PROCESS CP763V Power Transistor PNP - High Current Transistor Chip
发布时间：
2019-04-12
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CP763V; CZT955; CP763V-CZT955
本数据手册详细介绍了型号为CP763V的高电流PNP型功率晶体管芯片。该芯片采用特定工艺制造，提供了详尽的物理尺寸与金属化层规格。资料显示，其晶圆直径为5英寸，单晶片数量可达7140片，结型为CZT955 R0。在结构设计方面，基极焊盘面积为7.9 x 7.9 MILS，发射极焊盘面积为9.1 x 18.1 MILS。此外，该芯片的上表面金属化采用铝材料，厚度为30,000Å，下表面金属化则由Ti/Ni/Ag层构成，厚度分别为2,000Å、3,000Å和20,000Å。资料还包含了该器件的典型电学特性数据，为工程师进行电路设计与选型提供了关键参考依据。基于该芯片方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | CZT955 TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CZT955 | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 0.16666666666666666 | 电压 集射极击穿（最大值） | 140 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 360mV @ 300mA，3A | 电流 集电极截止（最大值） | 20nA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1A，5V | 功率 最大值 | 3 W |
| 频率 跃迁 | 200MHz | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.5255
库存：
200
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP763V Power TransistorPNP - High Current Transistor Chip
2-August 2012
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP763V Power Transistor PNP - High Current Transistor Chip
2-August 2012
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PROCESS CP763V Power Transistor PNP - High Current Transistor Chip
2-August 2012
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP763V Power Transistor PNP - High Current Transistor Chip
2-August 2012
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP763V Power Transistor PNP - High Current Transistor Chip
R0
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP763V Power Transistor PNP - High Current Transistor Chip
R0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
所有采用SOT-223封装制造的器件产品停产通知（PDN01275）
REV 003
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| 技术文档 - 英文 |
表面贴装硅大电流PNP晶体管
R4 (10-May 2019)
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| 数据手册 - 英文 |
工艺CP763V功率晶体管PNP大电流晶体管芯片
2-August 2012
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| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CP763V-CZT955数据手册
2016年07月01日
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| 数据手册 - 英文 |
CP763V-CZT955 PNP - High Current Transistor Die4.0 Amp, 140 Vol
29-October 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CP763V-CZT955 PNP - High Current Transistor Die4.0 Amp, 140 Volt
29-October 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CP763V-CZT955 PNP - High Current Transistor Die 4.0 Amp, 140 Volt
29-October 2015
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| 数据手册 - 英文 |
SOT-223 CASE CZT955 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CZT955表面贴装硅大电流PNP晶体管
11-December 2017
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| 数据手册 - 英文 |
CZT955 SURFACE MOUNT SILICONHIGH CURRENTPNP TRANSISTOR
11-December 2017
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| 数据手册 - 英文 |
CZT955 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
11-December 2017
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| 数据手册 - 英文 |
CZT955 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
11-December 2017
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| 数据手册 - 英文 |
CZT955 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
11-December 2017
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| 数据手册 - 英文 |
CZT955 SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT PNP TRANSISTOR
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CZT955表面贴装硅大电流PNP晶体管SOT-223外壳
11-June 2013
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| 数据手册 - 英文 |
工艺CP517功率晶体管PNP-Darlington芯片
22-March 2010
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP517功率晶体管PNP-Darlington芯片
R4
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP283功率晶体管NPN-功率晶体管芯片
R1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
BU806功率晶体管产品停产通知（PDN01226）
4/21/22
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
工艺CP311功率晶体管NPN高压晶体管芯片
R3
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| 数据手册 - 英文 |
工艺CP712功率晶体管PNP-Amp/开关晶体管芯片
R1
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| 数据手册 - 英文 |
工艺CP712功率晶体管PNP-Amp/开关晶体管芯片
R1
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP712功率晶体管PNP-Amp/开关晶体管芯片
R1
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP287功率晶体管NPN-8安培功率晶体管芯片
R1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
2N6421功率晶体管产品停产通知（PDN01244）
REV 002
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
工艺CP289功率晶体管NPN-8安培高压晶体管芯片
R1
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| 数据手册 - 英文 |
工艺CP147功率晶体管NPN-Darlington芯片
22-March 2010
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP147功率晶体管NPN-Darlington芯片
R6
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP245功率晶体管NPN-8安培功率晶体管芯片
R1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
MJ6503功率晶体管停产通知（PDN01219）
REV 002
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| 技术文档 - 英文 |
功率晶体管TO-3外壳
6-December 2004
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| 数据手册 - 英文 |
工艺CP309功率晶体管NPN低饱和晶体管芯片
R5
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP547功率晶体管PNP-Darlington芯片
R5
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
2N5428功率晶体管产品停产通知（PDN01225）
4/21/22
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
达林顿晶体管
该资料提供了一系列达林顿晶体管的详细规格，包括最大集电极-发射极电压、最大集电极电流、饱和电压、最小电流增益、芯片尺寸、芯片厚度、顶部和底部金属化层厚度等参数。资料中列出了多种型号的达林顿晶体管，涵盖了不同的电压和电流规格，适用于不同的应用场景。
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达林顿晶体管
该资料提供了一系列达林顿晶体管的详细规格，包括最大集电极电压、最大集电极电流、饱和电压、最小电流增益、芯片尺寸、芯片厚度、顶层和底层金属化层厚度等信息。资料中列出了不同型号的晶体管，并提供了查看详细产品信息的链接。
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按工艺类型排序的每片总模具数
该资料详细列出了不同工艺类型和晶圆尺寸下的裸晶片（Gross Die）数量。内容涵盖了多种工艺过程（如CPD04、CPD06、CPD102X等），不同晶圆尺寸（4英寸、5英寸、6英寸等），以及每个工艺和尺寸组合下的裸晶片数量。资料旨在为读者提供关于裸晶片产量的详细信息，以便于行业内部参考和比较。
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【方案】更高速率的色选机吹气阀控制板优选器件方案
色选机吹气阀控制板传统采用光耦作为高速数据隔离器件，传输速率低、传输延迟时间长，会导致色选机系统响应速度慢，使得效率降低。本方案采用更快的高速数据隔离芯片以及高速存储器，及其它相关器件，更好地提高了控制精度，提升了系统响应速度及效率，使得色选颗粒的品质一致性好，带出比小。
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【产品】180V/4A表面贴装硅高电流PNP晶体管CZT955，额定功率损耗为3W，可作为高压和高电流放大器使用
Central Semiconductor公司推出了一款表面贴装硅高电流PNP晶体管CZT955，其漏源电压为180V，额定漏极电流为4A，峰值漏极电流最大为10A，可见其额定电流很大，属于高电流晶体管系列，可作为高压和高电流放大器使用。另外表面贴装硅高电流PNP晶体管CZT955的额定功率损耗为3W，低的功耗可减少发热量，降低热故障率。
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【产品】200MHz高压大电流硅PNP晶体管CP763V-CZT955，助力高频大功率应用
CENTRAL公司推出的CP763V-CZT955系列芯片是为高电压和高电流应用而设计的一种硅PNP晶体管。适用于高可靠性系统的设计。
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功率晶体管功率晶体管TO-3外壳
本资料详细列出了多种TO-3封装的功率晶体管的技术参数，包括最大集电极电流、最大功耗、最小击穿电压、最小放大系数、饱和电压、截止频率等关键性能指标。资料中涵盖了不同型号的晶体管，包括NPN和PNP类型，并标注了达林顿配置。
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功率晶体管TO-237外壳
本资料详细列出了多种型号的功率晶体管，包括NPN和PNP类型，涵盖了最大功耗、最大集电极-基极电压、最小集电极-发射极饱和电压、电流增益、特征频率等关键参数。资料中还包括了不同型号的晶体管的具体数值，以及Darlington配置的阴影区域说明。
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