A3I35D025WNR1A3I35D025WGNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
发布时间：
2019-04-11
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
NXP（恩智浦）
型号：
A3I35D025WNR1; A3I35D025WGNR1; C3225X7S1H106M250AB; C0805C103K5RAC; ATC600S3R3BT250XT; ATC600S0R2BT250XT; CRCW08052K20JNEA; C8A50Z4B; X3C35F1-03S; D97408; A3I35D025WN; A3I35D025WGN
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
A3I35D012WNR1射频LDMOS宽带集成功率放大器技术数据
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
制造商BOM报告
2019/02/21
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| 商品功能框图 - 英文 |
LFDBGK75KV1A BGA Aurora接口适配器MPC5775K 356针0.8mm间距
03/12/2015
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
MRF24G300HS MRF24G300H射频功率氮化镓晶体管技术数据
Rev. 0
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| 技术文档 - 英文 |
A3I35D025WNR1至-270 WB-17
2018-06-09
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| 数据手册 - 英文 |
A2I09VD050NR1，A2I09VD050GNR1射频LDMOS宽带集成功率放大器技术数据
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| 商品功能框图 - 英文 |
LFDBGK77MZ3A Aurora接口适配器MPC5777M 512针0.8 mm间距BGA
rev B
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
A2V09H400—04S射频功率LDMOS晶体管N—沟道增强—模式横向MOSFET技术数据
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
A2I09VD015NR1，A2I09VD015GNR1射频LDMOS宽带集成功率放大器技术数据
Rev. 0
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| 商品功能框图 - 英文 |
LFDBGK77MWA BGA Aurora接口适配器MPC5777M 416针1.0 mm间距
01/26/2015
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| 数据手册 - 英文 |
射频LDMOS宽带集成功率放大器
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
射频LDMOS宽带集成功率放大器
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
射频LDMOS宽带集成功率放大器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
射频LDMOS宽带集成功率放大器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
射频LDMOS宽带集成功率放大器
Rev. 0,
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| 商品功能框图 - 英文 |
LFDBGK46MT4A BGA Aurora接口适配器MPC5746M 292针0.8mm
01/23/2015
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| 数据手册 - 英文 |
MW5IC970NBR1 MW5IC970GNBR1射频LDMOS宽带2级功率放大器技术数据
Rev. 3
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| 商品功能框图 - 英文 |
LFDBGK746MT4QA MPC5746M Aurora接口适配器292针0.8 mm间距BGA至208 PGA
01/23/2015
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| 数据手册 - 英文 |
AFM907N射频功率LDMOS晶体管
Rev. 1
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| 商品功能框图 - 英文 |
LFLAIBK46MT4A BGA逻辑分析仪接口适配器MPC5746M 292针0.8 mm间距
01/29/2015
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| 技术文档 - 英文 |
MPC5510DEMO版本。A部件清单5/21/2008
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| 数据手册 - 英文 |
A3G22H400--04SR3射频功率氮化镓晶体管技术数据
Rev. 0
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| 技术文档 - 英文 |
带JTAG/MICTOR接口的垂直调试板。柔性PCB LFVDBJF
02/27/2013
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| 数据手册 - 英文 |
射频功率LDMOS晶体管：N沟道增强型横向MOSFET
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
射频功率LDMOS晶体管：N沟道增强型横向MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
射频功率LDMOS晶体管：N沟道增强型横向MOSFET
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
A3G35H100--04SR3射频功率氮化镓晶体管技术数据
Rev. 0
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| 技术文档 - 英文 |
S12ZVH系列设备LCD接口汽车暖通空调控制系统
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| 数据手册 - 英文 |
MRF13750H MRF13750HS射频功率LDMOS晶体管技术数据
Rev. 1
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| 技术文档 - 中文 |
TRK-MPC5604P版本。B部件清单
Rev. B
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| 数据手册 - 英文 |
射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
Rev. 0
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| 数据手册 - 英文 |
射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
射频功率LDMOS晶体管：高强度N沟道增强型横向MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强型横向MOSFET
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MMRF1021NT1射频功率LDMOS晶体管N沟道增强型横向MOSFET技术数据
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世强AI
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应用/方案
设计用于蜂窝的宽瞬时带宽Doherty PA应用笔记
本文探讨了为CBRS频段设计对称宽带Doherty功率放大器（PA）的设计方法，回顾了Doherty PA的基本理论，并涵盖了优化载波和峰值放大器性能以及整体Doherty PA设计的方法。讨论了ISBW对于使用DPD的宽带操作的重要性，包括最大化ISBW的设计方法以及设备技术与DPD的兼容性。使用NXP的商业两阶LDMOS MMIC，该Doherty PA实现了6.61W的平均输出功率，37%的效率，24.5dB的增益，在±20MHz偏移处的相邻信道泄漏为-56.8dBc，以及超过300MHz的瞬时信号带宽，适用于覆盖整个3550至3700MHz的CBRS频段。
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M68ICS08KX In-circuit Simulator Board用户手册
本资料为Freescale Semiconductor, Inc.生产的M68ICS08KX In-circuit Simulator Board的用户手册。手册详细介绍了KXICS开发板的功能、硬件和软件配置、安装步骤以及使用方法。KXICS是一款用于开发和调试MC68HC908KX8微控制器的独立工具，支持代码编辑、汇编、编程、仿真和在线调试等功能。手册涵盖了硬件准备、软件安装、连接目标系统、使用MON08接口等操作细节。
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移动机器人生态系统
Hovergames无人机系统是一款模块化飞行机器人开发系统，支持用户开发自己的无人机。该系统基于PX4开源飞行栈，具有开放和可扩展的平台，可轻松添加传感器和处理器等新组件。系统适用于学习和发展新型工业移动性，包括空中飞行、地面移动和水下滑行。资料中详细介绍了系统的架构、组件和推荐产品，包括射频功率放大器、LED驱动器、UWB IC、微控制器、电池管理系统等。
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用于5G基础设施的RapidRF智能LDMOS前端设计
NXP的RapidRF SMART LDMOS前端设计为5G基础设施提供高度集成的射频解决方案，包括高效射频功率放大器、线性预驱动、接收LNA带T/R开关和环行器，以及偏置控制器和温度传感器。这些设计适用于2.5至8瓦的平均发射功率，支持多频段，简化了设计和制造过程。主要特点包括高度集成、宽带宽、自动偏置和温度补偿，适用于5G大规模MIMO主动天线系统、室外小基站和Open RAN专用无线接入网络。
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移动机器人生态合作体系
Hovergames无人机系统是一个模块化飞行机器人开发平台，支持PX4开源飞行堆栈，适用于开发各类工业机动设备。平台具有开放可扩展性，可轻松添加传感器、处理器等组件。资料中详细介绍了移动机器人架构的模块图，包括通信、照明、载荷操作、定位、传感器、电机控制、电池管理、安全认证等模块。同时，推荐了适用于不同模块的产品，如射频功率器件、照明、超宽带、CAN-FD节点、车辆管理单元、IMU、配套计算机、通信、TSN以太网交换机、电机控制ESC、电池管理、安全与认证、Qi无线充电、以太网媒体转换器等。
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移动机器人生态合作体系
Hovergames无人机系统是一个模块化飞行机器人开发平台，支持PX4开源飞行堆栈，适用于开发各类工业机动设备。该平台具有开放可扩展性，可轻松添加传感器、处理器等组件。系统架构包括射频功率、照明、超宽带、CAN-FD节点、车辆管理单元、IMU、配套计算机、通信、TSN以太网交换机、电机控制ESC、电池管理、安全与认证、Qi无线充电等功能模块。推荐产品包括射频功率器件、照明驱动器、UWB IC、CAN-FD节点、车辆管理单元、IMU、配套计算机、通信模块、TSN以太网交换机、电机控制ESC、电池管理IC、安全元件、Qi无线充电解决方案等。
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KIT33CM0902EFEVB和KIT34CM0902EFEVB评估板
本资料为Freescale Semiconductor提供的用户指南，主要针对KIT33CM0902EFEVB和KIT34CM0902EFEVB评估板。指南详细介绍了评估板的硬件设置、功能、原理图、布线图、物料清单以及相关参考资料。内容包括评估板的硬件组成、功能特点、操作步骤、电路图、元件清单等，旨在帮助用户快速了解和使用该评估板。
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采暖、通风和空调（HVAC）解决方案设计参考手册
本资料为Freescale Semiconductors提供的MPC560xS/MPC5645S控制器基于的HVAC（供暖、通风和空调）解决方案设计参考手册。手册详细介绍了HVAC系统的硬件和软件设计，包括基本功能和高级特性，如气流控制、速度调节、温度控制、预定义和用户自定义模式、红外遥控、电机 stall 检测、停车辅助摄像头模式等。此外，还介绍了MPC560xS/MPC5645S控制器的特点和优势，以及硬件接口的详细描述。
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【产品】15W宽带射频功率放大器PTMA210152M，增益典型值高达28.5db
Infineon的 PTMA210152M是一款15 W、28 V、2级LDMOS集成放大器，适用于1800至2200 MHz频段的宽带驱动器应用。
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Kinetis-M三相电能表基准设计
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Kinetis M系列单相电能表设计参考手册
本资料为Freescale半导体公司发布的单相电能表设计参考手册，旨在指导基于Kinetis M系列微控制器的单相电能表设计。手册详细介绍了电能表的设计原理、硬件设计、软件设计以及相关配置。内容包括电能表的工作原理、硬件模块（如电源、显示接口、LED接口、键盘接口、模拟信号调理等）、软件模块（如测量、用户界面、通信、校准、防篡改检测等）以及电路图和原理图。
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流量计参考设计
本资料为Freescale Semiconductor公司提供的流量计参考设计文档，旨在指导用户设计和实现基于MC9S08GW64微控制器的低成本、低功耗流量计。文档详细介绍了流量计的原理、硬件设计、软件设计以及所需组件和材料。主要内容包括：流量计的基本原理、硬件设计（包括电源、显示接口、流量传感器接口、用户接口、通信端口等）、软件设计（包括流量计算、数据库、用户界面、通信等）以及电路图和物料清单。
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FRDM-HB2001-EVM评估板用户指南
本资料为NXP Semiconductors公司发布的FRDM-HB2001-EVM评估板用户指南。指南详细介绍了评估板的硬件组成、功能特点、操作步骤以及软件安装和使用方法。评估板主要用于评估MC33HB2001 H-桥驱动器，支持通过SPI接口进行配置和控制，适用于电机驱动等应用。指南中包含了硬件原理图、板级布局、物料清单等内容，为用户提供了全面的技术支持。
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FRDM-HB2000-EVM评估板用户指南
本资料为NXP Semiconductors公司提供的FRDM-HB2000-EVM评估板的用户指南。指南详细介绍了评估板的功能、硬件组成、软件安装和使用方法。评估板用于评估MC33HB2000 H-桥驱动器，支持通过SPI或并行接口进行控制，并具备过压保护、反向电池保护等功能。指南还包括硬件连接、软件配置、电路图和原理图等内容。
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