CBT3384DB Chemical content
发布时间:
2019-04-10
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
CBT3384DB; 9352 689 89118; 9352 689 89112
本数据手册详细介绍了元器件CBT3384DB的化学成分及物理特性。资料内容涵盖了该器件的封装类型、重量、加工工艺以及详细的材料组成百分比,并罗列了多种化学物质及其对应的CAS编号。此外,手册中还提供了制造地点和日期信息,同时包含免责声明,指出相关数据仅供参考,可能因制造地点不同而存在轻微偏差。针对文中所述器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3384带5位输出的10位总线开关启用产品数据表
v.7
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3384DB
2018/03/09
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| 数据手册 - 英文 |
带5位输出的10位总线开关启用
Rev. 06
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| 测试报告 - 英文 |
CBT3384DB中国RoHS
2018/04/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3384DB
2018/03/09
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3384D
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3384D
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3384D
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3384D
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3384D
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3384D
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
CBT3384D化学成分
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3384PW
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3384PW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3384PW
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3384PW
2019/05/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3384PW
2019/02/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3384PW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3384PW
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3384PW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
NXT4558-Q100 SIM卡接口电平转换器带使能引脚 版本2 — 2024年10月23日 产品数据手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS1503Y; PBLS1503V 15V PNP BISS负载开关 版本03 — 2009年8月24日 产品数据手册
Rev. 03
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002BKV 60V,340mA双N沟道沟槽型MOSFET
v.4
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74LVC1G125 - 总线缓冲器/线驱动器;3态
v.17.1
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| 数据手册 - 英文 |
肖特基势垒(双)二极管 1PS70SB82;1PS70SB84;1PS70SB85;1PS70SB86
2001年1月18日
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| 数据手册 - 英文 |
HEF40175B-Q100 四D型触发器 Rev. 2 — 2024年8月8日 产品数据手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G125-Q100 总线缓冲器/线驱动器;3态
v.7.1
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| 数据手册 - 英文 |
NCR405U 50 mA LED驱动器在SOT457 Rev. 1 — 2013年12月10日产品数据手册
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NCR401U 10 mA LED驱动器在SOT457 Rev. 1 — 2014年2月20日产品数据手册
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS4V8Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS5V0Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
修订版10 — 2024年9月5日 产品数据表
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74LVC1G32 单元 2 输入 OR 门
v.16.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74AUP1G08 低功耗2输入与门
v.12.1
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| 数据手册 - 英文 |
BAS21AVD-Q 高压开关二极管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
74HC245;74HCT245 八路总线收发器;3态 修订版 8 — 2024年11月29日 产品数据手册
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
74VHC245; 74VHCT245 - 八通道总线收发器;3态 - 2024年11月29日 产品数据表
3
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS5V0Z1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS36VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS20VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
BC848W-Q 30V,100mA NPN通用晶体管
v.1
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30V,100mA NPN通用晶体管
v.1
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600W瞬态电压抑制器
SMBJ_SER v.1
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BFS20
2004 Feb 05
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BF570
2004年3月15日
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| 数据手册 - 英文 |
NXB0106-Q100
Rev. 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
BC850C NPN通用晶体管 2024年10月8日 产品数据手册
BC850C v.4
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PBLS6022D 60V,1.5A PNP BISS负载开关
Rev. 01
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PBLS6021D 60V,1.5A PNP BISS负载开关
Rev. 01 — 12 August 2009
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT883塑料,无引脚超小型封装;3个终端;0.35毫米齿距;1毫米x 0.6毫米x 0.48毫米机身
27 February 2020
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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