AFV10700H AFV10700HS AFV10700GS RF Power LDMOS Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
发布时间：
2019-04-11
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
NXP（恩智浦）
型号：
AFV10700H; AFV10700HS; AFV10700HR5; AFV10700GS; AFV10700HSR5; AFV10700GSR5; ATC800B1R5BT500XT; ATC800B390JT500XT; ATC800B4R3CT500XT; C3225X7R2A225K230AB; ATC800B102JT50XT; ATC800B101JT500XT; ATC800B4R7CT500XT; ATC800B3R3CT500XT; GRM31CR72A105KA01L; ATC800B511JT200XT; MCGPR63V477M13X26-RH; RK73H2ATTD10R0F; D85937; 2743019447; T491X226K035AT; C1825C225J5RAC; CDR33BX104AKWS; ATC100B430JT500XT; ATC100B3R3CT500XT; ATC100B0R7BT500XT; ATC100B360JT500XT; ATC100B5R1CT500XT; ATC100B5R6CT500XT; C1825C103K1GACTU; HSF-141-35-C; GA3094-ALC; CRCW12065R60FKEA; D89532; MCGPR63V477M13X26--RH; HSF--141--35--C; GA3094--ALC
资料平台
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射频功率LDMOS晶体管n沟道增强型横向MOSFET
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AFV10700HSR5镍-780HS-4
2017-11-27
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MMRF5017HS射频功率氮化镓晶体管技术数据
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AFV10700GSR5 NI-780S-4鸥翼
2018-03-13
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MMRF5014H射频功率氮化镓晶体管技术数据
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产品技术支持
2017-06-22
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MRF8S26120HR3 MRF8S26120HSR3射频功率场效应晶体管n沟道增强型横向MOSFET
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AFV10700HR5镍780H-4
2017-11-27
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MRF101AN射频功率LDMOS晶体管技术数据
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MRF300AN MRF300BN射频功率LDMOS晶体管技术数据
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MRF300AN MRF300BN射频功率LDMOS晶体管技术数据
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MRF8S19260HR6 MRF8S19260HSR6射频功率场效应晶体管技术数据
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MRF8S19140HR3 MRF8S19140HSR3射频功率场效应晶体管技术数据
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向MOSFET
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A2T27S007NT1射频功率LDMOS晶体管技术数据
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MRFX1K80N MRFX1K80GN射频功率LDMOS晶体管技术数据
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MRFX035H射频功率LDMOS晶体管
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MRF8S26060HR3 MRF8S26060HSR3射频功率场效应晶体管n沟道增强型横向MOSFET
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A2T08VD021NT1射频功率LDMOS晶体管技术数据
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A2T27S020NR1 A2T27S020GNR1射频功率LDMOS晶体管技术数据
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MRFX1K80H射频功率LDMOS晶体管技术数据
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MRFE6VS25NR1 MRFE6VS25GNR1射频功率LDMOS晶体管
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MMRF1021NT1射频功率LDMOS晶体管N沟道增强型横向MOSFET技术数据
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射频功率LDMOS晶体管
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射频功率LDMOS晶体管
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射频功率LDMOS晶体管
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射频功率LDMOS晶体管
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射频功率LDMOS晶体管
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射频功率LDMOS晶体管
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
A2V09H400—04S射频功率LDMOS晶体管N—沟道增强—模式横向MOSFET技术数据
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MRF101AN MRF101BN射频功率LDMOS晶体管技术数据
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飞思卡尔半导体的MET-LDMOS模型
2019/02/15
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MRFX600H MRFX600HS MRFX600 GS射频功率LDMOS晶体管
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
MPC567xF/MPC5676R硬件要求/示例电路，包括片内调节器和调节器控制器的操作
本资料详细介绍了Freescale Semiconductor的MPC567xF/MPC5676R系列微控制器的硬件要求，包括芯片的电源选项、封装选项、电源管理控制器（PMC）功能、上电复位（POR）和低电压检测（LVD）电路。资料涵盖了电源电压配置、内部和外部电源选项、电源上升和下降时序、内部线性3.3V稳压器和1.2V低压稳压器控制器等关键内容。
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750 W CW 700-1300 MHz，50 V RF功率LDMOS晶体管
MRF13750H和MRF13750HS是NXP公司生产的750W连续波（CW）LDMOS射频功率晶体管，适用于700至1300MHz频段的工业、科学和医疗（ISM）应用。这些晶体管可在窄带操作中实现CW或脉冲功率输出。资料提供了915MHz参考电路的框图，并注明了相关信息可能随时更改。
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移动机器人生态合作体系
Hovergames无人机系统是一个模块化飞行机器人开发平台，支持PX4开源飞行堆栈，适用于开发各类工业机动设备。平台具有开放可扩展性，可轻松添加传感器、处理器等组件。资料中详细介绍了移动机器人架构的模块图，包括通信、照明、载荷操作、定位、传感器、电机控制、电池管理、安全认证等模块。同时，推荐了适用于不同模块的产品，如射频功率器件、照明、超宽带、CAN-FD节点、车辆管理单元、IMU、配套计算机、通信、TSN以太网交换机、电机控制ESC、电池管理、安全与认证、Qi无线充电、以太网媒体转换器等。
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移动机器人生态合作体系
Hovergames无人机系统是一个模块化飞行机器人开发平台，支持PX4开源飞行堆栈，适用于开发各类工业机动设备。该平台具有开放可扩展性，可轻松添加传感器、处理器等组件。系统架构包括射频功率、照明、超宽带、CAN-FD节点、车辆管理单元、IMU、配套计算机、通信、TSN以太网交换机、电机控制ESC、电池管理、安全与认证、Qi无线充电等功能模块。推荐产品包括射频功率器件、照明驱动器、UWB IC、CAN-FD节点、车辆管理单元、IMU、配套计算机、通信模块、TSN以太网交换机、电机控制ESC、电池管理IC、安全元件、Qi无线充电解决方案等。
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医学中的射频能量利用固态射频功率的创新解决方案
本文探讨了射频能量在医学领域的应用，包括其历史、工作原理、主要应用和未来趋势。文章介绍了射频能量如何通过加热组织来治疗各种疾病，如皮肤老化、肿瘤、心脏病和高血压。重点讨论了射频能量在治疗中的应用，如射频消融、微波消融、磁共振成像和皮肤紧致术。此外，文章还介绍了LDMOS射频功率晶体管在医学应用中的优势，以及其在提高治疗效率和安全性方面的作用。
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适用于医疗应用的射频电源解决方案
本资料主要介绍了STMicroelectronics公司提供的射频功率解决方案在医疗应用中的使用。资料涵盖了射频功率在医疗领域的应用，如磁共振成像、美容治疗、消融和电热疗法。ST公司提供多种射频DMOS和LDMOS晶体管，适用于不同的电压和频率范围，并具有高可靠性。资料还详细介绍了LDMOS在磁共振成像中的应用，以及ST公司提供的不同产品系列和型号。
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高功率射频晶体管对源和输出负载的灵敏度
本文探讨了高功率射频晶体管对源负载和输出负载的敏感性。文章详细介绍了用于该研究的测试平台和实验过程，并分析了测试平台负载质量对射频器件主要连续波性能的影响。研究以Freescale的高功率、高频器件为例，讨论了源负载和输出负载质量对增益、P1dB和效率等性能参数的影响。文章强调了负载质量对测量准确性的重要性，并提出了改进测试平台和负载质量的方法。
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60瓦、GSM 900 MHz、LDMOS两级放大器
本资料介绍了使用Freescale LDMOS晶体管设计的高功率GSM 900 MHz射频放大器。设计目标是为GSM 900 MHz基站提供60瓦连续波输出功率，效率尽可能高，增益在30 dB范围内。主要内容包括放大器设计规则、目标、元件选择、阻抗测量、最终级和驱动级设计、两阶放大器设计、可制造性分析和结论。资料提供了详细的电路图、PCB布局和性能测量结果，展示了该设计的可行性和性能。
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