BFU5xx and BFU6–9xx Wideband RF Transistors For automotive and broadband IoT applications
发布时间：
2019-04-11
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
NXP（恩智浦）
型号：
BFU5xx; BFU6–9xx; BFU520; BFU530; BFU550; BFU580; BFU590; BFU610F; BFU630F; BFU660F; BFU690F; BFU725F/N1; BFU710F; BFU730F; BFU730LX; BFU760F; BFU768F; BFU790F; BFU910F; BFU520W; BFU530W; BFU550W; BFU520A; BFU530A; BFU550A; BFU520X; BFU530X; BFU550X; BFU520XR; BFU530XR; BFU550XR; BFU580Q; BFU590Q; BFU580G; BFU590G; BFU520Y; BFU6-9xxx
加工定制
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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BFU530 NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU520 NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU550 NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU550 NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU520W NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU530X NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU550W NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU530W NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU530XR NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU520XR NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU520A NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU520X NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU550X NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU550X NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU530A NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU550A NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU550XR NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU550XR NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU610F NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU660F NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU630F NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU520Y双NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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BFU580G NPN宽带硅射频晶体管产品数据表
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应用/方案
AN11380 BFU530A ISM 866 MHz低噪声放大器设计应用说明
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BFU530W ISM 866 MHz LNA设计
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BFU550A ISM 866 MHz低噪声放大器设计
本文档详细介绍了基于NXP BFU5xxA系列晶体管的ISM频段低噪声放大器（LNA）设计。内容涵盖设计概述、设计考虑因素、设计方法、电路图、PCB布局以及性能测试结果。重点包括BFU550A晶体管在866MHz ISM频段的应用，以及如何通过优化电路设计实现低噪声、高增益和良好的匹配性能。
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BFU520A ISM 866 MHz低噪声放大器设计
本资料为NXP Semiconductors发布的应用笔记，介绍了基于BFU5xxA系列晶体管的ISM频段低噪声放大器（LNA）设计。内容包括设计概述、设计考虑因素、设计方法、电路图、PCB布局、性能参数以及温度和供电电压下的特性分析。资料提供了从仿真到实际电路实现的详细步骤，并附有测量结果和图表。
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BFU520X ISM 866 MHz LNA设计
本文档详细介绍了基于NXP BFU520X器件的ISM频段866MHz低噪声放大器（LNA）的设计。内容包括设计概述、设计考虑因素、设计方法、电路图、PCB布局、性能参数以及温度和供电电压下的特性分析。通过仿真和实际测量，验证了该LNA在低噪声、高增益和良好匹配方面的性能。
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BFU550XR ISM 433 MHz低噪声放大器设计
本文档详细介绍了基于NXP BFU5xxXR系列晶体管的ISM频段低噪声放大器（LNA）设计。内容涵盖设计概述、设计考虑因素、设计方法、仿真步骤、实现与评估步骤、应用电路、PCB设计、性能参数以及温度和供电电压下的特性分析。该设计旨在实现低噪声、高增益、低功耗，适用于电池供电设备。
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【产品】UMS新推15W GaN晶体管CHK8101-SYC，适用于高达6GHz的高性能射频功率应用
UMS推出的CHK8101-SYC是一款优异的15W GaN晶体管，适用于高达6GHz的高性能射频功率应用。CHK8101-SYC适用于多种射频功率应用的宽带解决方案，例如多用途、空间和电信应用。
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BFU520XR ISM 866 MHz LNA设计
本文档详细介绍了基于NXP BFU520XR晶体管的ISM频段低噪声放大器（LNA）设计。内容包括设计概述、设计考虑因素、设计方法、仿真步骤、实现与评估步骤、应用电路、PCB设计、性能参数以及温度和供电电压下的特性分析。该设计旨在实现低噪声、高增益、低功耗，适用于电池供电设备。
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BFU520XR ISM 433 MHz LNA设计
本文档详细介绍了基于NXP BFU5xxXR系列晶体管的ISM频段低噪声放大器（LNA）设计。内容涵盖设计概述、设计考虑因素、设计方法、仿真步骤、实现与评估步骤、应用电路、PCB设计、性能参数以及温度和供电电压下的特性分析。该设计旨在实现低噪声、高增益，并适用于电池供电设备。
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BFU550A ISM 433 MHz低噪声放大器设计
本文档详细介绍了基于NXP BFU5xxA系列晶体管的ISM频段低噪声放大器（LNA）设计。内容涵盖设计概述、设计考虑因素、设计方法、电路图、PCB布局以及性能测试。重点介绍了BFU550A晶体管在433MHz ISM频段的应用，包括噪声系数、增益、输入输出回波损耗等关键性能参数。此外，还提供了针对不同频率的调谐方法和改进线性度的建议。
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BFU550XR ISM 866 MHz低噪声放大器设计
本资料为NXP公司发布的关于BFU550XR ISM 866 MHz LNA设计的应用笔记。内容涵盖BFU5xxXR晶体管在ISM频段低噪声放大器（LNA）设计中的应用，包括设计、仿真和实施阶段，以及测量结果和参数。资料详细介绍了BFU550XR晶体管的特点和性能，并提供了设计示例和评估板结果。
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BFU550W ISM 433 MHz LNA设计
本文档详细介绍了基于NXP BFU5xxW系列晶体管的ISM频段低噪声放大器（LNA）设计。内容涵盖设计概述、设计考虑因素、设计方法、仿真步骤、实现与评估步骤、应用电路、PCB设计、性能参数以及温度和供电电压下的特性分析。该设计旨在实现低噪声、高增益，并适用于电池供电设备。
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BFU530X ISM 866 MHz LNA设计
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【经验】如何采用Intersil晶体管阵列I设计高增益低噪声射频放大器
Intersil（Renesas收购）公司推出的ISL73096RH，ISL73127RH和ISL73128RH三种晶体管阵列均采用互补双极键合晶圆绝缘体上硅（SOI）技术制造，称为UHF-1。本方案主要介绍如何设计采用这些特色晶体管阵列的射频放大器，并且提供匹配（800 MHz至2500 MHz）高增益低噪声放大器和10 MHz至600 MHz宽带反馈放大器的完整设计步骤。
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产品概述55GN01CA：射频晶体管，10V，70mA，fT=5.5GHz，NPN单CP
55GN01CA是一款10V、70mA、fT=5.5GHz的NPN单端射频晶体管，适用于UHF宽带低噪声放大器。其主要特点包括高截止频率（fT=5.5GHz）和高增益（9.5dB）。产品规格包括VCE(sat) Max、IC Cont.、VCEO Min、hFE Min、hFE Max、fT Min、PTM Max和封装类型等。
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宽带射频与和模拟解决方案
该资料介绍了Skyworks公司提供的宽带射频与模拟解决方案，涵盖航空与国防、互联家庭与可穿戴设备以及小型蜂窝架构等多个应用领域。产品包括集成式单级PIN二极管限幅模块、大功率硅PIN二极管SPDT开关、耐辐射光电晶体管密封表面贴装光耦合器、LP-WAN射频前端模块、低噪声放大器、前端模块以及高效率功率放大器系列等。
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BFU530X ISM 433 MHz LNA设计
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BFU520 ISM 866 MHz低噪声放大器设计
本文档详细介绍了基于NXP BFU5xx系列晶体管的ISM频段低噪声放大器（LNA）设计。内容涵盖设计概述、设计考虑因素、设计方法、仿真步骤、实现与评估步骤、应用电路、PCB特性、典型评估板结果以及温度和供电电压下的LNA特性。此外，还提供了针对其他频率的调谐方法和参考信息。
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BFU520 ISM 433 MHz低噪声放大器设计
本文档详细介绍了基于NXP BFU5xx系列晶体管的ISM频段低噪声放大器（LNA）设计。内容涵盖设计概述、设计考虑因素、设计方法、仿真步骤、实现与评估步骤，以及电路图和PCB布局。此外，还包括了LNA的性能参数，如噪声系数、增益、输入和输出回波损耗等，并提供了温度和供电电压下的性能表征。
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BFU5XX系列ADS设计套件安装手册
本资料为NXP BFU5XX系列宽带家族ADS设计套件的安装手册。手册介绍了BFU5XX晶体管家族，适用于高频应用，如通信、汽车和工业设备。手册详细说明了设计套件的安装步骤，包括文件复制、ADS软件操作等。此外，手册还提供了关于BFU5XX晶体管的各种封装型号和ADS设计套件中包含的模型信息。
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AN11379 BFU530A ISM 433 MHz低噪声放大器设计应用说明
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BFU530W ISM 433 MHz LNA设计
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【产品】单管芯输出功率高达220W的射频功率放大晶体管PXFC192207SH，适用于1805-1990MHz频段
英飞凌通过其先进的LDMOS生产工艺，推出高性能、高可靠性、超宽带、单管芯超大功率的射频功率放大晶体管PXFC192207SH，PXFC192207SH适用于1805-1990MHz频段的各种制式的移动通信蜂窝基站、RRU、直放站等产品。PXFC192207SH采用H-37288G-4/2封装，器件大小仅为23.1×14.7mm，这为实现PCB板的小型化设计提供了便利。
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【产品】14W氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8013-99F，为射频功率应用提供了通用的宽带解决方案
UMS公司推出了一款 功率为14W 的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8013-99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。CHK8013-99F采用0.25μm栅极长度的GaN HEMT技术。器件建议采用裸芯片形式，需要外部匹配电路。
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BFU520X ISM 433 MHz LNA设计
本文档详细介绍了基于NXP BFU5xxX系列晶体管的ISM频段低噪声放大器（LNA）设计。内容涵盖设计概述、设计考虑因素、设计方法、仿真步骤、实际电路实现以及性能测试。重点在于BFU520X晶体管在433MHz ISM频段的应用，包括噪声系数、增益、输入输出回波损耗等关键性能参数的优化。
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BFU550X ISM 866 MHz LNA设计
本文档详细介绍了基于NXP BFU550X晶体管的ISM频段低噪声放大器（LNA）设计。内容涵盖设计概述、设计考虑因素、设计方法、仿真步骤、实际电路实现以及性能测试。重点包括BFU550X晶体管的特点、LNA电路设计、仿真与实际测试结果，以及针对不同频率的调谐方法。
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BFU530XR ISM 866 MHz LNA设计
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