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RUH4040M2 N-Channel Advanced Power MOSFET
发布时间: 2019-07-04
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
锐骏半导体(RUICHIPS)
型号:
RUH4040M2
本数据手册详细介绍了RUH4040M2型号的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效电源管理设计,具备低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性等显著特性。具体而言,其在VGS=10V时典型导通电阻仅为5.5mΩ,在VGS=4.5V时为8mΩ,能够有效降低导通损耗。此外,该产品符合RoHS标准,采用无铅及无害物质工艺,并通过了爆炸测试,确保在大热沉高电流应用中的安全性与耐压能力。凭借这些技术优势,RUH4040M2广泛应用于DC/DC转换器、服务器板载电源及同步整流等领域,能够满足现代电子设备对电源效率与稳定性的严苛要求。针对该器件,相关品牌在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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锐骏半导体官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是锐骏半导体的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供锐骏半导体的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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国内领先的MOSFET功率器件制造商——锐骏半导体(Ruichips)
锐骏半导体(Ruichips)是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的国家高新技术企业,其中研发和技术支持相关人员占45%;在适配器快充、移动电源、车充、直流电机、新能源、太阳能光伏逆变、锂电保护等应用领域均占有领先地位。 2015年荣获国家级高新技术企业。
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现货平台 / 锐骏半导体 授权代理店
订货型号 RUH4040M2 品牌 锐骏半导体
型号系列 RUH4040M2 品类 MOSFET
描述/说明 MOSFET, 40V/40A, Package:DFN3030 封装/外壳/尺寸 DFN3030
最小包装量 5,000 包装形式 编带
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
最大输出电压[V] 40V 最大输出电流[A] 40A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.8960
库存:
0
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订货型号 RU4090L 品牌 锐骏半导体
型号系列 RU4090L 品类 MOSFET
描述/说明 40V/90A, N-Channel Advanced Power MOSFET 封装/外壳/尺寸 TO-252
最小包装量 2,500 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Drain-Source Voltage 40V Continuous Drain Current 90A
Rᴅs ₍ᴏɴ₎ =4mΩ(Typ.)@VGS 10V Maximum Junction Temperature 175℃
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.4700
库存:
270
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订货型号 RU65R340P 品牌 锐骏半导体
型号系列 RU65R340P 品类 MOSFET
描述/说明 N-Channel Advanced Power MOSFET, 650V/12A 封装/外壳/尺寸 TO220F
最小包装量 1,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Drain-Source Voltage[N-Channel] 650V Gate-Source Voltage[N-Channel] ±30V
Maximum Junction Temperature 150℃ Diode Continuous Forward Current[N-Channel] 12A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥3.4178
库存:
70
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订货型号 RUH1H25L 品牌 锐骏半导体
型号系列 RUH1H25L 品类 MOSFET
描述/说明 N-Channel Advanced Power MOSFET, 100V/25A, Rᴅs₍ᴏɴ₎ =45mΩ(Typ.)@Vɢs=10V, Rᴅs₍ᴏɴ₎ =60mΩ(Typ.)@Vɢs=4.5V 封装/外壳/尺寸 TO-252
最小包装量 2,500 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Drain-Source Voltage 100V Gate-Source Voltage ±20V
Diode Continuous Forward Current 25A Rᴅs₍ᴏɴ₎(Typ.)@Vɢs=10V 45mΩ
Rᴅs₍ᴏɴ₎(Typ.)@Vɢs=4.5V 60mΩ Storage Temperature Range -55~175℃
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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订货型号 RU30E4B 品牌 锐骏半导体
型号系列 RU30E4B 品类 MOSFET
描述/说明 N-Channel Advanced Power MOSFET, 30V/4A, Package:SOT-23 封装/外壳/尺寸 SOT-23
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Drain-Source Voltage 30V Gate-Source Voltage ±12V
Maximum Junction Temperature 150°C Continuous Drain Current(VGS=10V) 4A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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订货型号 RU30D20M2 品牌 锐骏半导体
型号系列 RU30D20M2 品类 MOSFET
描述/说明 N-channel advanced power MOSFET 封装/外壳/尺寸 PDFN3333
最小包装量 5,000 包装形式 编带/卷装
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Drain-Source Voltage 30V Gate-Source Voltage ±20V
Maximum Junction Temperature 150°C Diode Continuous Forward Current 20A
Input Capacitance 930pF Output Capacitance 230pF
Gate Resistance
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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订货型号 RUH1H150M-C 品牌 锐骏半导体
型号系列 RUH1H150M 品类 MOSFET
描述/说明 N-Channel Advanced Power MOSFET,100V/150A 封装/外壳/尺寸 DFN5060
最小包装量 5,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Total Gate Charge,Qg 62nC TYP Drain-Source On-state Resistance,R_DS(ON) max 3.5mΩ @VGS=10V, IDS=50A
Drain-Source Breakdown Voltage,BV_DSS 100V Maximum Junction Temperature 150 °C
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥2.8950
库存:
0
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订货型号 RUQ4040M2 品牌 锐骏半导体
型号系列 RUQ4040 品类 MOSFET
描述/说明 N-Channel Advanced Power MOSFET,40V/40A 封装/外壳/尺寸 PDFN3333
最小包装量 5,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Drain-Source Voltage 40V Gate-Source Voltage ±20V
Maximum Junction Temperature 150 °C Diode Continuous Forward Current 40 A (TC=25°C)
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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订货型号 RU2N65P 品牌 锐骏半导体
型号系列 RU2N65P 品类 MOSFET
描述/说明 N-Channel Advanced Power MOSFET, 650V/2A 封装/外壳/尺寸 TO220F
最小包装量 50 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Drain-Source Voltage[N-Channel] 650V Gate-Source Voltage[N-Channel] ±30V
Maximum Junction Temperature 150℃ Diode Continuous Forward Current[N-Channel] 2A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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订货型号 RU10N65P 品牌 锐骏半导体
型号系列 RU10N65P 品类 MOSFET
描述/说明 N-Channel Advanced Power MOSFET, 650V/10A 封装/外壳/尺寸 TO220F
最小包装量 50 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Drain-Source Voltage[N-Channel] 650V Gate-Source Voltage[N-Channel] ±30V
Maximum Junction Temperature 150℃ Diode Continuous Forward Current[N-Channel] 10A
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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资料平台
数据手册 - 英文
Ruichips RUH4040M2 N沟道先进功率MOSFET
Rev. B– Aug., 2019
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数据手册 - 英文
RUH4040M - N沟道先进功率MOSFET
Rev. B– Aug., 2021
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RUH4040M3 N沟道高级功率MOSFET
Rev. A
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RUH4040M3 N沟道高级功率MOSFET
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RUH4040M3-A N沟道高级功率MOSFET
Rev. A
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RU7570L N沟道高级功率MOSFET
Rev.B
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RU7570L N沟道高级功率MOSFET
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技术文档 - 英文
RUH3051H N沟道高级功率MOSFET
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RU8205C6 N沟道高级功率MOSFET
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RU8205C6 N沟道高级功率MOSFET
Rev. C
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RU8205C6 N沟道高级功率MOSFET
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RU8205BC6 N沟道高级功率MOSFET
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RU8205BC6 N沟道高级功率MOSFET
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RU1H40M N沟道高级功率MOSFET
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RUH1H05M4 N沟道高级功率MOSFET
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RU8205BG N沟道高级功率MOSFET
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RU7080L N沟道高级功率MOSFET
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RU1H35K N沟道高级功率MOSFET
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RU1H35Q N沟道高级功率MOSFET
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RU7H2K N沟道高级功率MOSFET
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RU1H35R N沟道高级功率MOSFET
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RU8099R N沟道高级功率MOSFET
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RU1H20H N沟道高级功率MOSFET
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RU1H31L N沟道高级功率MOSFET
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RU8205G N沟道高级功率MOSFET
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RU7580R N沟道高级功率MOSFET
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RU1H35S N沟道高级功率MOSFET
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RU1H40L N沟道高级功率MOSFET
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RU60E25R N沟道高级功率MOSFET
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RU75260Q N沟道高级功率MOSFET
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RU7085R N沟道高级功率MOSFET
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RU6051M N沟道高级功率MOSFET
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RU60E16L N沟道高级功率MOSFET
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RU40E80L N沟道高级功率MOSFET
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技术论坛
在做一个自动对焦机,目前有MOS的需求,MOS需求如下,耐压40V,电流10A,封装WDFN-8_L3.0-W3.0,用在LED驱动OC5501的开关管上的,所以结电容要小一点,有合适的推荐吗?
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小基站EU电源项目,需要一颗MOS,100 V,40A,VGS=10V,VTH=2.2V,PG-TSDSON-8,-55℃-125℃,帮忙推荐相近参数的型号
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
绿联160W 3C1A四口氮化镓快充充电器运用沃尔德整流桥WRLSB80M,选用LSB封装,拥有良好的散热特性
绿联新推出了一款总输出功率为160W的PD3.1充电器,两颗整流桥来自深圳市沃尔德实业有限公司,型号WRLSB80M;PFC整流管来自美浦森,型号为MSM06065G1;同步降压开关管来自锐骏半导体,型号RUH4040;用于USB-C3和USB-A口的VBUS开关管来自锐骏半导体,型号RU30D20。
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拆解报告:摩米士140W 2C1A氮化镓充电器
摩米士推出140W氮化镓充电器,支持USB-C1/C2/A三口输出,最大总功率140W。采用MPS HR1211,纳微NV6127与NV6125氮化镓芯片,英集芯IP2736/IP2726协议芯片,南芯降压控制器,搭配平伟PFC整流管,特锐祥贴片Y电容,方舟微耗尽型MOS管,锐骏半导体降压开关管,云星输出滤波固态电容等,内部设计紧凑,用料扎实,适用于多设备快充场景。
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【应用】国产N通道高级功率MOSFET RUH4040M3用于DC-DC转换器,漏源导通电阻典型值低至7mΩ
某客户在设计一款小功率DC-DC转换器,输入电压36V,输出电压5V。在该项目中需求一款N通道高级功率MOSFET。参数要求:漏源电压40V,连续漏极电流40A,要求贴片封装,要求国产品牌。本文推荐锐骏半导体N通道高级功率MOSFET RUH4040M3。
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泰高技术推出市面首款 240W 氮化镓 USB PD3.1多口快充电源方案
泰高技术推出国内首款240W氮化镓USB PD3.1多口快充电源方案,采用PFC+LLC Combo高效拓扑与四颗第二代TP44100SG合封氮化镓开关管,实现1.8W/cm³高功率密度。支持2C1A三口同时快充,C1口可达140W(PD3.1),整体满载效率超96%,待机功耗低于200mW,已通过EMI/EMC测试,适用于高性能笔记本等设备充电。
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绿联100W 2C1A三口氮化镓快充充电器使用沃尔德WRMSB40M整流桥,规格为4A 1000V
绿联推出了一款100W的三口氮化镓充电器,这款充电器采用切面柱形机身设计,配有折叠插脚,便于日常携带。其中,输入端两颗WRMSB40M整流桥来自深圳市沃尔德实业有限公司,规格为4A 1000V。同步降压开关管来自锐骏半导体,型号RUH4040;用于USB-C接口的VBUS开关管来自锐骏半导体,型号RU3040M2。
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【产品】锐骏半导体推出N通道高级功率MOSFET RUH4040M3,漏源导通电阻典型值可低至7mΩ
RUH4040M3是锐骏半导体推出的N通道高级功率MOSFET,器件具有超低导通电阻,100%雪崩测试,采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术,提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准),可应用于DC/DC转换器、服务器的板载电源、同步整流应用等领域。
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【产品】 锐骏新推采用独家内绝缘封装技术的沟道型MOSFET,耐温>150℃,耐压>2000V
锐骏半导体主要生产MOSFET,拥有独家内绝缘封装技术,耐温>150℃,耐压>2000V产品,广泛用于用于扫地机、无人机、机器人等市场。
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深圳锐骏半导体股份有限公司(Ruichips)公司简介
深圳锐骏半导体股份有限公司(Ruichips)是一家专注于功率半导体研发、生产、销售的高新技术企业。公司拥有60余名员工,其中研发人员占比45%。产品涵盖适配器快充、移动电源、车充、直流电机等多个应用领域,年销售额突破数亿人民币。公司致力于新产品研发,产品自主率高达95%以上,拥有四大类产品线和数百种型号。公司注重研发投入,持续优化销售网络,致力于成为中国分立器件领导品牌。
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