MRF234 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
发布时间：
2019-04-16
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Automation Systems Interconnect
型号：
MRF234
本数据手册详细介绍了ASI MRF234 NPN硅射频功率晶体管，该器件专为100 MHz大信号放大器应用设计，采用公共发射极配置及Omnimetal™金属化系统。资料重点阐述了其关键电气特性，包括在25 W/90 MHz条件下最小增益PG达9.5 dB，最大集电极电流为4.0 A，集电极-发射极电压与集电极-基极电压分别为18 V和36 V。此外，该晶体管在25°C壳温下最大功耗为70 W，结温范围覆盖-65°C至+200°C，并具备2.5 °C/W的结温系数，采用.380" 4L STUD封装形式，能够满足严苛的射频功率设计需求。针对文中所述器件，ASI在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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