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IP4340CX15_P China RoHS
发布时间: 2019-04-10
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
IP4340CX15_P
本合规声明详细阐述了恩智浦关于元器件RoHS合规性的具体要求与标准。该资料明确指出相关元器件在有害物质含量方面严格符合SJ/T11363-2006标准,并强调所有产品均具备50年的环保使用期限,以满足市场对绿色电子产品的需求。此外,声明中还包含了相关的免责条款,提示所提供信息仅供参考,恩智浦保留对信息进行修改的权利,并不对信息的准确性或完整性承担最终责任。针对文中所述的恩智浦产品,Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规方案,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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资料平台
数据手册 - 英文
用于microSD存储卡接口ESD保护的6通道滤波器
Rev. 2
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测试报告 - 英文
化学成分IP4340CX15
2018/03/09
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数据手册 - 英文
IP4085CX4;IP4385CX4;IP4386CX4;IP4387CX4集成高性能ESD保护二极管
Rev. 2
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测试报告 - 英文
IP4340CX15化学成分
2018/04/28
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数据手册 - 英文
IP4064CX8;IP4364CX8;IP4366CX8集成SIM卡无源滤波器阵列,带ESD保护,符合IEC 61000-4-2第4级
Rev. 02
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测试报告 - 中文
中国RoHS IP4340CX15\P
2018/03/09
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数据手册 - 英文
IP4359CX4双通道低电容高性能ESD保护
Rev. 1 — 6 August 2010
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数据手册 - 英文
IP4359CX4双通道低电容高性能ESD保护
Rev. 1
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测试报告 - 英文
化学成分IP4386CX4\P
2017/12/30
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数据手册 - 英文
IP4352CX24 9通道SD存储卡接口滤波器,具有符合IEC 61000-4-2 4级的ESD保护
Rev. 02
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测试报告 - 英文
中国RoHS IP4369CX4
2018/04/24
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测试报告 - 中文
中国RoHS IP4369CX4
2018/03/06
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数据手册 - 英文
IP4365CX11集成(U)SIM卡无源滤波器阵列和USB全速ESD保护符合IEC 61000-4-2 4级
Rev. 01
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测试报告 - 中文
中国RoHS IP4386CX4\P
2017/12/30
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数据手册 - 英文
用于高速接口的IP4369CX4 ESD保护产品数据表
Rev. 1
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测试报告 - 英文
IP4369CX4化学成分
2019/11/24
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数据手册 - 英文
高速接口的ESD保护
Rev. 1
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测试报告 - 英文
化学成分IP4369CX4
2018/04/24
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数据手册 - 英文
IP4350CX24 9通道SD存储卡接口ESD保护滤波器toIEC 61000-4-2 4级
Rev. 01
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测试报告 - 英文
化学成分IP4369CX
2018/03/06
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数据手册 - 英文
IP4338CX24/LF 10通道集成滤波网络,带ESD输入保护,符合IEC 61000-4-2 4级
Rev. 02
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测试报告 - 英文
USB 2.0接口的ESD保护
Rev. 3
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数据手册 - 英文
IP4358CX6 四通道低电容高性能ESD保护
Rev. 1
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数据手册 - 英文
IP4337CX18/LF 7通道集成滤波网络,带ESD输入保护,符合IEC 61000-4-2 4级
Rev. 02
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数据手册 - 英文
74LVC1G74-Q100 单路D型触发器 产品数据表
Rev. 6.1
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数据手册 - 英文
74AVC2T45-Q100 双位、双电源电压电平转换器 产品数据表
Rev. 7.1
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数据手册 - 英文
NBM5100A-Q100 NBM5100B-Q100 纽扣电池寿命增强器 产品数据表
Rev. 1
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封装信息/封装结构图 - 英文
WLCSP6_SOT8090;适用于SMD的7英寸卷装干包装;Q2/T3产品方向修订版1 — 2024年1月22日包装信息
Rev. 1
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数据手册 - 英文
74AVCH2T45 双比特,双电源电压电平转换器/收发器;3态 Rev. 9.1 — 2024年8月12日 产品数据手册
Rev. 9.1 — 12 August 2024
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数据手册 - 英文
74HC4851-Q100;74HCT4851-Q100 8通道模拟多路选择器/解复用器,具有注入电流效应控制 Rev. 4 — 2023年5月15日 产品数据手册
Rev. 4
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数据手册 - 英文
HEF4521B 24级分频器和振荡器 修订版9 — 2024年8月19日 产品数据手册
Rev. 9
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数据手册 - 英文
NXB0106
Rev. 2.1
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封装信息/封装结构图 - 英文
SOD110陶瓷,非常小的陶瓷矩形表面贴装封装;2个引脚;2毫米x1.25毫米x1.6毫米的封装体 2025年1月29日 封装信息
29 January 2025
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数据手册 - 英文
20V PNP BISS负载开关
PBLS2003D_2
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数据手册 - 英文
74AHC1G125/74AHCT1G125 单缓冲/线驱动器;3态
SOT353-1
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数据手册 - 英文
肖特基势垒二极管 BAT17
2003 Mar 25
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数据手册 - 英文
74LVCU04A-Q100 六路非缓冲反相器 修订版 5 — 2025年1月20日 产品数据手册
Rev. 5
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数据手册 - 英文
Nexperia PTVS48VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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数据手册 - 英文
Nexperia PTVS6V3Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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数据手册 - 英文
Nexperia PTVS6V3D1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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数据手册 - 英文
SMAJ系列 - 400W瞬态电压抑制器
v.1
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数据手册 - 英文
版本 1.1 — 2024年7月31日 产品数据表
Rev. 1.1
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
SD(HC)-存储卡和MMC接口调节
本文档概述了SD存储卡和MMC接口的ESD保护和EMI滤波器设备。内容涵盖ESD保护和EMI滤波器在SD存储卡和MMC接口中的应用,包括不同类型的保护滤波器、接口电气特性、时序要求以及NXP半导体提供的相应产品。
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AN10910通过外部旁路晶体管保护充电器接口和典型电池充电拓扑结构
本文档为Nexperia的应用笔记,主要介绍了如何保护移动设备充电接口免受过压和反极性损害,并概述了典型电池充电拓扑结构以及如何使用Nexperia的保护器件、双极型和MOS晶体管。内容涵盖了电池充电标准、USB接口充电、充电接口和USB保护、Li-Ion电池充电拓扑、保护器件等。
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AN10753 USB 2.0接口的ESD保护应用笔记
本应用笔记介绍了如何使用Nexperia通用离散元件保护USB 2.0接口免受静电放电(ESD)损害,包括低电容ESD保护二极管PESD5V0X1BL、PRTR5V0U2F和PRTR5V0U2K。内容涵盖了ESD基础知识、USB接口保护、测量方法和Nexperia ESD保护器件的介绍。
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NPIC6C4894-Q100应用指南
本指南为Nexperia公司提供,旨在帮助设计师识别特定设计问题及所需的标准产品,包括二极管、双极型晶体管、汽车MOSFET、ESD保护和逻辑器件等。指南涵盖了汽车、计算、通信、消费、工业(包括照明和医疗)以及便携式设备等领域的50种常见应用,并提供设计考虑因素、产品/价值表和典型应用图,以帮助设计师选择合适的产品。
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USB 3.1应用指南
本资料为USB 3.1应用指南,涵盖USB 3.1、USB 3.0和USB 2.0的ESD保护解决方案。内容包括不同版本USB的数据速率、ESD保护器件的选择、Type-C连接器的ESD保护、信号完整性优化、系统级ESD保护和共模滤波器等。资料提供了详细的器件规格、应用实例和性能参数。
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功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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RC缓冲器的设计
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表面贴装回流焊接
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