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PROCESS CP714V Small Signal Transistor PNP - High Current Transistor Chip
发布时间: 2019-04-12
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Central Semiconductor(中央半导体)
型号:
CP714V; CBCP69; CBCX69; CZT751; MPS750; MPS751; CP714V-CBCP69; CP714V-CBCX69; CP714V-CZT751; CP714V-MPS750; CP714V-MPS751
本产品数据手册详细介绍了CP714V小信号晶体管芯片,这是一款具备高电流处理能力的PNP型晶体管芯片。资料重点阐述了该芯片的制造工艺细节与物理结构参数,明确指出其采用外延平面工艺制造,并提供了精确的物理尺寸规格,包括晶圆尺寸为40 x 40 MILS,厚度为7.0 MILS。在电气连接设计方面,手册详细列出了基极键合垫面积(7.9 x 8.7 MILS)与发射极键合垫面积(9.0 x 14 MILS),并明确了上表面采用30,000Å厚度的铝金属化,下表面则采用18,000Å厚度的金金属化处理。这些核心特性为器件的典型电学性能及封装应用提供了关键的技术参考。基于该芯片方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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Central Semiconductor官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor(美国中央半导体公司)——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司,简称Central)是世界顶级分立半导体制作商,公司总部位于美国纽约,成立于1974年,迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证,生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求,力求为客户提供高品质高可靠性产品;与顶级OEM 设计师合作,提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
订货型号 CBCP69 TR PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CBCP69 品类 SURFACE MOUNT SILICON COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL TRANSISTORS
描述/说明 Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Current 封装/外壳/尺寸 SOT-223 (TO-261AA)
最小包装量 1,000 包装形式 -
生命周期 已停产(EOL) 停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 0.041666666666666664 电压 集射极击穿(最大值) 20 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 100mA,1A 电流 集电极截止(最大值) 10µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 85 @ 500mA,1V 功率 最大值 2 W
频率 跃迁 65MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥3.6320
库存:
210
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订货型号 CBCX69 TR PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CBCX69 品类 General Purpose Transistors
描述/说明 Surface mount PNP High Current General Purpose Transistors 封装/外壳/尺寸 SOT-89
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 已停产(EOL) 停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 0.041666666666666664 电压 集射极击穿(最大值) 20 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 100mA,1A 电流 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 85 @ 500mA,1V 功率 最大值 1.2 W
频率 跃迁 65MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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订货型号 CZT751 TR TIN/LEAD 品牌 Central Semiconductor
型号系列 CZT751 品类 双极结型晶体管
描述/说明 Surface mount PNP General Purpose Amplifier/Switch General Purpose Transistors 封装/外壳/尺寸 SOT-223
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 已停产(EOL) 停产时间
最大直流电集电极电流 2 A 集电极—发射极最大电压 VCEO 60 V
集电极—基极电压 VCBO 80 V 发射极 - 基极电压 VEBO 5 V
集电极—射极饱和电压 500 mV Pd-功率耗散 2 W
增益带宽产品fT 75 MHz 最小工作温度 - 65 ℃
最大工作温度 + 150 ℃
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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订货型号 MPS750 PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 MPS750 品类 双极结型晶体管
描述/说明 Through-Hole PNP General Purpose Amplifier/Switch General Purpose Transistors 封装/外壳/尺寸 TO-92
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
最大直流电集电极电流 2 A 集电极—发射极最大电压 VCEO 40 V
集电极—基极电压 VCBO 60 V 发射极 - 基极电压 VEBO 5 V
集电极—射极饱和电压 500 mV Pd-功率耗散 625 mW
增益带宽产品fT 75 MHz 最小工作温度 - 65 ℃
最大工作温度 + 150 ℃
授权代理商:
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库存:
0
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订货型号 MPS751 APP PBFREE 品牌 Central Semiconductor
型号系列 MPS751 品类 DISCRETE
描述/说明 DISCRETE 封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
授权代理商:
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库存:
0
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技术支持/研发服务
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资料平台
数据手册 - 英文
PROCESS CP714V Small Signal Transistor PNP - High Current Transistor Chip
7-November 2010
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数据手册 - 英文
PROCESS CP714V Small Signal Transistor PNP - High Current Transistor Chip
17-November 2010
下载
数据手册 - 英文
PROCESS CP714V Small Signal Transistor PNP - High Current Transistor Chip
17-November 2010
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数据手册 - 英文
PROCESS CP714V Small Signal Transistor PNP - High Current Transistor Chip
17-November 2010
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数据手册 - 英文
PROCESS CP714V Small Signal Transistor PNP - High Current Transistor Chip
R0
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数据手册 - 英文
PROCESS CP714V Small Signal Transistor PNP - High Current Transistor Chip
R0
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数据手册 - 英文
PROCESS CP714V Small Signal Transistor PNP - High Current Transistor Chip
R0
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测试报告 - 英文
Central Semiconductor(中央半导体) SOT-89 材质分析表
2014年01月23日
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产品变更通知及停产信息 - 英文
CBCP69/CEN1220/CZT3019组装过程中使用的芯片贴装方法正在从共晶转变为软焊(PCN#207)
R0
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测试报告 - 英文
工艺CP314小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
R3
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封装信息/封装结构图 - 英文
工艺CP314小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
R3
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数据手册 - 英文
MPS650 MPS651 NPN MPS750 MPS751 PNP互补硅晶体管
R1
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数据手册 - 英文
MPS650 MPS651 NPN MPS750 MPS751 PNP互补硅晶体管
2-December 2014
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数据手册 - 英文
MPS650 MPS651 NPN MPS750 MPS751 PNP互补硅晶体管
R1
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测试报告 - 英文
Central Semiconductor(中央半导体) SOT-223 材质分析表
2014年09月04日
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产品变更通知及停产信息 - 英文
所有采用SOT-89封装制造的器件产品停产通知(PDN01274)
REV 003
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数据手册 - 英文
工艺CP712功率晶体管PNP-Amp/开关晶体管芯片
R1
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数据手册 - 英文
工艺CP712功率晶体管PNP-Amp/开关晶体管芯片
R1
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测试报告 - 英文
工艺CP712功率晶体管PNP-Amp/开关晶体管芯片
R1
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产品变更通知及停产信息 - 英文
CP710V晶圆制程产品/制程变更通知(235)
R0
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Central Semiconductor(中央半导体) CP710-CMPTA96-CT小信号晶体管停产通知(PDN01080)
2018年4月19日
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数据手册 - 英文
加工CP714V小信号晶体管PNP大电流晶体管芯片
17-November 2010
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数据手册 - 英文
工艺CP314V小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
22-March 2010
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测试报告 - 英文
工艺CP314V小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
R1
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品寿命终止通知PDN01004
REV 002
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产品变更通知及停产信息 - 英文
所有采用SOT-223封装制造的器件产品停产通知(PDN01275)
REV 003
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产品变更通知及停产信息 - 英文
减少源产品支持EOL
11 November 2019
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数据手册 - 英文
MPS650 MPS651 NPN MPS750 MPS751 PNP COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
2-December 2014
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数据手册 - 英文
MPS650 MPS651 NPN MPS750 MPS751 PNP COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
2-December 2014
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数据手册 - 英文
MPS650 MPS651 NPN MPS750 MPS751 PNP COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
2-December 2014
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数据手册 - 英文
MPS650 MPS651 NPN MPS750 MPS751 PNP COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
R1
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数据手册 - 英文
TO-92 CASE MPS650 MPS651 NPN MPS750 MPS751 PNP COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTOR
R1
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技术论坛
推荐一款替换安森美BCP69,高直流增益三极管?
查看官方回答 >>
安森美的三极管bcp69t1g货期太长有没有国产替代方案?
查看官方回答 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
MPS650 MPS651 NPN MPS750 MPS751 PNP互补硅晶体管
该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的MPS650、MPS750系列互补硅晶体管。这些晶体管适用于通用放大器和开关应用,具有高增益和高集电极电流的特点。资料详细列出了这些晶体管的电气特性和最大额定值,包括集电极-基极电压、集电极-发射极电压、连续集电极电流、功耗等。此外,还提供了晶体管的机械尺寸图、典型电气特性曲线以及产品支持和服务信息。
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【产品】环氧树脂表面贴装封装PNP硅晶体管CZT751,热阻为62.5 °C/W
Central公司推出的一款PNP硅晶体管——CZT751,采用外延平面工艺制造,环氧树脂表面贴装封装,高电流,功率损耗为2.0W,同时,工作和存储结温范围均为-65°C~+150°C,在恶劣的环境条件下也可正常工作,专为高电流应用而设计
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小信号晶体管TO-92外壳(续)
本资料详细介绍了多种TO-92封装的小信号晶体管,包括其型号、描述、引脚代码、关键电气参数如VCBO、VCEO、VEBO、ICBO、hFE等。资料还提供了晶体管的最高和最低工作参数,如VCE(SAT)、Cob、fT、NF、toff等。此外,资料还介绍了产品的供应管理、设计支持服务、产品定制选项以及如何请求产品镀层。最后,提供了公司的联系信息和网站链接。
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