CBR4M-L010M GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON BRIDGE RECTIFIER 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLTS
发布时间：
2019-04-12
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CBR4M-L010M; CBR4M-L020M; CBR4M-L040M; CBR4M-L060M; CBR4M-L080M; CBR4M-L100M; CBR6M-L010M; CBR6M-L020M; CBR6M-L040M; CBR6M-L060M; CBR6M-L080M; CBR6M-L100M; CBR8M-L010M; CBR8M-L020M; CBR8M-L040M; CBR8M-L060M; CBR8M-L080M; CBR8M-L100M; 2N2222A TIN/LEAD; 2N2222A PBFREE
本产品变更通知详细阐述了Central Semiconductor Corp.旗下CBR4M-L010M系列玻璃钝化结硅桥式整流器的停产（EOL）事宜，该系列器件涵盖4.0安培、100至1000伏电压规格，采用CASE DMM封装。资料重点说明了该产品的生命周期状态变更，并提供了关于特定镀层产品的订购指引及公司后续的产品设计与供应链支持服务信息，旨在协助用户做好库存调整及替代选型规划。Central Semiconductor在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该停产通知，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台支持相关型号的单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并保持库存充足以应对过渡期需求。同时，平台专职FAE团队将提供从选型替代、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | 2N2222A PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | 2N2222A |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-18 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 800 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1V @ 50mA，500mA |
| 电流 集电极截止（最大值） | 10nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V |
| 功率 最大值 | 500 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥9.1530
库存：
30
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| 订货型号 | 2N2222A TIN/LEAD |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | 2N2222A |
| 品类 | 双极结型晶体管 |
| 描述/说明 | DISCRETE |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 最大直流电集电极电流 | 100 mA |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压 VCBO | 75 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 6 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 300 mV |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 200 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CMHZ4690 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMHZ4690 |
| 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Surface mount Diode-Zener Single: Low Level |
| 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Pd-功率耗散 | 275 mW |
| 电压容差 | 1.05 |
| Ir - 最大反向漏电流 | 10 uA |
| Zz - 齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2009
库存：
16,500
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| 订货型号 | CMR1-10M TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMR1-10M |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-General Purpose Single |
| 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 1.1 V @ 1 A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3305
库存：
11,375
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| 订货型号 | CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CBRHDSH1-40L |
| 品类 | 桥式整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 - 峰值反向（最大值） | 40 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1.2 A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 440 mV @ 1 A |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 40 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.7332
库存：
8,810
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| 订货型号 | CTLSH01-30L TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CTLSH01-30L |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Diode-Schottky (<1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | TLM2D3D6 |
| 最小包装量 | 8,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 30 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 100mA |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 370 mV @ 10 mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 7 µA @ 10 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 7pF @ 0V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0170
库存：
8,200
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| 订货型号 | CMNT3904E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMNT3904E |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0679
库存：
8,200
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| 订货型号 | CET3904E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CET3904E |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0424
库存：
8,200
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| 订货型号 | CMPT3820 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPT3820 |
| 品类 | Transistor |
| 描述/说明 | Transistor-Small Signal (<=1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 0.041666666666666664 |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 280mV @ 100mA，1A |
| 电流 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V |
| 功率 最大值 | 350 mW |
| 频率 跃迁 | 150MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.4513
库存：
6,415
世强硬创平台提供CMPT3820 TR PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货6,415，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CMPT3820 TR PBFREE 在线购买 >>
世强硬创平台提供CMPT3820 TR PBFREE样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
CMPT3820 TR PBFREE 样品申请 >>
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CMPT3820 TR PBFREE 批量询价 >>
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CMPT3820 TR PBFREE 交期查询 >>
世强硬创平台提供CMPT3820 TR PBFREE期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMDFSHC3-100 |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Rectifier-Schottky (>=1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | SMC |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 100 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 3A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 850 mV @ 3 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 500 µA @ 100 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0628
库存：
6,000
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货6,000，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 在线购买 >>
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CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 样品申请 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
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CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 交期查询 >>
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CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 期货订购 >>
技术支持/研发服务
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010M系列玻璃钝化结硅整流桥4.0安培，100至1000伏特外壳数字万用表
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010M系列玻璃钝化结硅整流桥4.0安培，100至1000伏特外壳数字万用表
R1
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| 测试报告 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CASE DM 材质分析表
2011年06月03日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品寿命终止通知PDN01009
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010M系列玻璃钝化JICTION硅桥整流器4.0安培，100至1000伏特外壳DMM
R1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CBR4M-L040桥式整流器产品停产通知（PDN01232）
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010M系列玻璃钝化结硅桥式整流器4.0安培，100至1000伏
R1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CBR4MF-L010快速恢复桥式整流器停产通知（PDN01090）
REV.002
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010M SERIES GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON BRIDGE RECTIFIER 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLTS
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010M SERIES GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON BRIDGE RECTIFIER 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLTS
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010M SERIES GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON BRIDGE RECTIFIER 4.0 AMP ,100 THRU 1000 VOLTS
18- April 2002
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010M SERIES GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON BRIDGE RECTIFIER 4.0 AMP,100THRU 1000VOLTS
18- April 2002
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010 SERIES SILICON BRIDGE RECTIFIERS 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
11-October 2013
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010 SERIES SILICON BRIDGE RECTIFIERS 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
11-October 2013
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010 SERIES SILICON BRIDGE RECTIFIERS 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010系列硅桥式整流器4.0安培，100至1000伏
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010系列硅桥式整流器4.0安培，100至1000伏
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010系列硅桥式整流器4.0安培，100至1000伏
R4
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| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CBR4M-L010 数据手册
2016年10月11日
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| 数据手册 - 英文 |
CBR6M-L010系列硅桥式整流器6.0安培，100至1000伏
R1
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| 数据手册 - 英文 |
CBR6M-L010系列硅桥式整流器6.0安培，100至1000伏
11-October 2013
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| 数据手册 - 英文 |
CBR6M-L010系列硅桥式整流器6.0安培，100至1000伏
R1
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| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CBR6M-L010 数据手册
2016年11月18日
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| 数据手册 - 英文 |
CBR6M-L010 SERIES SILICON BRIDGE RECTIFIERS 6.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
11-October 2013
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| 数据手册 - 英文 |
CBR6M-L010 SERIES SILICON BRIDGE RECTIFIERS 6.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
11-October 2013
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| 数据手册 - 英文 |
CBR6M-L010 SERIES SILICON BRIDGE RECTIFIERS 6.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
11-October 2013
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| 数据手册 - 英文 |
CBR6M-L010 SERIES SILICON BRIDGE RECTIFIERS 6.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
11-October 2013
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| 数据手册 - 英文 |
CASE DM CBR4M-L010 SERIES SILICON BRIDGE RECTIFIERS 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CASE DM CBR6M-L010 SERIES SILICON BRIDGE RECTIFIERS 6.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
R1
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| 数据手册 - 英文 |
桥式整流器，快速恢复
6-December 2004
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| 测试报告 - 英文 |
试验报告
Feb 05, 2026
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| 测试报告 - 英文 |
试验报告
2026/03/18
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| 数据手册 - 英文 |
CCSPG1510N表面贴装氮化镓N沟道功率FET 100 Amp，150 V
R4 (13-January 2026)
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CMHZ5242B Zener二极管产品生命周期结束（EOL）
2026/02/02
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| 技术文档 - 英文 |
SOD-323外壳CMDZ1L8至CMDZ47L表面贴装硅低电平齐纳二极管250mW，1.8至47伏±5%公差
PDN01277 Rev:001
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| 测试报告 - 英文 |
焊膏测试报告
2025/07/18
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| 测试报告 - 英文 |
测试报告编号：SHAEC25005567141 日期：2025年3月24日 第1页，共16页 客户名称：贺利氏赵苑贵金属材料有限公司 客户地址：中国山东省赵苑市安康南路9号 样品名称：铝线 型号编号：AL 批次号：9018420450
2025年3月24日
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| 测试报告 - 中文 |
测试报告 Test Report
2024年8月29日
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| 测试报告 - 英文 |
测试报告编号 F690101/LF-CTSAYGA25-00608
2025.01.24
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技术论坛
请问CBRLD1系列是Central半导体公司的贴片整流桥，有没有1000v5A或者8A的？我司有这方面的需求？
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应用/方案
高强度气体放电灯应用简介
本文档介绍了高亮度放电（HID）灯的相关技术和元件。主要内容包括HID灯的拓扑结构、输入整流、浪涌保护和功率因数校正等关键系统功能。文档详细介绍了多种离散元件，如桥式整流器、瞬态电压抑制器、快速整流器和MOSFET等，旨在提高HID灯系统的效率、性能和可靠性。此外，文档还提供了样品订购和进一步信息查询的联系方式。
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电子式电能表（智能表）应用简介
本资料介绍了智能电表（电子能源计量器）的拓扑结构及其关键元器件。内容涵盖电压/电流感应与测量、显示驱动、控制电路、电源和I/O接口等部分，详细列出了Central Semiconductor公司生产的适用于这些功能的离散半导体产品，包括桥式整流器、稳压二极管、双向瞬态电压抑制器、小信号二极管、MOSFET、限流二极管、小信号晶体管等。资料还提供了产品型号、参数和应用信息，旨在帮助用户了解和选择合适的元器件。
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不间断电源（UPS）应用简介
本文介绍了不间断电源（UPS）的设计要点，包括高效能量存储和转换的半导体组件选择。文中详细介绍了多种半导体解决方案，如瞬态电压抑制器（TVS）、桥式整流器、功率因数校正整流器、DC/DC转换器整流器、肖特基整流器、MOSFET和齐纳二极管等，旨在优化UPS的性能和效率。文章还提供了相关产品的详细信息和技术参数，以及如何获取样品和文献资料。
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无线充电器应用简介
本资料介绍了无线充电技术及其所需的元器件。主要内容包括：无线充电的工作原理，强调电磁感应场和高效MOSFETs的重要性；Central Semiconductor提供的适用于无线充电系统的元器件，包括整流器、MOSFETs和保护器件；具体列举了不同型号的元器件及其参数，如桥式整流器、MOSFETs和瞬态电压抑制器等。
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电机控制系统应用简介
本文档介绍了中央半导体公司提供的多种元器件，用于智能电机控制系统的功率管理和控制电路功能。内容包括ESD瞬态电压抑制器、MOSFET、瞬态电压抑制器（TVS）、整流器、桥式整流器、碳化硅肖特基整流器等。这些元器件旨在提高电机控制系统的能效和稳定性。
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Highly Efficient Rectifiers, MOSFETs, and Protection Devices Ideal for Wireless Charging Systems
Wireless chargers have become a popular technology to simplify charging portable electronic products. It is critical that conduction and switching losses are minimized in all semiconductor devices to achieve a high level of efficiency. Central Semiconductor‘s diverse portfolio contains highly efficient rectifiers, MOSFETs, and protection devices ideal for wireless charging systems.
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中央半导体为无线充电系统提供整流器、MOSFET和保护二极管，助力提高充电效率
无线充电器已成为一种流行的技术，它可以简化便携式电子产品的充电过程。要获得高效率，关键是所有半导体器件的传导和开关损耗要尽量小。Central Semiconductor（中央半导体）可提供适合无线充电系统的高效整流器、MOSFET和保护二极管。
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【选型】Central为HID应用推出全波桥式整流器方案
Central Semiconductor推出了性能优异的全波桥式整流器，CBRLD1-06,CBR2-D060S,CBR6M-L060,CBR8M-L060和CBR25-060P，可以将正负周期内的交流电转换为直流电，提高了工作效率，可以应用在HID灯中作整流器使用。
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【产品】硅单相全波整流桥CBR4M-L010，反向耐压高达1000V、平均正向电流4.0A
CBR4M-L010系列是CENTRAL半导体公司推出的硅单相全波桥式整流器，该系列包括6个型号：CBR4M-L010, CBR4M-L020, CBR4M-L040, CBR4M-L060, CBR4M-L080, CBR4M-L100。CENTRAL该CBR4M-L010系列硅单相全波桥式整流器具有高耐压值、高电流能力、低泄漏电流等特点。该系列器件采用直插式DM封装，散热良好，适用于全波整流。
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【方案】电机控制系统之Central Semiconductor（中央半导体）型号推荐
今天的智能电机控制系统仅在需要时向电机施加电力，不管是在数量的要求上还是在与电网的动力接近完全一致上。 为此，Central Semiconductor（中央半导体）提供了许多设备，可协助电机控制电源管理，功率因数校正（PFC）和控制电路功能。
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