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TB1810-02 PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)
发布时间: 2019-05-23
类型: 产品变更通知及停产信息,PCN通知、停产通告
品牌:
IDT(艾迪悌)
型号:
F2910NBGP; F2910NBGP/W; F2910NBGP8
本产品/工艺变更通知(PCN)详细阐述了Integrated Device Technology, Inc.(IDT)关于生产测试设施的战略调整。资料指出,为增加产能并提升生产灵活性,IDT正式将Giga Solution, Taiwan确立为IDT Penang, Malaysia测试工厂的替代测试设施。该资料明确强调,此次设施变更不会对产品质量或可靠性产生任何负面影响,原有的测试流程及测试覆盖率均保持不变,确保了产品性能的一致性。此外,通知还提供了详尽的电气测试相关性数据以及客户确认流程,以保障变更过程的透明度与可控性。针对文中所述IDT相关产品,IDT在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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资料平台
数据手册 - 英文
恒定阻抗K | Z | SPST射频开关30 MHz至8000 MHz F2910产品介绍
August 30, 2016
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技术文档 - 英文
射频开关系列
REVD
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数据手册 - 英文
F2910 Constant Impedance K|Z| SPST RF Switch 30 MHz to 8000 MHz
August 30, 2016
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数据手册 - 英文
RF Switches Family 数据手册 F2910
2018/02/16
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数据手册 - 英文
LDS6100系列PureTouch®*电容式触摸传感器IC系列
Rev. 0.7
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数据手册 - 英文
ADC1006S055/070单通道10位ADC,最高55 MHz或70 MHz
Rev. 03
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数据手册 - 英文
ADC1215S系列单通道12位ADC;带输入缓冲的65 MSPS、80 MSPS、105 MSPS或125 MSPS;CMOS或LVDS DDR数字输出
Rev. 03
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数据手册 - 英文
ADC1453D250双通道14位ADC;高达246 MSPS;JESD204B串行输出
Rev. 3.2
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数据手册 - 英文
ICS87931I-147低偏斜、1至6 LVCMOS/LVTTL时钟倍频器/零延迟缓冲器
REV. A
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电路原理图 - 英文
RC19020
REV.C
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数据手册 - 英文
IDT54/74FCT521/A/B/C快速CMOS 8位身份比较器
JUNE 2002
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数据手册 - 英文
IDT54/74FCT163T/AT/CT快速CMOS同步可预置二进制计数器
2007/12/5
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数据手册 - 英文
2: 4个3.3V PCIe时钟多路复用器
REVISION A
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数据手册 - 英文
4通道10Gb/s接收机
May 16, 2017
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数据手册 - 英文
1.8V LVPECL时钟分配器
REVISION 1
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数据手册 - 英文
可编程FLEXPC时钟
JANUARY, 2014
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数据手册 - 英文
用户可配置分隔符
REV H
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数据手册 - 英文
时钟分配电路
REV H
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数据手册 - 英文
LOCO™ 锁相环时钟倍增器
REV M
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数据手册 - 英文
LOCO™ 锁相环时钟倍增器
REV S
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数据手册 - 英文
Tsi381™ PCIe®到PCI网桥
August 14, 2009
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数据手册 - 英文
低偏差1到2时钟缓冲器
REVISION F
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数据手册 - 英文
低偏差1到4时钟缓冲器
REVISION A
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数据手册 - 英文
低偏差1到4时钟缓冲器
REV G
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数据手册 - 英文
低偏差1到4时钟缓冲器
REVISION A
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数据手册 - 英文
可编程时钟发生器
NOVEMBER 11, 2016
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数据手册 - 英文
可编程时钟发生器
MARCH 3, 2017
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数据手册 - 英文
可编程时钟发生器
MARCH 3, 2017
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数据手册 - 英文
低偏差1至5时钟缓冲器
REVISION A
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数据手册 - 英文
3.3V零延迟时钟缓冲器
AUGUST 2012
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数据手册 - 英文
3.3V零延迟时钟缓冲器
AUGUST 2012
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数据手册 - 英文
3.3V零延迟时钟缓冲器
AUGUST 2012
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数据手册 - 英文
3.3V CMOS 1到2时钟驱动器
MAY 2010
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数据手册 - 英文
3.3V CMOS 1到4时钟驱动器
MAY 2010
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数据手册 - 英文
快速CMOS缓冲/时钟驱动器
MAY 2010
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数据手册 - 英文
低压10位总线开关
DECEMBER 2014
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数据手册 - 英文
低压20位总线开关
DECEMBER 2014
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数据手册 - 英文
28G–1路TIA+PA接收机
November 16, 2017
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数据手册 - 英文
扩频能力时钟发生器
REV C
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数据手册 - 英文
扩频能力时钟发生器
REV E
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数据手册 - 英文
扩频能力时钟发生器
REV J
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数据手册 - 英文
28G-1信道TIA+PA接收机
May 15, 2017
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数据手册 - 英文
通用频率合成器
REVISION A
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数据手册 - 英文
1输出PCIE GEN1/2合成器
REV J
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数据手册 - 英文
2输出PCIE GEN1/2合成器
REV H
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
IDT RF业务和产品概述
该资料概述了IDT公司在射频领域的业务和产品,包括RF开关、放大器、DSAs、混频器、IF VGAs、集成接收器调制器、RF VGAs、VVAs和集成DPD解调器等。产品特点包括高可靠性、低功耗、GaAs替代品等。资料还介绍了IDT的独特技术创新,如FlatNoise、Glitch-Free、KLIN和Zero-Distortion,以及这些技术在提高RF性能方面的优势。此外,资料还展示了IDT的数字步进衰减器、电压可变衰减器和高可靠性开关等产品的详细规格和应用。
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IDT RF业务和产品概述
IDT公司射频业务概述,包括技术创新、射频架构和产品概述。重点介绍了RF业务增长、技术路线图、市场多元化与规模扩大。技术方面,IDT专注于创新IP和产品,如Glitch-Free™、FlatNoise™、Zero-Distortion™等。产品涵盖DSA、VVA、开关、RFVGA、IFVGA等,针对不同应用场景提供高性能射频解决方案。
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采用恒定阻抗技术,IDT射频开关助力无线基站-射频拉远单元(RRU)设计应用
本文推荐IDT(瑞萨收购)推出的F2910吸收式射频开关。F2910是一款坚固耐用,低插入损耗的SPST吸收式射频开关,专为众多无线和其他射频应用而设计。该器件覆盖了30 MHz至8000 MHz的宽频率范围。除了提供低插入损耗外,F2910还具有出色的线性度和隔离性能(51dB@2000MHz),同时在隔离时为RF2端口提供50Ω端接。其工作频段充分满足射频拉远单元(RRU)的设计需求。
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射频开关系列
IDT RF开关系列采用先进的RF硅半导体技术,提供比GaAs等其他技术更优越的性能。该系列具有以下特点:高ESD免疫性、MSL1湿度敏感性、优异的射频性能、高可靠性、高集成度、简单的封装结构,提高热性能并降低总成本。产品具有广泛的切换次数和配置,提供K\|z\|恒阻抗技术,极低的插入损耗,高IIP3线性度,高隔离度,宽工作频率范围,适用于高可靠性应用。此外,IDT RF开关具有宽温度范围,适用于各种高性能RF应用。
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【产品】SPST射频开关,工作频率范围30MHz~8000MHz,适用于多种无线和射频应用
2019年3月23日,全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社完成对IDT的收购。其设计生产的F2910是一款高可靠性、具有低插入损耗的SPST射频开关,其工作频率范围为30MHz~8000MHz,并可提供配套的开发套件,实现产品的快速评估。适用于多种无线和射频应用。
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