SD1222-5 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
发布时间:
2019-04-16
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Automation Systems Interconnect
型号:
SD1222-5
本数据手册详细介绍了ASI SD1222-5型NPN硅射频功率晶体管的技术参数与应用特性。该器件专为高性能射频放大电路设计,主要适用于12.5V AM Class-C放大器及28V Class-C射频放大器。资料重点阐述了其关键电气指标,包括在5W/30MHz条件下最小增益达8.2dB,以及在20W(PEP)下最大三阶互调IMD3为-30dBc,确保了信号放大的线性度与效率。此外,该晶体管集成了Omnimetal™金属化系统与发射极平衡技术,显著提升了产品的稳定性与可靠性。在极限参数方面,其最大集电极电流为3.0A,集电极-基极电压为65V,最大功耗为30W,且工作及存储温度范围覆盖-65°C至+200°C,能够适应严苛的射频工作环境。基于该器件的技术规格,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障,ASI在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。平台支持相关型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足,能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台配备专职FAE团队,为用户提供选型指导、设计验证及调试支持,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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