文
BCM847BSH-Q 45 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管
v.1
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数据手册 - 英文
BCM846BSH 65 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管产品数据表
v.1
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数据手册 - 英文
BCM847BSH 45 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管产品数据表
v.1
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BCM846BS-Q NPN/NPN配对双晶体管 2024年10月9日 产品数据手册
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BCM847BS-Q NPN/NPN配对双晶体管 2024年9月26日 产品数据手册
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74AVC2T45-Q100 双位、双电源电压电平转换器 产品数据表
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数据手册 - 英文
NBM5100A-Q100 NBM5100B-Q100 纽扣电池寿命增强器 产品数据表
Rev. 1
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封装信息/封装结构图 - 英文
WLCSP6_SOT8090;适用于SMD的7英寸卷装干包装;Q2/T3产品方向修订版1 — 2024年1月22日包装信息
Rev. 1
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数据手册 - 英文
74AVCH2T45 双比特,双电源电压电平转换器/收发器;3态 Rev. 9.1 — 2024年8月12日 产品数据手册
Rev. 9.1 — 12 August 2024
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74HC4851-Q100;74HCT4851-Q100 8通道模拟多路选择器/解复用器,具有注入电流效应控制 Rev. 4 — 2023年5月15日 产品数据手册
Rev. 4
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数据手册 - 英文
HEF4521B 24级分频器和振荡器 修订版9 — 2024年8月19日 产品数据手册
Rev. 9
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数据手册 - 英文
NXB0106
Rev. 2.1
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封装信息/封装结构图 - 英文
SOD110陶瓷,非常小的陶瓷矩形表面贴装封装;2个引脚;2毫米x1.25毫米x1.6毫米的封装体 2025年1月29日 封装信息
29 January 2025
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数据手册 - 英文
20V PNP BISS负载开关
PBLS2003D_2
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数据手册 - 英文
74AHC1G125/74AHCT1G125 单缓冲/线驱动器;3态
SOT353-1
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数据手册 - 英文
肖特基势垒二极管 BAT17
2003 Mar 25
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数据手册 - 英文
74LVCU04A-Q100 六路非缓冲反相器 修订版 5 — 2025年1月20日 产品数据手册
Rev. 5
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数据手册 - 英文
Nexperia PTVS48VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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数据手册 - 英文
Nexperia PTVS6V3Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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数据手册 - 英文
Nexperia PTVS6V3D1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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世强AI
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表面贴装回流焊接
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功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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