RM50P40LD P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
发布时间：
2019-07-09
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
丽正国际（RECTRON）
型号：
RM50P40LD; RM50P40LDV
本数据手册详细介绍了RM50P40LD型P沟道增强模式功率MOSFET的技术特性与应用优势。该器件采用先进的沟槽技术及高密度单元设计，具备极低的导通电阻（RDS(ON) < 13mΩ @ VGS = -10V）和优异的散热性能，同时完全表征了雪崩电压和电流，展现出良好的稳定性、均匀性以及高EAS能力。得益于特殊的工艺技术，该MOSFET还拥有高ESD防护水平，能够适应严苛的电气环境。其应用场景广泛，涵盖了负载切换、硬开关高频电路、不间断电源以及氟化物免用等多个领域，为电源管理及功率控制提供了高效的解决方案。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外，平台提供专职FAE团队支持，协助用户进行选型、设计验证及调试，有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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丽正国际官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是丽正国际的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
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全球知名整流器厂商——丽正国际（Rectron）
丽正国际(Rectron)成立于1975年，台湾上市公司，是一家拥有超过40年的整流器制造经验的分立半导体优质制造商，产品涉及整流器，TVS/ESD二极管，碳化硅肖特基，晶体管，MOSFET，齐纳稳压管等器件，为Apple，ZTE，LG，Honeywell等全球知名品牌供货商。
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现货平台 / 丽正国际 授权代理店
| 订货型号 | RM50P40LD |
| 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RM50P40LDV |
| 品类 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ,Drain-Source Voltage:-40V,Drain Current-Continuous:-52A,Gate-Source Voltage:-4.5V,RDS(ON)<20mΩ |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252-2L |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | -40V |
| Drain Current-Continuous | -52A |
| Gate-Source Voltage | -4.5V |
| RDS(ON) | <20mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥3.2488
库存：
100
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| 订货型号 | RM3401 |
| 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RM3401 |
| 品类 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,Drain-Source Voltage:30V,Drain Current-Continuous:4.2A,Static Drain-Source On-Resistance(Typ.):48mΩ,Total Gate Charge:8.5nC,Power Dissipation(Tc=25℃):1.2W,Gate Threshold Voltage(Typ.):1V,Input Capacitance:880pF |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 30V |
| Drain Current-Continuous | 4.2A |
| Static Drain-Source On-Resistance(Typ.) | 48mΩ |
| Total Gate Charge | 8.5nC |
| Power Dissipation(Tc=25℃) | 1.2W |
| Gate Threshold Voltage(Typ.) | 1V |
| Input Capacitance | 880pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2198
库存：
3,000
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| 订货型号 | RM60P60HD |
| 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RM60P60HD |
| 品类 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | Drain-Source Voltage:60V,Drain Current-Continuous:61A,Static Drain-Source On-Resistance(Typ.):18mΩ,Power Dissipation(Tc=25℃):171W,Gate Threshold Voltage(Typ.):3V,Total Gate Charge:37.2nC,Input Capacitance:2165pF |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263 |
| 最小包装量 | 800 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 60V |
| Drain Current-Continuous | 61A |
| Static Drain-Source On-Resistance(Typ.) | 18mΩ |
| Power Dissipation(Tc=25℃) | 171W |
| Gate Threshold Voltage(Typ.) | 3V |
| Total Gate Charge | 37.2nC |
| Input Capacitance | 2165pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥4.0963
库存：
50
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| 订货型号 | RM12P40S8 |
| 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RM12P40S8 |
| 品类 | Power MOSFET |
| 描述/说明 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | -40V |
| Gate-Source Voltage | ±20V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | RM50P30D3 |
| 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RM50P30D3 |
| 品类 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ,Drain-Source Voltage:-30V,Drain Current-Continuous:-50A,Gate-Source Voltage:-10V,RDS(ON)<8.7mΩ,Gate-Source Voltage:-4.5V,RDS(ON)<13.5mΩ |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN/3*3mm |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | -30V |
| Drain Current-Continuous | -50A |
| Gate-Source Voltage | -10V |
| RDS(ON) | <8.7mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | RM25P30S8 |
| 品牌 | 丽正国际 |
| 型号系列 | RM25P30S8 |
| 品类 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | VDS = -30V,ID = -25A;RDS(ON)<9mΩ @ VGS=-10V;High power and current handing capability;Lead free product is acquired |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | -30V |
| Gate-Source Voltage | ±20V |
| Drain Current-Continuous | -25A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
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资料平台
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RM50P40LD P沟道增强型功率MOSFET
REV:D
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RM50P40LD P沟道增强型功率MOSFET
REV: C
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RM50P40LD P沟道增强型功率MOSFET
REV:B
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符合AEC-Q101的零件清单
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P沟道增强型功率MOSFET
2025/08/02
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RM50P30D3 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
REV:O
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM50P30DF
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RM50P60ALD P沟道增强型功率MOSFET
REV:O
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RM50N200HD(T2)(T7) 200V N-Ch Power MOSFET
REV:O
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RM50N60TI N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
REV:O
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM50N60T2
REV:A
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM50N60LDV
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RM50N60DF N沟道增强型功率MOSFET\n
REV:C
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM50N60DF
REV:A
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM50N60DF
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RM50N30DN
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RM50N30DN
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RM50N200Ti 200V N沟道功率MOSFET\n
REV:O
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RM50N60IP N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
REV:C
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RM50N60LD
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N-Channel Super Trench Power MOSFET RM50N150DF
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RM50N250T2 N沟道增强型功率MOSFET
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RM500N80TL N沟道增强型MOSFET
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N通道增强模式功率MOSFET
2025/07/17
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RM50N60DFV N沟道增强型功率MOSFET
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RM60P04Y P沟道增强型功率MOSFET
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RMD0A8P20ES9 P沟道增强型功率MOSFET
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RM03P30D1E P沟道增强型功率MOSFET
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RM6P20ES6 P沟道增强型功率MOSFET
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RM3415 P沟道增强型功率MOSFET
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RM2P60Y P沟道增强型功率MOSFET
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RM2P60Y P沟道增强型功率MOSFET
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P沟道增强型功率MOSFET
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P沟道增强型功率MOSFET
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P沟道增强型功率MOSFET
2025/05/17
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RM2305 P沟道增强型功率MOSFET
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需要一颗MOS管，200V,39A,+/-30V,TO-220,-55~175℃，用在基站电源上，请帮忙推荐一个型号，谢谢
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hi 各位 -40V/-12A的P沟道增强型功率MOSFET，有推荐的吗？
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】TO-220F封装的N沟道功率MOSFET RM50N200TI，漏源电压可达200V
RM50N200TI是丽正国际推出的TO-220F封装N沟道功率MOSFET，漏源电压可达200V，RDS(ON) 典型值28mΩ @ VGS=10V ，连续漏极电流可达51A（Tc=25℃）， 脉冲漏极电流150A，耗散功率214W，存储和工作温度范围-55 to +175℃。
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【应用】N沟道MOS RM50N150DF用于5G小基站，导通电阻小于19mΩ
5G小基站的设计中，当然也离不开传统的功率器件的需求，例如大电流的MOS管等。本文推荐丽正国际的N沟道MOS RM50N150DF，应用在小基站的设计中，耐压可以达到150V，导通电流达到50A。
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【产品】250V/50A的N沟道增强型功率MOSFET RM50N250T2，采用TO-220-3L封装
丽正国际推出的RM50N250T2是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)，可以用于电源转换开关等多种应用。其漏源电压250V，漏极持续电流为50A，最大耗散功率为300W，采用TO-220-3L封装。
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【产品】60V/50A N沟道增强型功率MOSFET RM50N60T2
RM50N60T2是丽正国际推出的一款采用TO-220-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。在TC=25°C时，RM50N60T2可以承受的漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏-源极连续电流最大额定值为50A。
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【产品】200V/51A N沟道功率MOSFET RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7
RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7是丽正国际推出的三款N沟道功率MOSFET，分别采用TO-263、TO-220和TO-247封装，导通电阻RDS(ON)典型值均为28 mΩ。Tj=25°C时，RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7可以承受的漏源电压最大额定值为200V，栅源电压最大额定值为±20V。
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【产品】30V/50A/6.5 mΩ的N沟道MOSFET RM50N30DN，采用DFN 3x3封装
RM50N30DN是丽正国际推出的一款采用DFN 3 x 3封装的N沟道MOSFET，其采用先进的功率创新设计与硅工艺技术，最大可能的实现了低导通电阻和快速开关性能，导通电阻RDS(ON)为6.5 mΩ。在大多数功率应用中，该器件都给设计者提供了极高的效率。
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【产品】60V/50A N沟道增强型功率MOSFET RM50N60LDV
RM50N60LDV是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。在TC=25°C时，RM50N60LDV可以承受的漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为50A。
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【产品】60V/50A N沟道增强型MOSFET RM50N60DF
RM50N60DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。在TC=25°C时，RM50N60DF可以承受的漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为50A。
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