MRFE6VS25NR1 MRFE6VS25GNR1 RF Power LDMOS Transistors
发布时间：
2019-04-11
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
NXP（恩智浦）
型号：
MRFE6VS25NR1; MRFE6VS25GNR1; 2743021447; T491X226K035AT; CDR33BX104AKWY; C0805C103K5RAC; ATC100B181JT300XT; ATC100B180JT500XT; ATC100B2R7BT500XT; ATC100B150JT500XT; ATC100B360JT500XT; ATC100B4R3CT500XT; ATC100B130JT500XT; MCGPR63V477M13X26-RH; 1812SMS-33NJLC; A04TJLC; 1812SMS-82NJLC; AD255A; T491D106K035AT; C3225X7R1H225KT; GRM319R72A104KA01D; G2225X7R225KT3AB; MCGPR100V227M16X26-RH; 5943001101; 5961001101; 8077; CPF31K0000FKE14; S1000; ATC100B102JT50XT; C3225CH2A153JT; GRM3195C1E103JA01; C3225JB2A105KT; 1N4738A; 2861001502; 21-201-J; 1812SMS-47NJLC; 8076; CRCW12065K60FKEA; CRCW120615R0FKEA; 3224W-1-502E; D260-4118-0000; TC350; 2743019447; ATC100B220JT500XT; ATC100B6R2BT500XT; GRM55DR61H106KA88L; GRM319R72A103KA01D; ATC100B430JT500XT; GRM32MR71H104JA01L; GRM31MR71H105KA88L; C1206C104K1RAC-TU; ATC200B203KT50XT; ATC100B471JT200XT; C5750KF1H226ZT; 27271SL; ATC100B2R2JT500XT; ATC100B200JT500XT; B10TJLC; A01TKLC; TL350
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强模式横向MOSFET
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制造商BOM报告
2019/02/21
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MRFE6VS25GNR1 TO-270-2鸥
2018-05-16
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射频功率LDMOS晶体管：高强度N沟道增强型横向MOSFET
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射频功率LDMOS晶体管高强度N沟道增强型横向MOSFET
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| 技术文档 - 英文 |
MRFE6VS25NR1至-270-2
2018-05-16
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MRF8VP13350N新型飞思卡尔射频工业晶体管
May 2015
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MRF7S38010HR3 MRF7S38010HSR3 RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs
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AFM907N射频功率LDMOS晶体管
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射频功率场效应晶体管n沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管n沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管n沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管n沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向mosfet
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向mosfet
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向mosfet
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向mosfet
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向mosfet
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向mosfet
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向mosfet
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向MOSFET
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射频功率场效应晶体管N沟道增强型横向MOSFET
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| 技术文档 - 英文 |
带JTAG/MICTOR接口的垂直调试板。柔性PCB LFVDBJF
02/27/2013
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MRF7S35120HSR3射频功率场效应晶体管n沟道增强型横向MOSFET
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S12ZVH系列设备LCD接口汽车暖通空调控制系统
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MRFX035H射频功率LDMOS晶体管
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S12HY系列设备带LCD接口的汽车暖通空调控制系统
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AFM906N射频功率LDMOS晶体管技术数据
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
采暖、通风和空调（HVAC）解决方案设计参考手册
本资料为Freescale Semiconductors提供的MPC560xS/MPC5645S控制器基于的HVAC（供暖、通风和空调）解决方案设计参考手册。手册详细介绍了HVAC系统的硬件和软件设计，包括基本功能和高级特性，如气流控制、速度调节、温度控制、预定义和用户自定义模式、红外遥控、电机 stall 检测、停车辅助摄像头模式等。此外，还介绍了MPC560xS/MPC5645S控制器的特点和优势，以及硬件接口的详细描述。
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流量计参考设计
本资料为Freescale Semiconductor公司提供的流量计参考设计文档，旨在指导用户设计和实现基于MC9S08GW64微控制器的低成本、低功耗流量计。文档详细介绍了流量计的原理、硬件设计、软件设计以及所需组件和材料。主要内容包括：流量计的基本原理、硬件设计（包括电源、显示接口、流量传感器接口、用户接口、通信端口等）、软件设计（包括流量计算、数据库、用户界面、通信等）以及电路图和物料清单。
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工业、科学和医疗解决方案（ISM）
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KIT33CM0902EFEVB和KIT34CM0902EFEVB评估板
本资料为Freescale Semiconductor提供的用户指南，主要针对KIT33CM0902EFEVB和KIT34CM0902EFEVB评估板。指南详细介绍了评估板的硬件设置、功能、原理图、布线图、物料清单以及相关参考资料。内容包括评估板的硬件组成、功能特点、操作步骤、电路图、元件清单等，旨在帮助用户快速了解和使用该评估板。
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Kinetis-M三相电能表基准设计
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基于MQX的MK30X256单相电能表参考设计
本资料介绍了基于MK30X256微控制器的单相电能表参考设计。设计展示了MK30X256在电能表应用中的能力，包括硬件和软件设计特点。该设计适用于单相两线安装的电力测量，具有高精度测量功能，支持ZigBee网络连接，适用于智能家居电网。资料详细描述了硬件设计、软件配置、测量原理和系统概念。
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FRDM-BC3770-EVB和FRDM-BC3770-EVM用户指南
本指南介绍了NXP Semiconductors的Freedom expansion boards FRDM-BC3770-EVB和FRDM-BC3770-EVM的使用。内容包括重要注意事项、入门指南、Freedom平台理解、硬件了解、软件和硬件安装设置、使用Processor Expert与BC3770组件等。指南详细介绍了硬件配置、软件安装、GUI操作以及与Processor Expert的集成使用，旨在帮助用户快速上手并使用该开发平台。
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