NB7VPQ16MMNTXG Material Composition Declaration
发布时间：
2019-05-17
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NB7VPQ16MMNTXG
本资料为关于NB7VPQ16MMNTXG器件的材料成分声明，详细阐述了该产品在RoHS指令合规性方面的具体表现。文件核心内容涵盖了产品中各类物质的详细清单，包括物质名称、CAS编号、具体含量及计量单位，并明确标注了各项限制物质是否符合RoHS指令要求。此外，声明中还整合了制造商的联系方式、产品规格信息、制造地点及重量等关键数据，旨在为用户提供全面、透明的物质组成信息，以满足环保法规审查及供应链管理的需求。基于该声明所涉器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，确保产品来源可靠。平台提供专职FAE团队支持，涵盖从选型指导、设计验证到调试的全过程技术协助。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价服务，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
NB7VPQ16M 1.8V/2.5V CML 12.5 Gbps可编程预加重铜缆/电缆驱动器，带可选均衡器接收器多电平输入，带内部终端
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
NB7VPQ16MMNTXG材料成分声明
2020-4-13
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NB7VPQ16MMNTXG材料成分声明
2020-01-23
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NB7VPQ16MMNTXG材料成分声明
2019-10-28
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NB7VPQ16MMNTXG材料成分声明
2019-07-17
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NB7VPQ16M 1.8V/2.5V CML 12.5 Gbps可编程预加重铜缆/电缆驱动器，带可选均衡器接收器数据手册
Rev. 0
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产品概述NB7VPQ16M：预加重铜缆/电缆驱动器，12.5 Gbps，可编程，1.8 V/2.5 V，带可选均衡器接收器
1/3/2018
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产品概述NB7VPQ16M：预加重铜缆/电缆驱动器，12.5 Gbps，可编程，1.8 V/2.5 V，带可选均衡器接收器
11/29/2017
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NB7VPQ16M 1.8 V/2.5 V CML 12.5 Gbps可编程预加重铜缆/电缆驱动器，内置可选均衡器接收器
Rev. 1
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NB7VPQ16M 1.8 V/2.5 V CML 12.5 Gbps可编程预加重铜缆/电缆驱动器，内置可选均衡器接收器
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NB7VPQ16MMNTXG
2018-01-19
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材料成分声明NB7VPQ16MMNTXG
2017-12-25
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NB7VPQ16M预加重铜缆/电缆驱动器产品概述
3/29/2019
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NB7VPQ16MMNHTBG材料成分声明
2020-4-13
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NB7VPQ16MMNHTBG材料成分声明
2019-07-17
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NB7VPQ16MMNHTBG材料成分声明
2019-03-31
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NB7VPQ16M 1.8 V/2.5 V CML 12.5 Gbps可编程预加重铜缆/电缆驱动器，内置可选均衡器接收器多电平输入和内部端接
Rev. 1
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NB7VPQ16M 1.8 V/2.5 V CML 12.5 Gbps可编程预加重铜缆/电缆驱动器，内置可选均衡器接收器多电平输入和内部端接
Rev. 1
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NB7VPQ16MMNG材料成分声明
2020-4-13
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NB7VPQ16MMNG材料成分声明
2019-07-17
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NB7VPQ16MMNG材料成分声明
2019-03-31
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NB7VPQ16MMNG
2018-01-19
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材料成分声明NB7VPQ16MMNG
2017-12-25
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材料成分声明NB7VPQ16MMNHTBG
2018-01-19
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材料成分声明NB7VPQ16MMNHTBG
2017-12-25
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| 数据手册 - 英文 |
用于PCIe®的NB3W1900L 3.3 V 100/133 MHz差分1:19 HCSL兼容推挽时钟ZDB/扇出缓冲器
Rev. 3
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| 电路原理图 - 英文 |
SiC驱动器板原理图
Revision: 1.1;Repository revision: 1219
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP1562评估板示意图
11/13/2006
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| 电路原理图 - 英文 |
NCV7750评估板第0版
Rev 0
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP3231同步降压转换器原理图
REV 1
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| 数据手册 - 英文 |
NTD6416AN：100V、17A、81MΩ单通道N沟道功率MOSFET
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
ES1B:1.0A超快恢复整流器
1/29/2020
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NVJS3151P：单P沟道ESD保护沟槽式功率MOSFET-12V、-3.3A、60mΩ
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L：功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、易驱动、650V、19 A、165mΩ、TO-220F
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NGTB20N60L2TF1G：IGBT，N沟道600V，20A，VCE（饱和）；1.45V TO-3PF-3L，具有低VF开关二极管\n
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
运算放大器，单电源，四路
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NTP5860N：单通道N沟道功率MOSFET 60V，220A，3.0mΩ\n
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
TCP-5047UB：无源可调谐集成电路（PHIC），4.7 pF
1/28/2020
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP3235同步降压转换器
REV1
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| 数据手册 - 英文 |
FSB50250B：智能功率模块，500V，2A
1/27/2020
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FDMF4061：高性能60V智能功率级模块
1/26/2020
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| 数据手册 - 英文 |
15C02CH：双极晶体管，15V，1A，低VCE（sat），NPN单CPH3
1/26/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NB6L611：时钟/数据扇出缓冲器，1：2差分，3 GHz，2.5 V/3.3 V，提供LVPECL输出
1/26/2020
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HMHA2801A:4引脚半间距小型平板光电晶体管光耦合器
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FCP125N65S3R0：功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、Easy Drive、650V、24A、125 mΩ、TO-220
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
CAV25160：EEPROM串行16 KB SPI-汽车级
1/25/2020
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NTZD3152P MOSFET–双通道、P沟道、ESD保护、小信号、SOT-563
Rev. 6
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NTTFS5820NL MOSFET–电源
Rev. 1
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该资料详细描述了LM2596-D2PAK BUCK转换器演示板的测试流程。测试步骤包括连接测试设备、设置输入电压、检查输出电压以及加载测试。所需设备包括限流直流电源、直流电压表、直流电流表和直流电子负载。测试流程包括断开负载、施加输入电压、检查输出电压、加载至3A并再次检查输出电压，最后关闭负载和电源。
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