CTLDM7002A-M621H SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
发布时间：
2019-04-12
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CTLDM7002A-M621H
本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司推出的CTLDM7002A-M621H硅N沟道增强型MOSFET。该器件专为高效能电子设计打造，核心优势在于具备低导通电阻、低阈值电压及低VDS(ON)等优异电气特性。在物理封装方面，产品采用了小型化、低剖面（0.4mm）的TLM™封装，并结合高效率散热设计，不仅有效节省了PCB空间，还显著提升了热管理性能。凭借这些技术特点，该MOSFET非常适用于快速开关、负载/电源开关、电源转换器电路以及逻辑电平兼容电路，特别能满足小型电池供电便携式设备对空间与能效的严苛要求。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | CMHZ4690 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMHZ4690 |
| 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Surface mount Diode-Zener Single: Low Level |
| 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Pd-功率耗散 | 275 mW |
| 电压容差 | 1.05 |
| Ir - 最大反向漏电流 | 10 uA |
| Zz - 齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2009
库存：
16,500
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| 订货型号 | CMR1-10M TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMR1-10M |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-General Purpose Single |
| 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 1.1 V @ 1 A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3305
库存：
11,375
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| 订货型号 | CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CBRHDSH1-40L |
| 品类 | 桥式整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 - 峰值反向（最大值） | 40 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1.2 A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 440 mV @ 1 A |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 40 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.7332
库存：
8,810
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| 订货型号 | CTLSH01-30L TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CTLSH01-30L |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Diode-Schottky (<1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | TLM2D3D6 |
| 最小包装量 | 8,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 30 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 100mA |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 370 mV @ 10 mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 7 µA @ 10 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 7pF @ 0V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0170
库存：
8,200
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| 订货型号 | CMNT3904E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMNT3904E |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0679
库存：
8,200
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| 订货型号 | CET3904E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CET3904E |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0424
库存：
8,200
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| 订货型号 | CMPT3820 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPT3820 |
| 品类 | Transistor |
| 描述/说明 | Transistor-Small Signal (<=1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 0.041666666666666664 |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 280mV @ 100mA，1A |
| 电流 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V |
| 功率 最大值 | 350 mW |
| 频率 跃迁 | 150MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.4513
库存：
6,415
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| 订货型号 | CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMDFSHC3-100 |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Rectifier-Schottky (>=1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | SMC |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 100 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 3A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 850 mV @ 3 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 500 µA @ 100 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0628
库存：
6,000
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货6,000，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 样品申请 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 批量询价 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 交期查询 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 期货订购 >>
| 订货型号 | CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMDFSHC5-100 |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Rectifier-Schottky (>=1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | SMC |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 100 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 5A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 850 mV @ 5 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 500 µA @ 100 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.2217
库存：
6,000
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货6,000，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 在线购买 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 样品申请 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 批量询价 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 交期查询 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 期货订购 >>
| 订货型号 | CMPT491E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPT491E |
| 品类 | Surface mount Transistor |
| 描述/说明 | Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 0.041666666666666664 |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 100mA，1A |
| 电流 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V |
| 功率 最大值 | 350 mW |
| 频率 跃迁 | 150MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5403
库存：
6,000
世强硬创平台提供CMPT491E TR PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货6,000，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CMPT491E TR PBFREE 在线购买 >>
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CMPT491E TR PBFREE 交期查询 >>
世强硬创平台提供CMPT491E TR PBFREE期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
龙鳞专业提供PCBA/整机纳米防护镀膜定制服务！可根据客户实际应用需求定制不同膜厚、亲水疏水特性等参数。
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可定制无线位移传感器量程范围10~600mm，采用了无线传输方式，可远程自动实时检（监）测位移量值，准确度级别(级)：0.2、0.5;内置模块：无线传输模块、供电模块;传输距离L(m)：可视距离1000 (Zigbee、 LORA)。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CTLDM7002A-M621数据手册
2016年07月04日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）所有TLM621&TLM621H封装的产品停产通知（PDN01096）
REV 002
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分立半导体样品盒小信号MOSFET
2019/05/27
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分立半导体样品盒小信号MOSFET
2018/07/30
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分立半导体样品盒小信号MOSFET
2018/07/14
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分立半导体样品盒小信号MOSFET
2018/05/19
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分立半导体样品盒小信号MOSFET
2018/03/30
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分立半导体样品盒小信号MOSFET
2017/10/05
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TLM621H CASE CTLDM7002A-M621H SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R3
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TLM621H CASE CTLDM7002A-M621H SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R3
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CTLDM7002A-M621H SURFACE MOUNT SILICONN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
9-February 2015
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CTLDM7002A-M621H SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
9-February 2015
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CTLDM7002A-M621H SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
9-February 2015
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分立半导体样品盒
2018/07/23
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DMM700N-621H型表面贴装硅沟道增强
R3
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DMM700N-621H型表面贴装硅沟道增强
R3
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CTLDM7002A-M621表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R3
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CTLDM7002A-M621表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R3
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TLM621 CASE CTLDM7002A-M621 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R3
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TLM621 CASE CTLDM7002A-M621 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R3
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CTLDM7002A-M621 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
9-February 2015
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CTLDM7002A-M621 SURFACE MOUNT SILICONN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
9-February 2015
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CTLDM7002A-M621 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
9-February 2015
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CTLDM7002A-M621 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
9-February 2015
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CTLDM7002A-M621表面贴装硅沟道增强型MOSFET
R3
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CZDM1502N表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R0
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CZDM1502N表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
6-October 2015
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CZDM1502N表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R0
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CZDM1502N表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R0
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CXDM4060N表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R2
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CEDM7001VL表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
9-September 2014
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CEDM7001VL表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R2
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CEDM7001VL表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R2
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CTLDM7003-M621表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R2
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CTLDM7003-M621表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R2
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CEDM7004VL表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
21-November 2014
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CEDM7004VL表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R2
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CEDM7002AE增强型表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R2
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CEDM7002AE增强型表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
14-August 2014
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CEDM7002AE增强型表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R2
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| 技术文档 - 英文 |
CEDM7002AE增强型表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R2
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CEDM7002AE增强型表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R2
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CEDM7004VL表面贴装硅N沟道增强型MOSFET SOT-883VL外壳
21-November 2014
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
CEDM7001表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
该资料介绍了一种名为CEDM7001的表面贴装硅N沟道增强型MOSFET，由Central Semiconductor公司制造。该器件适用于高速脉冲放大器和驱动应用，具有低rDS(ON)和低阈值电压的特点。资料详细列出了其电气特性和最大额定值，并提供了不同封装类型和尺寸的选项。此外，还包括了产品支持、设计师支持/服务以及联系方式。
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CXDM4060N表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
CENTRAL SEMICONDUCTOR CXDM4060N是一款高电流硅N-Channel增强型MOSFET，适用于高速脉冲放大器和驱动应用。该MOSFET具有高电流、低rDS(ON)、低阈值电压和低漏电流的特点。主要应用包括负载/电源开关、电源转换电路和电池供电的便携式设备。产品特点包括低rDS(ON)（20mΩ TYP @ VGS=10V）、高电流（ID=6.0A）和逻辑电平兼容性。最大额定值包括漏源电压40V、栅源电压20V、连续漏极电流6.0A等。
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2N7002表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的2N7002型N沟道增强型MOSFET，该器件适用于高速脉冲放大器和驱动应用。资料详细列出了2N7002的最大额定值、电气特性、典型电气特性以及机械尺寸，并提供了产品支持、设计支持/服务、产品镀层请求和联系方式等信息。
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CEDM7004表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CEDM7004型N沟道增强型MOSFET。该器件采用N沟道DMOS工艺制造，适用于高速脉冲放大器和驱动应用。主要特点包括低rDS(on)、低阈值电压、ESD保护、低封装高度、逻辑电平兼容和小型无引线表面贴装封装。资料还提供了最大额定值、电气特性、封装类型选项、典型电气特性等信息。
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CXDM1002N表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
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CWDM3011N表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
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CMLDM7120G表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
CMLDM7120G是一款增强型N沟道MOSFET，适用于高速脉冲放大器和驱动应用。该器件具有低rDS(ON)和低阈值电压，提供高达2kV的ESD保护，最大连续漏极电流为1.0A，功率耗散为350mW。主要应用于负载/电源开关、电源转换电路和电池供电的便携式设备。
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