CP318V-H2N5682-CM high reliability discrete semiconductor up-screening guide
发布时间：
2019-04-12
类型：
商品及供应商介绍，产品与供应商信息、器件厂商资料、供应商档案
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CP318V-H2N5682-CM; CEN1234; EX2N5682
本指南详细介绍了Central Semiconductor高可靠性离散半导体器件的升级筛选流程及相关产品特性。作为自1974年起致力于制造创新离散半导体器件的厂商，Central Semiconductor提供包括小信号晶体管、双极性功率晶体管、MOSFETs/JFETs、TVS保护器件、二极管/整流器、晶闸管及多离散模块（MDM™）在内的丰富产品线，涵盖表面贴装、通孔和裸片等多种形式，并拥有环氧树脂封装、玻璃钝化和密封封装等多样化包装。该资料重点阐述了公司对商业现货（COTS）器件进行严格筛选的能力，包括符合MIL-PRF-38534和MIL-PRF-19500标准的筛选，以及针对特定客户需求的定制筛选方案。此外，公司还提供电气参数筛选、定制晶圆扩散和金属化等定制解决方案，所有测试均严格遵循MIL-STD-750或MIL-STD-883测试方法，以确保产品的高可靠性与质量。Central Semiconductor在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | CMPFJ175 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPFJ175 |
| 品类 | 晶体管 |
| 描述/说明 | Surface mount P Channel JFETs |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Vds-漏源极击穿电压 | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 闸/源截止电压 | 30 V |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥1.3984
库存：
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| 订货型号 | 2N706A TIN/LEAD |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | 2N706A |
| 品类 | Bipolar Transistors |
| 描述/说明 | Small Signal Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-39 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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| 订货型号 | 2N1131B TIN/LEAD |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | 2N1131B |
| 品类 | Bipolar Transistors |
| 描述/说明 | Small Signal Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-39 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 |
授权代理商：
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| 订货型号 | 2N1131A TIN/LEAD |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | 2N1131A |
| 品类 | Bipolar Transistors |
| 描述/说明 | Small Signal Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-39 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 |
授权代理商：
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| 订货型号 | CDM2205-800FP TIN/LEAD |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CDM2205-800FP |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | Through-Hole N-Channel Enhancement Mode High Current MOSFETs |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220FP |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain Source Voltage | 800V |
| Gate-Source Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current | 5A |
| Power Dissipation | 48W |
| Static Drain-Source On Resistance | 2.7Ω |
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| 订货型号 | 2N7002 TR TIN/LEAD |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | 2N7002 |
| 品类 | MOSFETs |
| 描述/说明 | Surface mount MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-23;TO-236AB |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 |
授权代理商：
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| 订货型号 | CDM3-800 TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CDM3-800 |
| 品类 | 晶体管 |
| 描述/说明 | Surface mount N-Channel Enhancement Mode High Current MOSFETs |
| 封装/外壳/尺寸 | DPAK(TO-252) |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 连续漏极 (Id) | 3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.8 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | 30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 415 pF @ 25 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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库存：
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| 订货型号 | CDM22010-650 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CDM22010-650 |
| 品类 | MOSFETs |
| 描述/说明 | Through-Hole N-Channel Enhancement Mode High Current MOSFETs |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain Source Voltage | 650V |
| Gate-Source Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current | 10A |
| Power Dissipation | 2W |
| Static Drain-Source On Resistance | 1Ω |
授权代理商：
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| 订货型号 | 2N7002 TR13 TIN/LEAD |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | 2N7002 |
| 品类 | MOSFETs |
| 描述/说明 | Surface mount MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-23;TO-236AB |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 |
授权代理商：
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价格：
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| 订货型号 | CDM22010-650 TIN/LEAD |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CDM22010-650 |
| 品类 | MOSFETs |
| 描述/说明 | Through-Hole N-Channel Enhancement Mode High Current MOSFETs |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain Source Voltage | 650V |
| Gate-Source Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current | 10A |
| Power Dissipation | 2W |
| Static Drain-Source On Resistance | 1Ω |
授权代理商：
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0
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP318V Small Signal TransistorNPN - High Voltage Transistor Chip
16-September 2011
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP318V Small Signal Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip
16-September 2011
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP318V Small Signal Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip
16-September 2011
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP318V Small Signal Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip
16-September 2011
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP318V Small Signal Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip
R3
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| 测试报告 - 英文 |
加工CP318V小信号晶体管NPN-高压晶体管芯片
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CP548-2N5116 P-Channel JFET Die
17-January 2018
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| 数据手册 - 英文 |
TO-92外壳小信号晶体管
6-December 2004
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| 数据手册 - 英文 |
TO-92外壳小信号晶体管
21-March 2014
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| 测试报告 - 英文 |
加工CP353V小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
R2
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PCN#214：在案例106、DO-15、DO-201、DO-201ad和DO-41中制造的轴向引线二极管、整流器和瞬态电压抑制器（TVS）增加了额外的装配场地。
R0
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| 测试报告 - 英文 |
处理CP555小信号晶体管PNP饱和开关晶体管芯片
R4
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应用/方案
高可靠性分立半导体手册
Central Semiconductor自1974年起，致力于制造创新的离散半导体器件，产品广泛应用于全球OEM产品。公司提供表面贴装、通孔和裸片式器件，以及环氧树脂封装、玻璃钝化和密封封装等多种包装方式。产品包括小信号晶体管、二极管/整流器、双极性功率晶体管、晶闸管、MOSFETs/JFETs、多离散模块（MDM™）、EOS保护器件（TVS）和宽禁带器件。Central Semiconductor注重设计质量，使用优质材料制造，确保产品性能和可靠性。公司提供高可靠性筛选解决方案，包括裸片和封装器件的筛选。此外，还提供半定制解决方案，包括特殊晶圆扩散、互连、封装设计和客户特定测试。Central Semiconductor的测试能力包括机械冲击测试、温度循环测试、粒子冲击噪声检测、烧入测试、高温高湿测试、细漏测试、垫圈制造、封装解包、数字显微镜分析、扫描电子显微镜、高加速应力测试和共聚焦扫描显微镜等。
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Super Industrial™解决方案
SuperIndust rial™解决方案是Central Semiconductor针对标准商用或工业设备无法满足产品性能要求时提供的升级版产品。这些产品通过增强电气特性、改进连接和耐环境性，提高了产品的可靠性和对极端环境的耐受性。SuperIndust rial™设备包括晶体管、二极管、TVS、MOSFETs/JFETs、整流器和晶闸管等，提供定制或半定制封装，以满足不同应用需求。
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高可靠性分立半导体上屏蔽波导CP318V-H2N5682-CM
中央半导体公司自1974年起，致力于为全球OEM产品制造创新的离散半导体器件。产品包括小信号晶体管、二极管/整流器、双极性功率晶体管、晶闸管、MOSFETs/JFETs和多种离散模块（MDM™）。公司提供环氧树脂封装、玻璃钝化和密封封装，并维持ISO 9001-2008认证。中央半导体具备对商用现货（COTS）器件进行高可靠性筛选的能力，包括裸片、封装器件和定制器件。公司采用MIL-PRF-38534和MIL-PRF-19500标准，以及客户特定筛选。所有测试均遵循MIL-STD-750测试方法。
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按工艺类型排序的每片总模具数
该资料详细列出了不同工艺类型和晶圆尺寸下的裸晶片（Gross Die）数量。内容涵盖了多种工艺过程（如CPD04、CPD06、CPD102X等），不同晶圆尺寸（4英寸、5英寸、6英寸等），以及每个工艺和尺寸组合下的裸晶片数量。资料旨在为读者提供关于裸晶片产量的详细信息，以便于行业内部参考和比较。
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通用晶体管
该资料详细列出了多种通用晶体管的产品信息，包括中央零件编号、最小VCEO、最小IC、VCE(SAT)、hFE最小值、晶圆尺寸、晶圆厚度、顶部金属化和底部金属化等参数。资料中涵盖了不同电压和电流规格的晶体管，适用于各种电子应用。
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【应用】峰值功耗达到1500W的1.5SMC68CA双向TVS二极管在PoE系统中的应用
Central Semiconductor公司生产的1.5SMC68CA双向TVS二极管峰值反向工作电压58.1V，最大峰值功耗达到1500W，具有极快的响应速度，能有效的吸收前级传递过来的雷击浪涌残压，适合作为PoE系统PD侧电力线路的二级防雷电路。
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【产品】专为通用放大器应用而设计的硅NPN小信号晶体管BC550，存储和工作温度范围为-65~150℃
CENTRAL SEMICONDUCTOR BC550是一款硅NPN小信号晶体管，采用外延平面工艺制造，专为通用放大器应用而设计。较宽的工作温度范围可以保证其在恶劣的环境下也可以实现可靠的性能，从而能够满足工业级工作温度要求。
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【应用】TVS、肖特基全波桥式整流器、限流二极管和稳压二极管在低LED照明中应用
Central Semiconductor公司推出的多种小尺寸/低高度的分立半导体器件，不仅外形尺寸小，而且可以大幅优化新兴照明方案的能效。因此，成为低压LED照明方案非常合适的选择。
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【应用】TVS瞬变电压抑制二极管阵列CMNTVS12V在PoE分离器中的应用
Central公司生产的 TVS瞬变电压抑制二极管阵列CMNTVS12V，其最大峰值脉冲功率可达18W（8x20μs），TVS二极管反向击穿电压为11.4~12.7V，最大箝位电压为18V，动态电阻2.56Ω（典型值），漏电流仅0.5uA，对12V设备接口能提供很好的ESD防护功能。
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【应用】智能仪表上显示驱动器中核心分立元器件推荐
美国中央半导体公司（简称Central）可以生产制造出确保智能仪表高效、可靠运行至关重要的的分立器件，Central的分立半导体元件可用于智能仪表拓扑的所有功能中。其中，智能仪表拓扑方案显示驱动模块用到MOSFET、小信号晶体管、肖特基二极管等分立器件，Central全部支持，并且详细列出了对应的器件型号列表，方便用户设计。
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【产品】可快速响应的双向TVS CFTVS3V3B，保护敏感设备免受ESD损坏
Central Semiconductor公司推出的瞬态抑制二极管 CFTVS3V3B， 是一款低泄漏，快速响应的双向TVS，采用节省空间的SOD-882表面贴装封装，工作结温范围为-55℃~+125℃，存储温度为-55℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强。 主要应用于数据线保护，用户界面保护和充电/电源端口保护等领域。
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【产品】集成肖特基二极管、单NPN晶体管的模拟集成IC CMLM3405，适用于小信号应用
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商，Central推出的CMLM3405是一款集成了一个NPN晶体管和一个肖特基二极管的集成芯片，采用节省空间的SOT-563外壳封装，实物如图1所示，专为小尺寸和工作效率为主要考虑因素的小型信号通用应用而设计。
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【产品】专为通用放大器的硅PNP小信号晶体管BC559C，输出电容仅为4.5pF，
Central推出的BC559C是一款硅PNP小信号晶体管，采用外延平面工艺制造，专为通用放大器应用而设计。集电极-基极电压和集电极-发射极电压的最大额定值均为30V，发射极-基极电压的最大额定值为5.0V，集电极持续工作电流为100mA。存储和工作温度范围为-65~150℃，操作结温最高额定值为150℃，较宽的工作温度范围可以保证其在恶劣的环境下也可以实现可靠的性能，满足工业级工作温度要求。
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【经验】内置抗ESD等级4KV的TVS管小信号晶体管模块用于车载音响系统按键灯开关线路
Central推出的小信号晶体管模块CMPDM8120，它内置了一颗抗ESD等级4KV的TVS管，并具有小封装、低门阀电压、低导通阻抗等特点，漏源级之间的电压负荷为20V，特别适合用在14V系统的汽车电子产品的开关电路中， 对开关管进行防静电保护。
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【产品】NPN/PNP型表面安装硅互补小信号晶体管，1.0A高集电极电流
CENTRAL半导体公司推出了两款表面安装硅互补小信号晶体管--CBCP68（NPN）和CBCP69（PNP），他们具有低饱和压降、高电流等特点。硅互补小信号晶体管CBCP68、CBCP69通过外延平面工艺制造，并采用了SOT-223封装，专为需要高电流能力的应用而设计。
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【产品】采用SOT-89封装的小信号晶体管CBCX68,CBCX69，专为需要高电流能力的应用而设计
CENTRAL半导体公司推出了两个系列的小信号晶体管--CBCX68系列（NPN）和CBCX69系列（PNP），他们具有低饱和压降、低功耗等特点。该系列器件通过外延平面工艺制造，并采用了SOT-89封装，专为需要高电流能力的应用而设计。
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【产品】1500W/3000W双向TVS二极管实现太阳能Boost的灵活设计
Central公司推出的肖特基二极管1SMC5.0CA~1SMC170CA，3SMC5.0CA ~ ，耗散功率为1500W和3000W，电压为5-170V，可承受的脉冲电流峰值高，漏电流小，温度范围宽，推荐应用在太阳能Boost电路中
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分立半导体样品盒小信号晶体管
Central Semiconductor提供的离散半导体样品套件包含多种小信号晶体管，适用于通用开关和放大应用。套件中包括不同电压和电流规格的NPN和PNP晶体管，如CZT5551、CZTA44、CMPTA42E等，以及一些特殊规格的晶体管，如CXTA92、CZT5401E、CZT5551E等。这些晶体管具有不同的封装类型和标记代码。详细的产品信息和数据手册可在公司网站上找到。
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【产品】最大峰值功率可达35W的超小超薄型TVS，小身材大能量！
Central Semiconductor公司的瞬态抑制二极管CTLTVS6V2/CTLTVS12具有超薄封装、低漏电流、高峰值脉冲电流能力和ESD保护等优点，主要用于保护敏感设备免受ESD损坏。
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【产品】同时为四路IO提供可靠的暂态过电压和静电保护的TVS二极管阵列
Central的CTLTVS5-4为四路TVS/二极管阵列，峰值功率损耗仅为32.5W，提供可靠的暂态过电压和静电保护。
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【产品】特征频率高达900MHz，小信号晶体管射频振荡器
Central小信号晶体管系列射频振荡器适用于高频信号，共基极输出电容最大仅为1.7pF，噪声系数最大仅为6dB，具有良好的信噪比。
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整流管与肖特基在电路中的主要作用和区别
整流管（通常指标准PN结二极管）和肖特基二极管在电路中的核心作用都是整流，即将交流电转换为直流电。然而，由于它们结构不同，导致特性有显著差异，因此它们被应用在不同的场景。下面我们详细拆解它们的作用和区别。
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【技术】TVS与Zener稳压二极管的差异
本文介绍TVS与Zener稳压二极管的差异，Zener稳压二极管和瞬态抑制二极管TVS属于二极管。Zener击穿方式是齐纳击穿。TVS的击穿方式是雪崩击穿。
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【技术】一文介绍TVS二极管的工作原理、极性以及TVS与ZD的区别
TVS二极管的极性是与电路品质相关的项目，TVS和ZD在利用二极管的反向特性方面是相同的，但是由于ZD主要用于恒压应用，因此对电压稳定的低电流范围（5mA～40mA）规定了齐纳电压（VZ）。本文介绍TVS二极管的工作原理、极性以及TVS与ZD的区别。
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【技术】TVS瞬态抑制二极管指南
对于TVS瞬态抑制二极管，或许对于熟悉半导体行业的朋友来说已经不陌生了，在半导体领域被广泛的应用，但是对于其他的朋友，可能对TVS瞬态抑制二极管了解还甚少，今天带大家具体聊一聊！
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【视频】灿阳科技 12000V 高压整流管 50000W瞬间凸波管（TVS），保障汽车核心部件
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【技术】浅析TVS瞬态抑制二极管极性
TVS二极管分类方式有很多，按照极性，可分为单极性和双极性两种，也就是大家常说的单向TVS二极管和双向TVS二极管。本文就关于TVS二极管极性知识分享一些。
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【产品】同比降低50%箝位电压的TVS二极管，替代多层MLV
Littelfuse SD05系列中的产品均符合AEC-Q101标准，可安全地吸收ESD的反复震击或瞬态浪涌而不会降低性能。
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