BCM56DS 80 V, 1 A NPN/NPN matched double transistors
发布时间:
2019-04-10
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
BCM56DS; BCM53DS
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BCM53DS 80 V、1 A PNP/PNP匹配双晶体管
v.1
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM53DS
Version 4
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM53DS
2018/04/29
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BCM56DS-Q 80V,1A NPN/NPN匹配双晶体管 2024年12月6日 产品数据手册
v.1
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM56DS
Version 4
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
化学成分BCM56DS
2018/04/29
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BCM56DS
2019/01/05
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BCM56DS
2018/04/29
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
完整材料声明,适用于BCM56DS
2025/06/30
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BCM53DS
2019/01/05
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BCM53DS
2018/04/29
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
完整材料声明,适用于BCM53DS
Not specified
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
BCM53DS产品质量信息
2019/07/11
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
BCM56DS产品质量信息
2019/07/11
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
完整材料声明,型号BCM56DS-Q
2025/06/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NPN/NPN匹配双晶体管
Rev. 04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NPN/NPN匹配双晶体管
Rev. 04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NPN/NPN匹配双晶体管
Rev. 06
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
完整材料声明,适用于BCM846BS
2025/06/30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BCM847QAS 45 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管
v.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PMP4501QAS 45V,100mA NPN/NPN匹配双晶体管
v.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BCM847BV;BCM847BS;BCM847DS NPN/NPN匹配双晶体管产品数据表
Rev. 06
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BCM61B NPN/NPN匹配双晶体管
Rev. 02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NPN/NPN匹配双管
26 June 2015
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NPN/NPN匹配双管
Rev. 02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BCM846BSH-Q 65 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管
v.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BCM847BSH-Q 45 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管
v.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BCM846BSH 65 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管产品数据表
v.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BCM847BSH 45 V、100 mA NPN/NPN匹配双晶体管产品数据表
v.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BCM846BS-Q NPN/NPN配对双晶体管 2024年10月9日 产品数据手册
v.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BCM847BS-Q NPN/NPN配对双晶体管 2024年9月26日 产品数据手册
v.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G74-Q100 单路D型触发器 产品数据表
Rev. 6.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
74AVC2T45-Q100 双位、双电源电压电平转换器 产品数据表
Rev. 7.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NBM5100A-Q100 NBM5100B-Q100 纽扣电池寿命增强器 产品数据表
Rev. 1
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
WLCSP6_SOT8090;适用于SMD的7英寸卷装干包装;Q2/T3产品方向修订版1 — 2024年1月22日包装信息
Rev. 1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
74AVCH2T45 双比特,双电源电压电平转换器/收发器;3态 Rev. 9.1 — 2024年8月12日 产品数据手册
Rev. 9.1 — 12 August 2024
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
74HC4851-Q100;74HCT4851-Q100 8通道模拟多路选择器/解复用器,具有注入电流效应控制 Rev. 4 — 2023年5月15日 产品数据手册
Rev. 4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HEF4521B 24级分频器和振荡器 修订版9 — 2024年8月19日 产品数据手册
Rev. 9
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NXB0106
Rev. 2.1
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOD110陶瓷,非常小的陶瓷矩形表面贴装封装;2个引脚;2毫米x1.25毫米x1.6毫米的封装体 2025年1月29日 封装信息
29 January 2025
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
20V PNP BISS负载开关
PBLS2003D_2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G125/74AHCT1G125 单缓冲/线驱动器;3态
SOT353-1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
肖特基势垒二极管 BAT17
2003 Mar 25
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
74LVCU04A-Q100 六路非缓冲反相器 修订版 5 — 2025年1月20日 产品数据手册
Rev. 5
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS48VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS6V3Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS6V3D1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
RC缓冲器的设计
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**## **(1](#全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**## **全文概述
**Designing## **全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**## **RC snubber circuit 2 | | | | 2 | 2 | 2, buck converter topology topology topology, | 2 |全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**Designing the same issueAN11160**
**全文概述
**全文概述**
**## **(1](#page- - AN11160
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**]
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**## **全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**设计RC snubber circuit**全文概述
**设计RC snubber**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**.
**全文概述**
**设计RC snubber circuit |全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**]
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述**
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**RC snubber circuit, | 1.##
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**Designing## **RC snubber circuit. The document**全文概述
**全文概述
**
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**_The document**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**设计RC snubber circuit## **(全文概述
**设计RC snubber circuit analysis of the
**全文概述
**设计RC snubber circuit##
**设计RC snubber circuit## 全文
**.
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**。
**全文概述
**_The document describes the content and **(全文概述
**全文概述
**_The document describes the document describes the document describes the document describes the document describes the design of the document describes the application notes## **(全文概述
**_The document describes the document describes the document**全文概述
**_**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**##
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**全文概述
**设计RC snubber circuit##
**全文概述
### **Nexplanation##
### **(全文概述
### **(全文概述
### **(1.##
### **(全文概述
### **(全文概述**
### 全文
### **(全文概述:
**全文概述:
**全文概述:
**全文概述**
### 全文
### **(文档内容概述:
**全文概述:
**全文概述:
**全文概述:
**全文概述:
**全文概述:
**全文概述
### **(全文概述:
**全文概述**
### **(全文概述**
### 全文
### 全文
### 全文
**全文概述
### 全文
### **(全文概述
### **(全文概述**
### 全文
### 全文
### 全文
**全文概述
### 全文摘录
### **(全文概述
### 全文
### **(
**全文概述
### **(1.
阅读原文 >>
表面贴装回流焊接
阅读原文 >>
功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
阅读原文 >>