CMPDM303NH SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

发布时间： 2019-04-12

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

Central Semiconductor（中央半导体）

型号：

CMPDM303NH; 2N2222A TIN/LEAD; 2N2222A PBFREE; CMPDM202PH BK; CMPDM202PH TR; CMPDM203NH BK; CMPDM203NH TR; CMPDM302PH BK; CMPDM302PH TR; CMPDM303NH BK; CMPDM303NH TR

本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司推出的CMPDM303NH型高电流N通道增强模式硅MOSFET。该器件专为高速脉冲放大器和驱动器应用设计，具备低导通电阻、高电流处理能力、低阈值电压及低漏电流等显著特性。具体而言，其最大导通电阻仅为0.078Ω（VGS=2.5V时），连续漏极电流（ID）可达3.6A，且支持逻辑电平兼容，非常适合用于负载开关、电源转换电路以及电池供电的便携式设备。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司

世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。

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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商

Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。

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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店

订货型号	2N2222A PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	2N2222A	品类	Transistors
描述/说明	Transistors	封装/外壳/尺寸	TO-18
最小包装量	3,000	包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
电流集电极 (Ic)（最大值）	800 mA	电压集射极击穿（最大值）	40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	1V @ 50mA，500mA	电流集电极截止（最大值）	10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	100 @ 150mA，10V	功率最大值	500 mW
频率跃迁	300MHz

授权代理商：

世强先进（深圳）科技股份有限公司

商品标签：

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价格：

￥9.1530

库存：

30

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订货型号	2N2222A TIN/LEAD	品牌	Central Semiconductor
型号系列	2N2222A	品类	双极结型晶体管
描述/说明	DISCRETE	封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000	包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
最大直流电集电极电流	100 mA	集电极—发射极最大电压 VCEO	40 V
集电极—基极电压 VCBO	75 V	发射极 - 基极电压 VEBO	6 V
集电极—射极饱和电压	300 mV	Pd-功率耗散	500 mW
增益带宽产品fT	300 MHz	最小工作温度	- 65 ℃
最大工作温度	+ 200 ℃

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价格：

库存：

0

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订货型号	CMPDM302PH BK PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CMPDM302PH	品类	Diodes
描述/说明	将于2018八月停产大包装Surface mount MOSFET P-Channel Enhancement Mode High Current	封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,500	包装形式	-
生命周期	零件报废(OBS)	停产时间

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0

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订货型号	CMPDM302PH TR PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CMPDM302PH	品类	Surface mount MOSFET
描述/说明	Surface mount MOSFET P-Channel Enhancement Mode High Current	封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000	包装形式	-
生命周期	已停产(EOL)	停产时间

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订货型号	CMHZ4690 TR PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CMHZ4690	品类	稳压二极管
描述/说明	Surface mount Diode-Zener Single: Low Level	封装/外壳/尺寸	SOD-123
最小包装量	3,000	包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
Pd-功率耗散	275 mW	电压容差	1.05
Ir - 最大反向漏电流	10 uA	Zz - 齐纳阻抗	45 Ohms
最小工作温度	- 65 ℃	最大工作温度	+ 150 ℃

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￥0.2009

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16,500

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订货型号	CMR1-10M TR13 PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CMR1-10M	品类	整流器
描述/说明	Surface mount Rectifier-General Purpose Single	封装/外壳/尺寸	SMA
最小包装量	5,000	包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
电压 DC 反向 (Vr)（最大值）	1000 V	电流平均整流 (Io)	1A
不同 If 时电压正向 (Vf)	1.1 V @ 1 A	速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流反向泄漏	5 µA @ 1000 V	不同 Vr、F 时电容	8pF @ 4V，1MHz

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价格：

￥0.3305

库存：

11,375

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订货型号	CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CBRHDSH1-40L	品类	桥式整流器
描述/说明	Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky	封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000	包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
电压 - 峰值反向（最大值）	40 V	电流 - 平均整流 (Io)	1.2 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	440 mV @ 1 A	不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	50 µA @ 40 V

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￥2.7332

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8,810

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订货型号	CTLSH01-30L TR PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CTLSH01-30L	品类	整流器
描述/说明	Diode-Schottky (<1A)	封装/外壳/尺寸	TLM2D3D6
最小包装量	8,000	包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
电压 DC 反向 (Vr)（最大值）	30 V	电流平均整流 (Io)	100mA
不同 If 时电压正向 (Vf)	370 mV @ 10 mA	速度	小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr 时电流反向泄漏	7 µA @ 10 V	不同 Vr、F 时电容	7pF @ 0V，1MHz

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￥1.0170

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8,200

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订货型号	CMNT3904E TR PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CMNT3904E	品类	Transistors
描述/说明	Transistors	封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000	包装形式	-
生命周期	已停产(EOL)	停产时间
电流集电极 (Ic)（最大值）	200 mA	电压集射极击穿（最大值）	40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	200mV @ 5mA，50mA	不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	100 @ 10mA，1V
功率最大值	250 mW	频率跃迁	300MHz

授权代理商：

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价格：

￥1.0679

库存：

8,200

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订货型号	CET3904E TR PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CET3904E	品类	Transistors
描述/说明	Transistors	封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000	包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
电流集电极 (Ic)（最大值）	200 mA	电压集射极击穿（最大值）	40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	200mV @ 5mA，50mA	不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	100 @ 10mA，1V
功率最大值	250 mW	频率跃迁	300MHz

授权代理商：

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商品标签：

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价格：

￥1.0424

库存：

8,200

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数据手册 - 英文	CMAD6263 SURFACE MOUNT SILICON HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE R2	下载
数据手册 - 英文	CXT7090L SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTOR R3	下载
数据手册 - 英文	CXT591E SURFACE MOUNT SILICON PNP TRANSISTOR R2	下载
数据手册 - 英文	CMPF4416A SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL JFET R6	下载

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求推荐MOS管：有PMOS管 1-3安培的吗？

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应用/方案

分立半导体样品盒介质功率MOSFET

Central Semiconductor提供的离散半导体样品套件，包含适用于高速脉冲放大器、驱动电路和电源管理应用的MOSFET器件。套件中包含多种型号的P沟道和N沟道MOSFET，涵盖不同的电压和电流规格，以及不同的封装类型。样品套件中的器件适用于不同的应用场景，并附有详细的技术数据表。

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【应用】低导通内阻MOS管 CMPDM203NH和CMPDM202PH在定位产品电池电压采集控制电路中的应用

笔者有参与一款定位产品的开发，产品采用3.6V的锂亞电池ER18505加超级电容SPC电池组进行供电，产品设计中为了让用户实时了解产品电池电量剩余情况，采用Central Semiconductor（中央半导体）的NMOS管CMPDM203NH和PMOS管CMPDM202PH设计电池电压采集控制电路。CMPDM203NH和CMPDM202PH具有非常低的导通电阻，是能量敏感型应用的理想选择。

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特色产品CTLSH01-30

该资料介绍了多种元器件产品，包括30V, 100mA肖特基二极管、20V, 3.2A N沟道MOSFET、20V, 2.3A P沟道MOSFET、30V, 100mA低正向电压肖特基二极管、10A, 100V共阴极肖特基整流器等，详细描述了其特性、优点、应用领域和尺寸等信息。

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【应用】智能仪表上显示驱动器中核心分立元器件推荐

美国中央半导体公司（简称Central）可以生产制造出确保智能仪表高效、可靠运行至关重要的的分立器件，Central的分立半导体元件可用于智能仪表拓扑的所有功能中。其中，智能仪表拓扑方案显示驱动模块用到MOSFET、小信号晶体管、肖特基二极管等分立器件，Central全部支持，并且详细列出了对应的器件型号列表，方便用户设计。

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