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MRFX035H RF Power LDMOS Transistor
发布时间: 2019-04-11
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
NXP(恩智浦)
型号:
MRFX035H; MRFX035HR5; C3216NP02A223J160AA; T491D106K035AT; C1206C104K1RACTU; C3225X7R1H225K; C3216C0G2A104J160AE; G2225X7R225KT3AB; MCGPR100V227M16X26; 5961001101; MW0454; CPF31K0000FKE14; RMCF2512JT330R; D115353; 2743021447; ATC100B150JT500XT; T491X226K035AT; C3225X7R1H225K250AB; CDR33BX104AKWS; ATC100B102JT50XT; ATC100B5R1CT500XT; C3225JB2A105K200AA; C5750X7S2A156M230KB; MCGPR100V477M16X32; ATC100B5R6C500XT; A02TJLC; A03TJLC; 1812SMS-R12JLC; 1812SMS-R10JLC; B08TJLC; D105952
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加工定制
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603),工作电压范围覆盖2.5V~36V,电容值低至0.2pF,浪涌能力最高可达240安培,静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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MRFE6VS25NR1 MRFE6VS25GNR1射频功率LDMOS晶体管
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2019/02/21
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射频功率场效应晶体管n沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管n沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管n沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向mosfet
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向mosfet
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向mosfet
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向mosfet
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向mosfet
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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MRF101AN射频功率LDMOS晶体管技术数据
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MRF6S19100NR1 MRF6S19100NBR1射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向MOSFET
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MMRF5017HS射频功率氮化镓晶体管技术数据
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MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1射频功率场效应晶体管技术数据
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MRF21010LSR1射频功率场效应晶体管技术数据
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MRF9060LSR1射频功率场效应晶体管技术数据
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MRF9060LR1射频功率场效应晶体管技术数据
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MRF6S21100NR1射频功率场效应晶体管N沟道增强模式横向MOSFET
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应用/方案
MC34701和MC34702部件选型指南
本资料介绍了Freescale Semiconductor的MC34701和MC34702两款DC/DC转换器解决方案。资料详细阐述了这些器件的开关拓扑结构、补偿环路设计、推荐的外部组件选择、布局注意事项以及设计实例。内容包括同步降压转换器、低 dropout线性稳压器控制器、外部组件选择(如电感器、电容器、电阻等)、输出电压设置、电感器选择、低 dropout转换器设计等。
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MPC567xF/MPC5676R硬件要求/示例电路,包括片内调节器和调节器控制器的操作
本资料详细介绍了Freescale Semiconductor的MPC567xF/MPC5676R系列微控制器的硬件要求,包括芯片的电源选项、封装选项、电源管理控制器(PMC)功能、上电复位(POR)和低电压检测(LVD)电路。资料涵盖了电源电压配置、内部和外部电源选项、电源上升和下降时序、内部线性3.3V稳压器和1.2V低压稳压器控制器等关键内容。
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KITLEDBKLT16EVBE评估板用户指南
本资料为Freescale Semiconductor提供的KITLEDBKLT16EVBE评估板用户指南。指南内容包括评估板的内容清单、重要注意事项、功能介绍、所需设备、配置图、原理图、硬件使用方法、板级布局、物料清单、参考资料和修订历史。评估板适用于16通道LED驱动器演示板,包含256个LED,支持电流能力高达180mA,并具备故障检测和性能评估功能。
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MMM6007模块的配电应用说明
本应用笔记旨在为Melody Vdd核心电压(VMelody core)在无线电设计中的实施提供一般性指南。内容涵盖PCB布局建议、旁路电容选择、VDig稳压器去耦电容研究以及Buck开关器2去耦电容研究。重点包括PCB布局、旁路电容选择、电容值计算和电容器选择。
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飞思卡尔68HC908AP64演示模块用户指南
本资料介绍了Freescale 68HC908AP64微控制器的评估模块DEMO908AP64。模块具备快速开发应用的能力,包括壁式电源插头、DB9串行电缆、示例软件工具等。模块提供MON08端口,兼容HC08监控接口电缆和软件。此外,模块还提供多种选项,如可选的MON08接口、红外收发器、用户组件等。资料详细说明了模块的运行模式、软件开发、内存映射、操作、电源供应、定时、串行通信、用户组件和红外收发器等。
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使用单芯锂离子电池的高输入电压充电器(KIT34673EPEVBE)用户指南
本指南旨在帮助锂离子电池充电器设计师理解MC34673及其评估板。它说明了使用MC34673设计锂离子电池充电器的步骤,以及如何从MC34673中获得最佳性能。指南涵盖了MC34673的特性和应用,包括高输入电压、高精度输出电压和电流控制,以及作为独立或嵌入式充电器的使用方法。此外,还提供了评估板的规格、组件选择、布局设计和测试设置等信息。
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【成功案例】32位低功耗MCU EFM32G222成功应用在基于手机蓝牙通讯
本文就介绍一种使用Silicon Labs(芯科科技)的EFM32G222型MCU在基于手机蓝牙通讯的微型POS机中的应用。本POS机可以通过磁头读取银行卡的信息,也可以通过插卡的方式直接接触式的读取带IC芯片的银行卡信息,然后将读取到的银行卡信息通过蓝牙传输给手机,配合手机APP实现POS机的功能。
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750 W CW 700-1300 MHz,50 V RF功率LDMOS晶体管
MRF13750H和MRF13750HS是NXP公司生产的750W连续波(CW)LDMOS射频功率晶体管,适用于700至1300MHz频段的工业、科学和医疗(ISM)应用。这些晶体管可在窄带操作中实现CW或脉冲功率输出。资料提供了915MHz参考电路的框图,并注明了相关信息可能随时更改。
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使用单芯锂离子电池的高输入电压充电器(KIT34671EPEVBE)用户指南
本指南旨在帮助锂离子电池充电器设计师了解MC34671及其评估板。它说明了使用MC34671设计锂离子电池充电器的步骤,以及如何获得MC34671的最佳性能。指南涵盖了MC34671的特点、应用电路、评估板规格、组件选择、布局设计、评估板配置和测试设置等内容。
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MC13783参考设计应用说明的外部部件建议
本资料为Freescale Semiconductor公司发布的关于MC13783参考设计的应用笔记,主要内容包括MC13783的介绍、应用电路图以及推荐的外部组件列表。MC13783是一款用于电源管理和用户界面的集成电路,适用于Freescale的3G蜂窝平台或其他便携式手持设备。资料提供了使用MC13783进行设计时所需的外部组件建议,包括电容、晶体振荡器、FET和电阻等,并提供了具体型号和供应商信息。
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UM11170TEA1936xDB1556 27 W紧凑型电源演示板用户手册
本资料为NXP Semiconductors公司生产的TEA1936xDB1556 27W紧凑型电源演示板用户手册。该演示板采用TEA19361准谐振控制器和TEA1999同步整流控制器,适用于90V至264V交流电压输入,输出电压可选3V、5V和12V,最大输出电流为3A。资料详细介绍了演示板的技术规格、性能数据、连接方式、性能表现、电磁干扰、原理图、物料清单、布局图等内容。
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KIT912H634EVME评估板用户指南
本资料为Freescale Semiconductor, Inc.发布的用户指南,针对KIT912H634EVME评估板进行详细说明。该评估板集成了MM912H634双通道继电器驱动器,具备LIN设备功能。指南内容包括评估板介绍、所需设备、硬件描述、软件描述、原理图、板级布局、物料清单和参考资料等。指南旨在帮助用户快速上手,评估MM912H634的功能和特性。
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UM11064TEA1936xDB1520 USB-PD 27 W高压移动充电演示板用户手册
本资料为NXP Semiconductors公司发布的TEA1936xDB1520 USB-PD 27W HV移动充电演示板用户手册。手册详细介绍了该演示板的技术性能、技术数据以及连接方式。该演示板适用于90V至264V的交流电压输入,可输出5V、9V和12V直流电压,最大输出功率为27W。手册涵盖了安全警告、规格参数、性能测试、原理图、物料清单、布局和缩写词等内容。
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56800混合控制器带DC/DC逆变器的三相功率级Lite用户手册
本手册介绍了Freescale Semiconductor的3相功率级与DC/DC逆变器Lite用户手册。该手册涵盖了3相功率级与DC/DC逆变器Lite的介绍、设置、操作描述、引脚描述、原理图等内容。手册详细说明了该产品的电气特性、引脚分配、电路连接、测试点以及LED指示等关键信息,为用户提供了全面的技术支持。
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28/32 V LDMOS全新IDCH技术将RF功率性能提升至4 GHz
STMicroelectronics推出的新型IDCH技术,采用28/32V LDMOS工艺,在4GHz频率范围内显著提升射频功率性能。该技术具备高效率、低热阻等优势,适用于2.45GHz ISM、无线基础设施、卫星通信和S波段雷达系统等应用,为射频功率放大器提供高效能解决方案。
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UM11048 TEA1936xDB1475多标准27 W高压移动充电演示板用户手册
本资料介绍了NXP Semiconductors的TEA1936xDB1475多标准27W高压移动充电演示板。该板支持USB-PD 2.0/3.0和Quick Charge 2.0/3.0协议,可在90V至264V的交流电压下工作,输出电压可选5V、9V或12V,最大输出功率27W。资料详细描述了演示板的技术规格、性能参数、连接方式以及安全注意事项。
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