A Compact Controller for Brushless DC Motors
发布时间：
2018-01-24
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
VISHAY（威世）
型号：
Si9979; Si4946; Si9956
资料平台
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Si4946BEY双N沟道60-V（D-S）175°C MOSFET
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Si4946BEY双N沟道60-V（D-S）175°C MOSFET
Rev. C
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Si4946BEY双N沟道60-V（D-S）175°C MOSFET
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Si4946CDY双通道N沟道60 V（D-S）MOSFET
Rev. A
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Si4946CDY双通道N沟道60 V（D-S）MOSFET
Rev. A
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双N沟道60v（D-S）MOSFET硅4946cdy
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双N沟道60v（D-S）MOSFET硅4946cdy
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双N沟道60v（D-S）MOSFET硅4946cdy
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Si4946CDY Vishay Siliconix双N沟道60 V（D-S）MOSFET
Rev. A
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Si4946CDY Vishay Siliconix双N沟道60 V（D-S）MOSFET
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规格比较Si9933CDY与Si9933BDY
Revision: 10-Sep-08
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Si9926CDY双通道N沟道20 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si9926CDY双通道N沟道20 V（D-S）MOSFET
Rev. B
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Si9926CDY双通道N沟道20 V（D-S）MOSFET
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双N沟道20v（D-S）MOSFET硅9926cdy
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双N沟道20v（D-S）MOSFET硅9926cdy
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双N沟道20v（D-S）MOSFET硅9926cdy
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双N沟道20v（D-S）MOSFET硅9926cdy
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Si9926BDYïRC，Vishay Siliconix R-C热模型参数
Revision: 10-Aug-07
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SPICE器件型号Si4946BEY N沟道60-V（D-S）MOSFET
Rev. A
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用户线路卡
2019/02/24
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用户线路卡
2017/11/03
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Si9926CDY Vishay Siliconix双N沟道20-V（D-S）MOSFET
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Si9926CDY Vishay Siliconix双N沟道20-V（D-S）MOSFET
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液晶电视
2019/04/11
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Si4946BEYèRC R-C热模型参数
Revision 23-Jan-06
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Si9933CDY Vishay Siliconix双P沟道20-V（D-S）MOSFET
Rev. A
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Si9933CDY Vishay Siliconix双P沟道20-V（D-S）MOSFET
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Si9933CDY双通道P沟道20 V（D-S）MOSFET
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Si9933CDY双通道P沟道20 V（D-S）MOSFET
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Si9933CDY双通道P沟道20 V（D-S）MOSFET
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应用/方案
Si9978DW可配置H桥控制器的设计
Vishay Siliconix推出的Si9978DW是一款可配置的H-桥控制器，旨在解决市场上现有H-桥的局限性，如电流处理能力有限、封装尺寸大、组装困难等问题。Si9978DW通过将控制器与MOSFETs分离的架构，实现了灵活的电流处理能力、小型化和易于组装的特点。该控制器适用于LITTLE FOOT功率MOSFETs，可创建全N-通道H-桥或两个独立的半桥。Si9978DW具有内置的高侧驱动电路和内部电压调节器，支持20至40V直流输入电压范围。保护功能包括交叉导通保护、电流限制和欠压锁定。控制器采用24引脚宽体SOIC封装，具有全H-桥和独立半桥两种操作模式。
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在表面贴装封装中使用N沟道双mosfet的低压电机驱动设计
本文介绍了低电压电机驱动设计中使用N沟道双MOSFET的两种基本配置：n沟道半桥和p沟道与n沟道（互补）半桥。文章重点讨论了n沟道MOSFET在效率、成本和尺寸方面的优势，并介绍了Vishay Siliconix提供的Si9940、Si9955DY、Si9956DY和Si9959DY等系列产品。此外，文章还详细阐述了不同电压应用场景下的门极驱动电路设计，包括5V、12V和12V至36V的应用，并介绍了Si9910DY自适应MOSFET门极驱动器的特点和应用。
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规格比较Si4946BEY与Si4946EY
本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款双通道N沟道60V MOSFET：Si4946BEY和Si4946EY。两款产品具有相同的SO-8封装和引脚配置。主要参数包括漏源电压、栅极-源极电压、连续漏极电流、脉冲漏极电流、连续源极电流、雪崩电流、功耗、工作结温和存储温度范围等。此外，还提供了静态特性、动态特性和开关特性等详细规格参数。资料强调，规格比较仅供参考，不构成产品保证。
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Si4946BEY Vishay Siliconix双N沟道60-V（D-S）175°C MOSFET
该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si4946BEY型号双通道60V MOSFET。资料中包含了产品概述、特性、绝对最大额定值、热阻率、规格参数、典型特性曲线、封装信息和应用笔记。产品特点包括175°C最大结温、符合RoHS指令、TrenchFET®功率MOSFET技术等。
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规格比较Si9945BDY与Si9945AEY
本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款N通道20V MOSFET器件：Si9945BDY和Si9945AEY。两款器件具有相同的SO-8封装和引脚配置，主要参数包括漏源电压、栅源电压、连续漏极电流、最大功耗等。资料中提供了绝对最大额定值和典型规格，包括静态和动态参数，如栅极阈值电压、导通电阻、总栅极电荷等。需要注意的是，规格比较仅供参考，不构成产品性能保证。
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Si9976DY N通道半桥驱动器和小脚双MOSFET的设计
本文介绍了Vishay Siliconix的Si9976DY半桥驱动器IC及其与LITTLE FOOT双MOSFET产品配合使用的设计。Si9976DY为20至40V系统中的低边和高边MOSFET提供栅极驱动，而Si9945或Si4946EY双N沟道LITTLE FOOT MOSFET提供功率处理能力。该解决方案适用于直流电机驱动中的功率切换，具有低阻抗输出、自举电容、电荷泵、欠压锁定和短路监测等功能。文章还讨论了Si9976DY的启动、驱动电路、保护电路、反相控制和符号幅度控制等特性，并提供了典型PCB布局示例。
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P沟道MOSFET，高端开关的最佳选择
本文介绍了Vishay Siliconix的P-Channel MOSFET在高侧开关应用中的优势。文章指出，尽管P-Channel MOSFET在性能上不如N-Channel MOSFET，但在高侧开关任务中具有不可替代的作用。文章详细讨论了P-Channel MOSFET在开关电源、驱动电路和半桥（Totem Pole）电路中的应用，并提供了相关器件的参数和性能比较。
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用户线路卡
本资料详细介绍了VISHAY公司为用户线卡提供的元器件，包括电源IC和控制器IC、功率MOSFET、模拟开关、二极管和整流器、瞬态/过压保护器件、ESD保护器件、EMI滤波器、光电耦合器和固态继电器、可见LED、电容器、电阻器和电感器。资料涵盖了数据线、以太网、光接入、保护、xDSL、DSLAM、分布式电源、开关、负载点电源、路由器、DC/DC电源供应等应用，并提供了具体产品的名称、状态、描述、特性、封装和Q级信息。
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用户线路卡
本资料详细介绍了VISHAY公司为用户线卡提供的元器件，包括电源IC和控制器IC、功率MOSFET、模拟开关、二极管和整流器、瞬态/过压保护器件、ESD保护器件、EMI滤波器、光电耦合器和固态继电器、可见LED、电容器、电阻器和电感器。资料涵盖了数据线、以太网、光接入、保护、xDSL、DSLAM、分布式电源、开关、负载点电源、路由器、DC/DC电源供应等应用，并提供了具体产品的名称、状态、描述、特性、封装和Q级信息。
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用户线路卡
本资料详细介绍了VISHAY公司在元器件行业中的应用案例，涵盖了多种类型的电子元件及其在数据线卡上的应用。内容包括电源集成电路和控制集成电路、功率MOSFET、模拟开关、二极管和整流器、瞬态/过压保护器件、ESD保护器件、EMI滤波器、光电耦合器和固态继电器、可见LED、电容器、电阻和电感等。此外，还涉及了分布式电源、路由器直流/直流转换器、xDSL、以太网、光接入和PoE等方面的技术细节和应用实例。
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液晶电视
本资料详细介绍了VISHAY元器件在液晶电视中的应用，涵盖了主电路板、背光逆变器、电源供应等关键部分。资料中列出了多种元器件，包括功率MOSFET、控制器功率IC、光耦合器、肖特基二极管、超快恢复二极管、TVS、桥式整流器、稳压二极管、开关二极管、X/Y电容器、铝电解电容器、高压电阻、NTC和PTC热敏电阻、电感/EMI滤波器、次级保护保险丝、红外接收器、环境传感器、LDO和模拟开关等。资料还针对背光逆变器、MOSFET驱动器、保护装置、主电路板、电源供应等部分进行了详细的产品介绍和特性描述。
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液晶电视
本资料介绍了VISHAY在液晶电视中的应用，包括主电路板、背光逆变器、电源供应等模块。主要内容包括：
- 主电路板涉及硬件设备和电源，采用开关模式提高转换效率。
- 背光逆变器包含照明点火器、保护装置和MOSFET驱动器，关注高压设计。
- 电源部分涉及开放式开关模式电源，重点关注PFC技术以提高效率。
- 详细列出了各种组件的产品名称、状态、描述、特性、封装和Q级。
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液晶电视
本资料详细介绍了VISHAY元器件在液晶电视中的应用，涵盖了主电路板、背光逆变器、电源供应等关键部分。资料中列出了多种元器件，包括功率MOSFET、控制器功率IC、光耦合器、肖特基二极管、超快恢复二极管、TVS、桥式整流器、稳压二极管、开关二极管、X/Y电容器、铝电解电容器、高压电阻、NTC和PTC热敏电阻、电感器/EMI滤波器、次级保护保险丝、红外接收器、环境传感器、LDO和模拟开关等。资料还针对背光逆变器、MOSFET驱动器、保护器件、主电路板、电源供应等部分进行了详细说明，包括产品名称、状态、描述、特性、封装和Q级等信息。
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Subscriber Linecard 产品介绍
本资料详细介绍了VISHAY公司为用户线卡提供的元器件，包括电源IC和控制器IC、功率MOSFET、模拟开关、二极管和整流器、瞬态/过压保护器件、ESD保护器件、EMI滤波器、光电耦合器和固态继电器、可见LED、电容器、电阻器和电感器。资料涵盖了数据线、以太网、光接入、保护、xDSL、DSLAM、分布式电源、开关、负载点（PoL）电源、DC/DC转换器、路由器、XDSL等应用领域的元器件。
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Si9910自适应功率MOSFET驱动器提高了高压半桥应用的性能
Vishay Siliconix推出的Si9910自适应功率MOSFET驱动器，旨在提高高压半桥应用中的性能。该驱动器通过监测MOSFET的运行条件并调整输出特性来保护MOSFET开关元件，同时允许逻辑信号直接控制高压开关。Si9910的特点包括低静态电流、低输出栅极驱动阻抗，以及用于限制最大dv/dt、峰值电流和最大VDS的反馈电路。该驱动器兼容浮电源技术，如自举和电荷泵，并支持半桥高侧驱动应用。
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Si9986缓冲H桥
Si9986是一款缓冲式H桥，适用于低电压刷式电机、步进电机和执行器应用，可消除通常需要的所有外部离散元件，以防止直通。其主要特点包括：
- 输出MOSFET互补，无需高侧驱动电源。
- 内置直通保护，防止同一侧的FET同时导通。
- 工作电压范围3.8至13.2V，适用于5V和12V的常见PC电源电压。
- 内置逻辑提供由CMOS电平命令控制的四种状态。
- 输入频率可达200kHz，允许PWM操作。
- 无需额外组件，除非根据负载和电气噪声要求以及任何反馈信号处理器，可能需要阻尼电路。
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Si9988缓冲H桥
Si9988是一款缓冲式H桥，适用于低电压刷式电机、步进电机和执行器应用，可消除外部离散元件的需求。其主要特点包括：互补输出MOSFET无需高侧驱动电源；内置闩锁保护防止同一侧的FET同时导通；工作电压范围为3.8至13.2V；内置逻辑提供四种状态，由CMOS电平命令控制；输入频率可达200kHz，支持PWM操作。该产品通过PWM实现比例控制，可使用电压反馈或电流反馈进行闭环控制，适用于速度和扭矩控制。
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液晶电视
本文档详细介绍了VISHAY元器件在液晶电视中的应用。主要分为三个部分：主电路板、背光逆变器、电源。主电路板涉及硬件设备和电源，包括开关模式电源、低 dropout 线性电源等。背光逆变器包括照明点火器、保护装置和MOSFET驱动器。电源部分涉及开放式开关模式电源，包括EMI滤波器、桥式整流器、降压电容器和PFC整流器等。
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