CMLD6263 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED HIGH VOLTAGES CHOTTKY DIODE
发布时间：
2019-04-12
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CMLD6263; CMLD2004G BK; CMLD2004G TR; CMLD4448 BK; CMLD4448 TR; CMLD6001 BK; CMLD6001 TR; CMLD6263 BK; CMLD6263 TR; CMLD6263S BK; CMLD6263S TR; CMLSH-4 BK; CMLSH-4 TR; CMLZDA3V3 BK; CMLZDA3V3 TR; CMLZDA6V2 BK; CMLZDA6V2 TR; 2N2222A TIN/LEAD; 2N2222A PBFREE
本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMLD6263型号器件，这是一款采用SOT-563表面贴装封装的高压双肖特基二极管。该二极管专为快速开关应用设计，具备70V高电压与低正向压降的优异特性，并提供了电隔离功能。在关键电气参数方面，其连续正向电流为15mA，峰值正向浪涌电流可达50mA，功耗为250mW。此外，该器件具有宽广的工作和存储结温范围（-65°C至+150°C）以及500°C/W的热阻，确保了在严苛环境下的可靠性能。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | 2N2222A PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | 2N2222A |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-18 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 800 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1V @ 50mA，500mA |
| 电流 集电极截止（最大值） | 10nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V |
| 功率 最大值 | 500 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥9.1530
库存：
30
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| 订货型号 | 2N2222A TIN/LEAD |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | 2N2222A |
| 品类 | 双极结型晶体管 |
| 描述/说明 | DISCRETE |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 最大直流电集电极电流 | 100 mA |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压 VCBO | 75 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 6 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 300 mV |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 200 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CMHZ4690 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMHZ4690 |
| 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Surface mount Diode-Zener Single: Low Level |
| 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Pd-功率耗散 | 275 mW |
| 电压容差 | 1.05 |
| Ir - 最大反向漏电流 | 10 uA |
| Zz - 齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2009
库存：
16,500
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| 订货型号 | CMR1-10M TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMR1-10M |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-General Purpose Single |
| 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 1.1 V @ 1 A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3305
库存：
11,375
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CMR1-10M TR13 PBFREE 批量询价 >>
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| 订货型号 | CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CBRHDSH1-40L |
| 品类 | 桥式整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 - 峰值反向（最大值） | 40 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1.2 A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 440 mV @ 1 A |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 40 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.7332
库存：
8,810
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CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE 在线购买 >>
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CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE 批量询价 >>
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| 订货型号 | CTLSH01-30L TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CTLSH01-30L |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Diode-Schottky (<1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | TLM2D3D6 |
| 最小包装量 | 8,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 30 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 100mA |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 370 mV @ 10 mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 7 µA @ 10 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 7pF @ 0V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0170
库存：
8,200
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| 订货型号 | CMNT3904E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMNT3904E |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0679
库存：
8,200
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| 订货型号 | CET3904E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CET3904E |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0424
库存：
8,200
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| 订货型号 | CMPT3820 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPT3820 |
| 品类 | Transistor |
| 描述/说明 | Transistor-Small Signal (<=1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 0.041666666666666664 |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 280mV @ 100mA，1A |
| 电流 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V |
| 功率 最大值 | 350 mW |
| 频率 跃迁 | 150MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.4513
库存：
6,415
世强硬创平台提供CMPT3820 TR PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货6,415，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CMPT3820 TR PBFREE 在线购买 >>
世强硬创平台提供CMPT3820 TR PBFREE样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
CMPT3820 TR PBFREE 样品申请 >>
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CMPT3820 TR PBFREE 批量询价 >>
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CMPT3820 TR PBFREE 交期查询 >>
世强硬创平台提供CMPT3820 TR PBFREE期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMDFSHC3-100 |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Rectifier-Schottky (>=1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | SMC |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 100 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 3A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 850 mV @ 3 A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 500 µA @ 100 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0628
库存：
6,000
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货6,000，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 在线购买 >>
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CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 样品申请 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 批量询价 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂确认最优交期。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 交期查询 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 期货订购 >>
技术支持/研发服务
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加工定制
可定制温度范围-230℃~1150℃、精度可达±0.1°C；支持NTC传感器、PTC传感器、数字式温度传感器、热电堆温度传感器的额定量程和输出/外形尺寸/工作温度范围等参数定制。
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配备KEYSIGHT网络分析仪，可测量无线充电系统发射机/接收机线圈的阻抗，电感L、电阻R、电感C以及品质因数Q，仿真不同充电负载阻抗下的无线充电传输效率。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
CMLD4448表面贴装硅双隔离高速开关二极管
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD4448表面贴装硅双隔离高速开关二极管
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD4448表面贴装硅双隔离高速开关二极管
R6
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| 测试报告 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） SOT-563 材质分析表
2014年01月23日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品寿命终止通知PDN01063
Rev:001
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD4448 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED HIGH SPEED SWITCHING DIODE
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD4448 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED HIGH SPEED SWITCHING DIODE
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD4448 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED HIGH SPEED SWITCHING DIODE
15-June 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD4448 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED HIGH SPEED SWITCHING DIODE
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD4448 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED HIGH SPEED SWITCHING DIODE
R6
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CPD91V开关二极管低漏开关二极管芯片
R2
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CMLD2004G TR等型号停产通知（PDN01063）
2017年02月06日
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CPD92X肖特基二极管高压肖特基二极管芯片
R1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
芯片工艺CPD102X、肖特基二极管、晶圆和裸片产品/工艺变更通知（PCN#230）
R0
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD6263 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
R7
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD6263 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
11-December 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD6263 SURFACE MOUNT SILICONDUAL, ISOLATEDHIGH VOLTAGESCHOTTKY DIODE
11-December 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD6263 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
11-December 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD6263 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
SOT-563外壳CMLD6263表面贴装硅双通道隔离高压肖特基二极管
R7
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD6001 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED ULTRA LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD6001 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED ULTRA LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD6001 SURFACE MOUNT SILICONDUAL, ISOLATEDULTRA LOW LEAKAGESWITCHING DIODE
15-June 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD6001 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED ULTRA LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE
15-June 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD6001 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED ULTRA LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE
15-June 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CMLD6001 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED ULTRA LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE
R6
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| 数据手册 - 英文 |
SOT-563外壳CMLD6001表面贴装硅双通道、隔离式超低泄漏开关二极管
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CMLSH-4表面贴装硅双隔离DSCHOTTKY二极管
Rev:001
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| 数据手册 - 英文 |
CMLSH-4 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED SCHOTTKY DIODE
R5
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| 数据手册 - 英文 |
CMLSH-4 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED SCHOTTKY DIODE
R5
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| 数据手册 - 英文 |
CMLSH-4 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED SCHOTTKY DIODE
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMLSH-4 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED SCHOTTKY DIODE
16-February 2016
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| 数据手册 - 英文 |
CMLSH-4 SURFACE MOUNT SILICON DUAL, ISOLATED SCHOTTKY DIODE
16-February 2016
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| 数据手册 - 英文 |
CMLSH-4表面贴装硅双隔离肖特基二极管
R5
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应用/方案
智能手机应用程序简介
该资料介绍了Central Semiconductor Corp.为智能手机应用提供的多种半导体解决方案，包括小信号晶体管、MOSFET、肖特基二极管、多离散模块（MDMs）组合、肖特基整流器、ESD瞬态电压抑制器、TVS/Zener阵列、高速度开关二极管、齐纳二极管等。这些产品旨在满足智能手机对小型化、高效率和长电池寿命的需求，并提供卓越的电学和热学性能。
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助听器应用简介
本文档概述了助听器设计中的关键元器件及其应用。内容包括：时序电路、用户界面、音频放大器和电源管理DC-DC转换器。提供了多种半导体产品，如高速开关二极管、瞬态电压抑制器、MOSFET、小信号晶体管等，以实现小型化、高性能和长电池寿命的助听器设计。
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血糖仪应用简介
本文档详细介绍了用于血糖仪的元器件解决方案，包括DC电源、DC-DC升压转换器、瞬态电压抑制器、齐纳二极管、MOSFET、高速开关二极管、用户界面、数据接口和定时单元等。这些元器件旨在提供高功能、高精度和长电池寿命，以支持现代血糖仪的设计。文档中提供了各种元器件的规格和应用信息，并提供了样品和文献订购的链接。
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智能手机应用简介
本文档介绍了Central半导体公司针对智能手机应用提供的各种元器件解决方案。内容包括低电压降肖特基二极管、低导通电阻MOSFET和低饱和电压晶体管等，旨在满足便携式通信设备对功能性和电池寿命的需求。文档详细列出了适用于电源管理、射频发射器、显示、数据端口、用户界面和音频等不同模块的元器件型号和规格。
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脉搏血氧仪的应用简介
本文档介绍了脉搏血氧仪的应用，以及Central Semiconductor提供的适用于脉搏血氧仪的元器件。文档详细列出了用于音频放大、I/O接口、显示驱动、2.5V/3.3V升压/降压DC-DC和电池充电等功能的元器件，包括小信号晶体管、瞬态电压抑制器、肖特基二极管、高速开关二极管、MOSFET和多种离散模块。文档还提供了样品和文献信息，以及如何订购样品的链接。
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CMUT3410以太网供电（PoE）应用简介
本文档介绍了以太网供电（PoE）技术在摄像头、手机和网络接入点等外围供电设备（PDs）中的应用。详细列出了适用于PoE应用的各类电子元件，包括小信号晶体管、桥式整流器、MOSFET、开关二极管、瞬态电压抑制器、肖特基二极管和桥式整流器等。文档还提供了这些元件的具体型号和规格，以及如何获取更多信息。
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以太网供电应用简介（Po E）
本文档介绍了以太网供电（PoE）市场的发展及其对周边供电设备（PDs）如摄像头、手机和网络接入点的影响。文档详细列出了适用于PoE供电设备的多种产品，包括小信号晶体管、桥式整流器、MOSFET、开关二极管、瞬态电压抑制器等，并提供了产品型号、规格和应用信息。此外，文档还提供了样品订购指南和联系方式。
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