PROCESS CP303X Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
发布时间:
2019-04-12
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Central Semiconductor(中央半导体)
型号:
CP303X; CP303X-MPS8099; CP303X-MPSA06
本数据手册详细介绍了型号为CP303X的小信号晶体管芯片。该器件属于NPN型高电流晶体管芯片,采用EPITAXIAL PLANAR工艺制造,具备优异的高电流特性。资料重点阐述了该芯片的生产工艺细节与物理规格,具体包括晶圆尺寸为22 x 22 MILS,厚度为5.9 MILS;在键合垫设计方面,基极键合垫面积为3.7 x 3.7 MILS,发射极键合垫面积为4.2 x 4.2 MILS;此外,手册还明确了金属化层参数,上表面采用厚度为30,000Å的铝(Al),下表面则采用厚度为13,000Å的Au-As合金,为器件的电气性能与焊接可靠性提供了工艺保障。基于该芯片方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,平台支持相关型号的单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,并确保库存充足以应对不同阶段需求。同时,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试等技术服务,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
资料下载
Central Semiconductor官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
Central Semiconductor 授权代理店 >>
Central Semiconductor(美国中央半导体公司)——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司,简称Central)是世界顶级分立半导体制作商,公司总部位于美国纽约,成立于1974年,迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证,生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求,力求为客户提供高品质高可靠性产品;与顶级OEM 设计师合作,提供创新解决方案。
访问Central Semiconductor 品牌主页 >>
技术支持/研发服务
世强硬创平台整合Central Semiconductor原厂及授权代理商FAE资源,提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持,响应快、专业强,助力研发高效落地。
立即获取 Central Semiconductor 技术支持 >>
企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供Central Semiconductor快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
立即获取 Central Semiconductor 企业采购服务 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP303 XSmall Signal TransistorNPN - High Current Transistor Chip
30-August 2011
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP303X Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
30-August 2011
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP303X Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
30-August 2011
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP303X Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
30-August 2011
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP303X Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
R0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP303X Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
R0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
加工CP304V小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
30-August 2011
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
加工CP304V小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
R0
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor(中央半导体)CP307和CP307V晶圆工艺已停产,替换晶片工艺均为CP327V(PDN01146)
REV 002
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor(中央半导体)CP307/CP307V停产由CP327V晶圆工艺所取代的通知(PCN #179)
2020年1月13日
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor(中央半导体)CP304V-MPSA06-CT停产通知(PDN01097)
REV.002
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
【EOL】Central Semiconductor(中央半导体)CP302射频晶体管晶圆工艺停产通知(PDN01112)
1/18/19
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
工艺CP303X小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
30-August 2011
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor(中央半导体) CMPT8099/8599数据手册
2016年06月29日
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
CP307 Small Signal Transistor NPN - Silicon Darlington Transistor Chip
R6
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP307 Small Signal Transistor NPN - Silicon Darlington Transistor Chip
22-March 2010
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP307 Small Signal Transistor NPN - Silicon Darlington Transistor Chip
22-March 2010
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP307 Small Signal Transistor NPN - Silicon Darlington Transistor Chip
22-March 2010
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP307 Small Signal Transistor NPN - Silicon Darlington Transistor Chip
22-March 2010
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP307 Small Signal Transistor NPN - Silicon Darlington Transistor Chip
R6
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP307 Small Signal Transistor NPN - Silicon Darlington Transistor Chip
R6
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP307 Small Signal Transistor NPN - Silicon Darlington Transistor Chip
R6
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP304 Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
22-March 2010
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP304 Small Signal TransistorNPN - High Current Transistor Chip
22-March 2010
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP304 Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
22-March 2010
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP304 Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
22-March 2010
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP304 Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
R4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP304 Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
R4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP304 Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
R4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP304 Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
R4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP304 Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
R4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor(中央半导体) CP307-CZTA27数据手册
2016年07月01日
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
工艺CP309功率晶体管NPN低饱和晶体管芯片
R5
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP309 Power TransistorNPN - Low Saturation Transistor Chip
16-December 2011
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP309 Power Transistor NPN - Low Saturation Transistor Chip
16-December 2011
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESSCP309 Power Transistor NPN - Low Saturation Transistor Chip
16-December 2011
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP309 Power Transistor NPN - Low Saturation Transistor Chip
16-December 2011
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP309 Power Transistor NPN - Low Saturation Transistor Chip
R5
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor(中央半导体) 2N3439,2N3440,CMPTA42,CMPT6517,CXTA42,CZTA42,MPSA42数据手册
2016年06月30日
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
工艺CP305小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
R3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
工艺CP305小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
22-March 2010
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP305 Small Signal TransistorNPN - High Current Transistor Chip
22-March 2010
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP305 Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip
22-March 2010
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
按工艺类型排序的每片总模具数
该资料详细列出了不同工艺类型和晶圆尺寸下的裸晶片(Gross Die)数量。内容涵盖了多种工艺过程(如CPD04、CPD06、CPD102X等),不同晶圆尺寸(4英寸、5英寸、6英寸等),以及每个工艺和尺寸组合下的裸晶片数量。资料旨在为读者提供关于裸晶片产量的详细信息,以便于行业内部参考和比较。
阅读原文 >>
通用晶体管
该资料详细列出了多种通用晶体管的产品信息,包括中央零件编号、最小VCEO、最小IC、VCE(SAT)、hFE最小值、晶圆尺寸、晶圆厚度、顶部金属化和底部金属化等参数。资料中涵盖了不同电压和电流规格的晶体管,适用于各种电子应用。
阅读原文 >>
达林顿晶体管
该资料提供了一系列达林顿晶体管的详细规格,包括最大集电极-发射极电压、最大集电极电流、饱和电压、最小电流增益、芯片尺寸、芯片厚度、顶部和底部金属化层厚度等参数。资料中列出了多种型号的达林顿晶体管,涵盖了不同的电压和电流规格,适用于不同的应用场景。
阅读原文 >>
达林顿晶体管
该资料提供了一系列达林顿晶体管的详细规格,包括最大集电极电压、最大集电极电流、饱和电压、最小电流增益、芯片尺寸、芯片厚度、顶层和底层金属化层厚度等信息。资料中列出了不同型号的晶体管,并提供了查看详细产品信息的链接。
阅读原文 >>
【产品】专为高增益放大器应用而设计的硅NPN达林顿功率晶体管裸片,直流放大系数为5-20K
Central推出的CP307V-MPSA13和CP307V-2N5308都是硅NPN达林顿功率晶体管裸片,具有相同的机械参数和运用领域。实物如图1所示,专为高增益放大器应用而设计。具有高增益、低压降以及高特征频率等特点。
阅读原文 >>
【产品】80V/500mA硅NPN通用型晶体管裸片,专为低功率输出应用和中等功率驱动电路而设计
Central推出的CP304V-MPSA06硅NPN通用型晶体管裸片的集电极基极电压最大值VCBO与集电极发射极电压最大值VCEO相同,均为80V。该器件具有较高的电压耐受能力。同样的,VCB=80V和VCE=60V的情况下,其反向漏电流ICBO、ICES均为100nA,单向导通性能依然保持优秀。其集电极持续电流IC最大值可达500mA,适用于驱动中等功率的电路。
阅读原文 >>