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PH4840S Chemical content
发布时间: 2019-04-10
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
PH4840S; 9340 578 23115
本数据手册详细介绍了PH4840S型元器件的化学成分与物理特性。资料内容涵盖了该器件的封装类型、重量规格、焊接处理工艺、MPPT版本、MSL等级及处理周期等关键参数。在材料组成方面,手册深入剖析了引线框架、硅片、模具化合物、填充剂、颜料、聚合物及纯金属等不同部分的具体构成,并提供了详细的质量百分比数据,旨在为用户在材料合规性评估及制造工艺设计上提供精准参考。基于该方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。针对文中所述器件,平台提供FAE团队支持选型、设计验证及调试,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
PH4840S N沟道沟槽型MOS场效应晶体管中级FET 修订版02 — 2006年11月6日 产品数据手册
Rev. 02
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测试报告 - 英文
化学成分PH4840S
2018/03/09
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数据手册 - 英文
N沟道TrenchMOS中级场效应晶体管
Rev. 02
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测试报告 - 中文
中国RoHS PH4840S
2018/03/09
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测试报告 - 英文
PH4840S中国RoHS
2018/04/28
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数据手册 - 英文
74HC241;74HCT241八通道缓冲器/线路驱动器;3态产品数据表
Rev. 4
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数据手册 - 英文
74LVC2T45-Q100;74LVCH2T45-Q100双电源转换收发器;三态产品数据表
Rev. 4
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包装规格/规范 - 英文
DSN0603-2;SMD卷筒包装,7“;Q1/T1-Q2/T3产品定位包装信息
Rev. 1
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测试报告 - 英文
74LVC240ABQ化学成分
2019/09/02
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测试报告 - 英文
74HC238BQ化学含量
2019/09/02
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测试报告 - 英文
74LV1T125GV化学成分
2019/09/04
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测试报告 - 英文
74AHC123ABQ化学成分
2019/09/02
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测试报告 - 英文
74LVT244ABQ-Q100化学成分
2019/08/17
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测试报告 - 英文
74HCT4060DB-Q100中国RoHS
2019/08/16
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测试报告 - 英文
74LVCH244ADB-Q100中国RoHS
2019/08/16
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测试报告 - 英文
74AHCT125BQ化学成分
2019/08/16
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测试报告 - 英文
74VHC32BQ-Q100化学成分
2019/08/15
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测试报告 - 英文
74HCT04DB-Q100化学成分
2019/08/15
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测试报告 - 英文
74LVCH244ABQ-Q100化学成分
2019/08/16
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测试报告 - 英文
74AHC04BQ化学成分
2019/08/15
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测试报告 - 英文
74HCT04DB-Q100中国RoHS
2019/08/15
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测试报告 - 英文
74VHC32BQ-Q100中国RoHS
2019/08/15
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测试报告 - 英文
74LVTH244ABQ-Q100化学成分
2019/08/13
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测试报告 - 英文
74HCT4060DB-Q100化学成分
2019/08/13
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数据手册 - 英文
74LVC2G53产品数据表
Rev. 13
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测试报告 - 英文
74AHC157BQ化学成分
2019/08/13
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测试报告 - 英文
74VHCT125BQ化学成分
2019/08/12
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测试报告 - 英文
74HCT4066BQ化学成分
2019/08/11
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数据手册 - 英文
74AUP2G97产品数据表
Rev. 3
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测试报告 - 英文
74HCT74BQ化学成分
2019/08/11
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测试报告 - 英文
74HC02BQ-Q100中国RoHS
2019/08/10
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数据手册 - 英文
74AUP3G34产品数据表
25 July 2019
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测试报告 - 英文
74AHCT04BQ化学成分
2019/08/09
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测试报告 - 英文
74AUP1G07GX中国RoHS
2018/04/25
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测试报告 - 英文
74AUP2G132DC中国RoHS
2018/04/25
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测试报告 - 英文
74HCT02BQ化学成分
2018/04/26
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测试报告 - 英文
化学成分PDTA114EU\U SN
Version 3
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测试报告 - 英文
化学成分74HC05D-Q100
2018/04/25
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测试报告 - 中文
中国RoHS BUK7620-55A
2018/03/06
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测试报告 - 英文
化学成分PMN16XNE
2018/03/06
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数据手册 - 英文
单3输入与非门
Rev. 5
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数据手册 - 英文
三输入与非门
Rev. 5
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数据手册 - 英文
四2输入与门
Rev. 7
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数据手册 - 英文
四2输入与门
Rev. 4
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数据手册 - 英文
四2输入与门
Rev. 1
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数据手册 - 英文
三输入或门
Rev. 3
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数据手册 - 英文
双4输入或非门
Rev. 5
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数据手册 - 英文
四2输入或门
Rev. 6
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数据手册 - 英文
三输入非门
Rev. 5.1
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应用/方案
AN11076多层PCB上小信号分立器件的热行为应用笔记
本文档探讨了多层PCB上小信号元器件的热行为,重点介绍了如何通过使用多层PCB和更大的铜面积来提高元器件的散热性能。文章详细分析了热阻、热阻抗和总功耗等关键参数,并提供了不同封装类型(如SOT457、SOT89、SOT1061和SOT1118)的热测量结果。此外,文章还讨论了热传导、对流和辐射等热传递机制,以及如何通过PCB设计来优化热管理。
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