NTMFS4H01NFT3G Material Composition Declaration
发布时间：
2019-05-20
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NTMFS4H01NFT3G
本资料为NTMFS4H01NFT3G产品的物质成分声明，详细阐述了该器件在RoHS指令下的合规性情况。文件中不仅列出了产品各组成成分的名称、CAS编号、重量及单位，还明确标识了各成分是否含有RoHS限制物质，为用户进行环保合规审查提供了详实的数据支持。此外，声明还涵盖了制造商联系方式及产品的具体型号、重量、温度等关键物理参数，确保了产品信息的完整性与可追溯性。针对该器件，onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，确保原厂正品保障。用户可依托平台获取专职FAE团队的技术支持，涵盖选型指导、设计验证及调试等环节。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01NF MOSFET–功率单通道N沟道
Rev. 2
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材料成分声明FETKY SO8FL 25V 334A 700M NTMFS4H01NFT3G
2018-01-18
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FETKY SO8FL 25V 334A 700M NTMFS4H01NFT3G
2017-12-05
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01NF功率MOSFET 25 V，334 A，单N沟道，SO−8FL
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NFT3G材料成分声明
2020-4-12
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NTMFS4H01NFT3G材料成分声明
2019-09-11
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NTMFS4H01NFT3G材料成分声明
2019-07-16
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NTMFS4H01NF MOSFET-功率、单通道、N沟道、SO-8FL 25 V、334 A
Rev. 2
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NTMFS4H01NF MOSFET–功率、单通道、N沟道、SO-8FL
Rev. 2
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NTMFS4H01NF MOSFET–功率、单通道、N沟道、SO-8FL
Rev.2
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NTMFS4H01NF单N沟道功率MOSFET产品概述
3/29/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NFT1G材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NFT1G材料成分声明
2019-07-16
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NTMFS4H01NFT1G材料成分声明
2019-03-31
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产品概述NTMFS4H01NF：功率MOSFET 25V 334A 0.7 mOhm单N沟道SO-8FLFETky
12/29/2017
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NTMFS4H01N产品概述
1/24/2020
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FETKY SO8FL 25V 334A 700M NTMFS4H01NFT1G
2017-12-05
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NTMFS4H01N MOSFET-功率、单通道、N沟道、SO-8FL 25 V、334 A
Rev. 3
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NTMFS4H01N MOSFET–功率、单通道、N沟道、SO-8FL 25 V、334 a
Rev. 3
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NTMFS4H01N MOSFET–功率、单通道、N沟道、SO-8FL25 V、334 a
Rev. 3
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NTMFS4H01N MOSFET–功率、单通道、N沟道、SO-8FL
Rev. 3
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NTMFS4H01N MOSFET–功率、单通道、N沟道、SO-8FL
Rev.3
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NTMFS4H01NFT1G
2018-01-18
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NT3G材料成分声明
2020-4-13
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NT3G材料成分声明
2019-07-18
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NTMFS4H01NT3G材料成分声明
2019-03-31
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材料成分声明NTMFS4H01NT3G
2018-01-19
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NFET SO8FL 25V 334A 700MO
2017-12-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NFET SO8FL 25V 334A 700MO
2017-12-27
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NTMFS4H01N单N沟道功率MOSFET 25V，334A，0.7mΩ产品概述
3/29/2019
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NTMFS4H01N：功率MOSFET 25V 334A 0.7欧姆单N沟道SO-8FL FETky
1/14/2018
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| 数据手册 - 英文 |
NTMFS4H01N功率MOSFET 25 V、334 A、单通道N−沟道、SO−8FL
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NT1G材料成分声明
2020-4-13
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS4H01NT1G材料成分声明
2019-07-18
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NTMFS4H01NT1G材料成分声明
2019-03-31
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材料成分声明NTMFS4H01NT1G
2018-01-19
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| 数据手册 - 英文 |
用于PCIe®的NB3W1900L 3.3 V 100/133 MHz差分1:19 HCSL兼容推挽时钟ZDB/扇出缓冲器
Rev. 3
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| 电路原理图 - 英文 |
SiC驱动器板原理图
Revision: 1.1;Repository revision: 1219
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP1562评估板示意图
11/13/2006
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| 电路原理图 - 英文 |
NCV7750评估板第0版
Rev 0
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NCP3231同步降压转换器原理图
REV 1
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| 数据手册 - 英文 |
NTD6416AN：100V、17A、81MΩ单通道N沟道功率MOSFET
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
ES1B:1.0A超快恢复整流器
1/29/2020
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NVJS3151P：单P沟道ESD保护沟槽式功率MOSFET-12V、-3.3A、60mΩ
1/29/2020
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世强AI
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应用/方案
NCP电源和电源适配器解决方案
ON Semiconductor提供高效能电源解决方案，涵盖从线到负载的节能产品。公司积极参与全球效率标准制定，提供符合DoE VI、CoC Tier 2、ENERGY STAR®和80 PLUS®等标准的电源产品。产品线包括AC-DC电源、DC-DC电源、功率因数校正器等，并提供参考设计和设计笔记，助力设计师快速提升系统效率。
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高密度计算解决方案
ON Semiconductor提供全面的半导体器件组合，用于高密度计算和通信基础设施。产品包括功率管理、数据完整性和传感与反馈解决方案。公司专注于中等电压MOSFET技术，以实现最低损耗的应用。此外，还提供多种封装选项以满足设计者的需求。产品线覆盖了服务器时钟生成、分配和重驱动器，以及高性能运算放大器和标准逻辑电路。还包括电子保险丝、负载开关、热插拔MOSFET和IMON输出等功能。
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电源和电源适配器解决方案
ON Semiconductor提供高效能电源解决方案，涵盖从线到负载的节能产品。公司积极参与全球效率标准制定，提供符合DoE VI、CoC Tier 2、ENERGY STAR®和80 PLUS®等标准的电源产品。ON Semiconductor提供全面的电源半导体产品，包括功率因子控制器、AC-DC控制器、DC-DC控制器、MOSFET、整流器、二极管和晶体管等，助力设计师快速提升系统效率。此外，公司还提供参考设计和设计笔记，以及全球范围内的设计和应用资源支持。
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网络和电信解决方案
本文介绍了ON Semiconductor在USB-C Docking Station领域的解决方案，包括USB-C数据集线器、充电能力等。此外，文章还详细阐述了ON Semiconductor在系统设备、端口电源、数据路径和控制方面的产品，如NCP81239、NCP81231、FUSB252UMX等。同时，文章还介绍了ON Semiconductor在时钟解决方案、数据分配子系统、PLL时钟合成器和发生器等方面的产品，如NB3N3002、NB3N5573、NB3N51032等。
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产品概述NTMFS4H01NF：功率MOSFET 25V 334A 0.7 mOhm单N沟道SO-8FL FETky
该资料介绍了一种25V 334A 0.7 mOhm的单通道MOSFET，具有集成肖特基二极管，适用于高性能DC-DC转换器、网络通信、电信和服务器等应用。该器件具有低导通损耗、低输入电容和低开关损耗等特点，有助于提高效率。资料还提供了该器件的电气规格，包括最大漏源电压、栅极-源极电压、漏极电流、功耗、导通电阻、栅极电荷和输入电容等参数。
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Ezairo®7111 Pre Suite入门指南
Ezairo® 7111 Pre Suite 是一款针对助听器的全面解决方案，包括 Ezairo 7111 混合模块和 Ezairo 7111 固件包。该产品通过 Sound Designer 软件进行配置，使用 Ezairo 7111 混合演示板和编程盒进行通信。该文档提供了 Ezairo 7111 Pre Suite 的入门指南，说明了系统组件的交互和所需工具。主要内容包括 Ezairo 7111 混合模块、Ezairo 7111 固件包、Sound Designer 软件、混合演示板和编程盒的配置和使用方法。
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