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package options guide: surface mount & through-hole
发布时间: 2019-04-15
类型: 封装信息/封装结构图,封装图、外形尺寸图
品牌:
Central Semiconductor(中央半导体)
型号:
-
本指南详细介绍了Central Semiconductor公司提供的元器件封装选项,重点阐述了多种表面贴装封装(SMT)和通孔封装的规格与应用。资料涵盖了BR DFN、DPAK、SOT-23、SOT-223等主流封装类型,明确了各类封装的最大尺寸参数,并详细列举了其适用的二极管、晶体管及整流器等元器件范围。该指南为硬件工程师进行PCB布局设计与元器件选型提供了精准的尺寸参考,有助于优化电路板空间利用并确保装配兼容性。Central Semiconductor在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料所涉封装技术,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有效缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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Central Semiconductor官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor(美国中央半导体公司)——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司,简称Central)是世界顶级分立半导体制作商,公司总部位于美国纽约,成立于1974年,迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证,生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求,力求为客户提供高品质高可靠性产品;与顶级OEM 设计师合作,提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
订货型号 CMHZ4690 TR PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMHZ4690
品类 稳压二极管
描述/说明 Surface mount Diode-Zener Single: Low Level
封装/外壳/尺寸 SOD-123
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
Pd-功率耗散 275 mW
电压容差 1.05
Ir - 最大反向漏电流 10 uA
Zz - 齐纳阻抗 45 Ohms
最小工作温度 - 65 ℃
最大工作温度 + 150 ℃
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.2009
库存:
16,500
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订货型号 CMNT3904E TR PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMNT3904E
品类 Transistors
描述/说明 Transistors
封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 已停产(EOL)
停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 集射极击穿(最大值) 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 最大值 250 mW
频率 跃迁 300MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0679
库存:
8,200
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订货型号 CET3904E TR PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CET3904E
品类 Transistors
描述/说明 Transistors
封装/外壳/尺寸
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 集射极击穿(最大值) 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 最大值 250 mW
频率 跃迁 300MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0424
库存:
8,200
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订货型号 CMOZ1L8 TR PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMOZ1L8
品类 齐纳二极管
描述/说明 SURFACE MOUNT LOW LEVEL SILICON ZENER DIODE 1.8 VOLTS THRU 47 VOLTS 250mW, 5% TOLERANCE
封装/外壳/尺寸 SOD-523 (SC-79)
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电压 齐纳(标称值)(Vz) 1.8 V
容差 ±5%
功率 最大值 250 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 1.4 kOhms
不同 Vr 时电流 反向泄漏 25 µA @ 1 V
不同 If 时电压 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.7162
库存:
5,500
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订货型号 MPS651 PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 MPS651
品类 双极结型晶体管
描述/说明 Transistors
封装/外壳/尺寸
最小包装量 2,500
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
最大直流电集电极电流 2 A
集电极—发射极最大电压 VCEO 60 V
集电极—基极电压 VCBO 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO 5 V
集电极—射极饱和电压 500 mV
Pd-功率耗散 625 mW
增益带宽产品fT 75 MHz
最小工作温度 - 65 ℃
最大工作温度 + 150 ℃
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.9153
库存:
0
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订货型号 CMZ5938B TR13 PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMZ5938B
品类 齐纳二极管
描述/说明 Surface mount Diode-Zener Single: Power. 1.5 WATT, 3.3 THRU 200 VOLT ± 5% TOLERANCE
封装/外壳/尺寸 DO-214AC
最小包装量 5,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电压 齐纳(标称值)(Vz) 36 V
容差 ±5%
功率 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 38 Ohms
不同 Vr 时电流 反向泄漏 1 µA @ 27.4 V
不同 If 时电压 正向 (Vf) 1.5 V @ 200 mA
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.0170
库存:
4,451
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订货型号 CMMSH1-100G TR PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CMMSH1-100G
品类 SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY RECTIFIERS
描述/说明 1A,100V Surface mount Rectifier-Schottky(>=1A) Single
封装/外壳/尺寸 SOD-123F
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
VRRM 100V
IO 1A
VF 850mV@1A
VR(RMS) 70V
VR 500µA@100 V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.1899
库存:
2,930
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订货型号 CZ5347B TR PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CZ5347B
品类 齐纳二极管
描述/说明 SILICON ZENER DIODES
封装/外壳/尺寸
最小包装量 1,400
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电压 齐纳(标称值)(Vz) 10 V
容差 ±5%
功率 最大值 5 W
阻抗(最大值)(Zzt) 1 Ohms
不同 Vr 时电流 反向泄漏 5 µA @ 7.6 V
不同 If 时电压 正向 (Vf) 1.2 V @ 1 A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥4.0680
库存:
1,400
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订货型号 CZ5338B TR PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 CZ5338B
品类 齐纳二极管
描述/说明 Through-Hole-Diode-Zener
封装/外壳/尺寸
最小包装量 1,400
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电压 齐纳(标称值)(Vz) 5.1 V
容差 ±5%
功率 最大值 5 W
阻抗(最大值)(Zzt) 1.5 Ohms
不同 Vr 时电流 反向泄漏 10 µA @ 1 V
不同 If 时电压 正向 (Vf) 1.2 V @ 1 A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥4.0680
库存:
1,400
世强硬创平台提供CZ5338B TR PBFREE在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,世强仓现货1,400,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CZ5338B TR PBFREE 在线购买 >>
世强硬创平台提供CZ5338B TR PBFREE样品申请服务,支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试;样品将由原厂审核,世强协助申请,物流全程可追踪,助力加速原型开发与方案选型。
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世强硬创平台提供CZ5338B TR PBFREE批量询价服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
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订货型号 2N2907A PBFREE
品牌 Central Semiconductor
型号系列 2N2907A
品类 Transistors
描述/说明 Transistors
封装/外壳/尺寸 TO-18
最小包装量 3,000
包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE)
停产时间
电流 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 集射极击穿(最大值) 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 1.6V @ 50mA,500mA
电流 集电极截止(最大值) 10nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,10V
功率 最大值 400 mW
频率 跃迁 200MHz
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥9.1530
库存:
970
世强硬创平台提供2N2907A PBFREE在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,世强仓现货970,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
2N2907A PBFREE 在线购买 >>
世强硬创平台提供2N2907A PBFREE样品申请服务,支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试;样品将由原厂审核,世强协助申请,物流全程可追踪,助力加速原型开发与方案选型。
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世强硬创平台提供2N2907A PBFREE批量询价服务,提交产品信息、目标用量后,专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供Central Semiconductor快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
Micro-Hybrid提供NDIR气体检测模组定制,支持高温环境(最高190℃)及多气体类型,满足医疗、工业等场景高精度需求。
立即提交 NDIR气体检测模组定制 >>
Micro-Hybrid提供MEMS红外光源/探测器定制,支持封装形式、滤光片、惰性气体等参数调整,满足气体检测、火焰监测等场景需求。
立即提交 MEMS红外光源/探测器定制 >>
资料平台
数据手册 - 英文
TO-92外壳小信号晶体管
21-March 2014
下载
数据手册 - 英文
TO-92外壳小信号晶体管
6-December 2004
下载
数据手册 - 英文
处理CP555小信号晶体管PNP饱和开关晶体管芯片
R4
下载
测试报告 - 英文
处理CP555小信号晶体管PNP饱和开关晶体管芯片
R4
下载
封装信息/封装结构图 - 英文
处理CP555小信号晶体管PNP饱和开关晶体管芯片
R4
下载
产品变更通知及停产信息 - 英文
Central Semiconductor(中央半导体)2N5038 & 2N5039功率晶体管停产通知(PDN01117)
REV 002
下载
测试报告 - 英文
工艺CP314小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
R3
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封装信息/封装结构图 - 英文
工艺CP314小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
R3
下载
技术文档 - 英文
小信号晶体管TO-92外壳
6-December 2004
下载
技术文档 - 英文
小信号晶体管TO-92外壳
6-December 2004
下载
技术文档 - 英文
小信号晶体管TO-92外壳
6-December 2004
下载
测试报告 - 英文
加工CP353V小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
R2
下载
产品变更通知及停产信息 - 英文
小信号晶体管产品停产通知(PDN01269)
REV 003
下载
技术文档 - 英文
处理CP767V小信号晶体管PNP饱和开关晶体管芯片
R1
下载
封装信息/封装结构图 - 英文
处理CP767V小信号晶体管PNP饱和开关晶体管芯片
R1
下载
数据手册 - 英文
处理CP593小信号晶体管PNP-Amp/开关晶体管芯片
22-March 2010
下载
测试报告 - 英文
工艺CP235功率晶体管NPN-功率晶体管芯片
R3
下载
产品变更通知及停产信息 - 英文
Central Semiconductor(中央半导体)CEN-U95功率晶体管停产通知(PDN01131)
REV002
下载
封装信息/封装结构图 - 英文
工艺CP782X小信号晶体管PNP低电压CE(SAT)晶体管芯片
R0
下载
技术文档 - 英文
小信号晶体管TO-92外壳(续)
6-December 2004
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数据手册 - 英文
小信号晶体管TO-92外壳(续)
6-December 2004
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技术文档 - 英文
小信号晶体管TO-92外壳(续)
6-December 2004
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数据手册 - 英文
小信号晶体管TO-92外壳(续)
6-December 2004
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测试报告 - 英文
处理CP753V小信号晶体管PNP大电流晶体管芯片
R2
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Central Semiconductor(中央半导体)2N6422功率晶体管产品停产通知(PDN01134)
REV 002
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封装信息/封装结构图 - 英文
处理CP741V小信号晶体管PNP低VCE(SAT)晶体管芯片
R2
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数据手册 - 英文
加工CP734V小信号晶体管PNP斩波晶体管芯片
R2
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数据手册 - 英文
工艺CP314V小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
22-March 2010
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测试报告 - 英文
工艺CP314V小信号晶体管NPN-大电流晶体管芯片
R1
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产品变更通知及停产信息 - 英文
采用SOT-23外壳制造的小信号晶体管产品/工艺变更通知(PCN#251)
June 17, 2024
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封装信息/封装结构图 - 英文
工艺CP341V小信号晶体管NPN-低vce(SAT)晶体管芯片
R2
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数据手册 - 英文
加工CP327V小信号晶体管NPN硅达林顿晶体管芯片
R1
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测试报告 - 英文
加工CP327V小信号晶体管NPN硅达林顿晶体管芯片
R1
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数据手册 - 英文
加工CP329V小信号晶体管NPN-硅达林顿晶体管芯片
R2
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测试报告 - 英文
加工CP329V小信号晶体管NPN-硅达林顿晶体管芯片
R2
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产品变更通知及停产信息 - 英文
PDN01175:2N4137小信号晶体管已停产,现归类为使用停产
4/28/21
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封装信息/封装结构图 - 英文
工艺CP788X小信号晶体管PNP低噪声放大器晶体管芯片
R1
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技术文档 - 英文
小信号晶体管TO-39外壳
15-August 2013
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数据手册 - 英文
加工CP714V小信号晶体管PNP大电流晶体管芯片
17-November 2010
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数据手册 - 英文
处理CP704V小信号晶体管PNP大电流晶体管芯片
22-March 2010
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测试报告 - 英文
处理CP704V小信号晶体管PNP大电流晶体管芯片
R1
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产品变更通知及停产信息 - 英文
采用SOT-323外壳制造的小信号晶体管产品/工艺变更通知(PCN#247)
R2
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封装信息/封装结构图 - 英文
工艺CP382X小信号晶体管NPN-低vce(SAT)晶体管芯片
R0
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数据手册 - 英文
加工CP225小信号晶体管NPN-Amp/开关晶体管芯片
22-March 2010
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测试报告 - 英文
加工CP225小信号晶体管NPN-Amp/开关晶体管芯片
R2
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世强AI
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应用/方案
小信号晶体管TO-92外壳
本资料详细介绍了多种TO-92封装的小信号晶体管,包括其型号、描述、引脚代码、关键参数如VCBO、VCEO、VEBO、ICBO、hFE等。资料涵盖了不同类型的晶体管,如放大器、开关、低噪声、高压等,并提供了每种晶体管的详细技术规格。此外,资料还提及了晶体管的生产形式和包装方式。
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小信号晶体管TO-18外壳
本资料详细介绍了多种TO-18封装的小信号晶体管,包括其型号、描述、关键参数如BVCBO、BVCEO、BVEBO、ICBO、VCB、hFE、FE、VCE(S)、AT、Cob、fT、NF、ton和toff等。资料涵盖了不同类型的晶体管,如放大器、开关、射频振荡器等,并提供了每种晶体管的具体参数值。
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小信号晶体管TO-92外壳(续)
本资料详细介绍了多种TO-92封装的小信号晶体管,包括其型号、描述、引脚代码、关键电气参数如VCBO、VCEO、VEBO、ICBO、hFE等。资料还提供了晶体管的最高和最低工作参数,如VCE(SAT)、Cob、fT、NF、toff等。此外,资料还介绍了产品的供应管理、设计支持服务、产品定制选项以及如何请求产品镀层。最后,提供了公司的联系信息和网站链接。
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小信号晶体管TO-92外壳(续)
本资料详细介绍了多种TO-92封装的小信号晶体管,包括其型号、描述、引脚代码、关键电气参数等。资料涵盖了不同类型晶体管的应用,如放大器、开关、高压、低噪声等,并对每个型号的电气特性进行了详细说明。此外,资料还提供了产品支持、设计师支持/服务、产品镀层请求等信息,以及联系方式和公司网站。
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小信号晶体管TO-39外壳
这份资料详细列出了多种TO-39封装的小信号晶体管,包括其型号、描述、关键参数如VCBO、VCEO、VEBO、ICBO、VCB、hFE、E、fT、Cob、ton、toff和NF等。资料涵盖了不同类型的晶体管,如放大/开关、高电压、高频等,并提供了每种晶体管的详细技术规格。
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