NTTFS5116PLTWG Material Composition Declaration
发布时间：
2019-07-17
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NTTFS5116PLTWG
本资料详细介绍了Onsemi公司旗下型号为NTTFS5116PLTWG的PFET U8FL 60V 5.4A 52MOHM产品的材料成分声明。该声明旨在确认产品符合欧盟RoHS指令的环保要求，详细列出了器件内部所使用的铜、硅、银、铅、锡、锌、铁等材料及其具体含量。同时，资料中还涵盖了产品的制造信息、关键温度参数以及可追溯性信息，为用户在合规性审查及供应链管理方面提供了准确的数据支持。针对文中所述器件，Onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，并拥有充足库存。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL MOSFET-电源
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL MOSFET–电源
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL MOSFET–电源
Rev.2
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| 测试报告 - 英文 |
NTTFS5116PLTWG材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
NTTFS5116PLTWG材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL功率MOSFET数据手册
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NTTFS5116PLTWG
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NTTFS5116PLTWG
2017-12-05
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NTTFS5116PL功率MOSFET−60 V、−20 A、52 MΩ
Rev. 2
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NTTFS5116PL功率MOSFET−60 V，−20 A，52 mΩ
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL：单P沟道功率MOSFET-60V，-20A，52mΩ产品概述
3/29/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NTTFS5116PLTAG材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
NTTFS5116PLTAG材料成分声明
2020-02-09
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| 测试报告 - 英文 |
NTTFS5116PLTAG材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
NTTFS5116PLTAG材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL：单通道P沟道功率MOSFET，-60V、-20a、52MΩ
5/20/2021
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL：单通道P沟道功率MOSFET，-60V、-20a、52MΩ
2/1/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL MOSFET-功率
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NTTFS5116PLTAG
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NTTFS5116PLTAG
2017-12-05
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NTTFS5116PL：功率MOSFET-60V-20A 52 mOhm单P沟道u8FL逻辑电平
12/29/2017
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5116PL MOSFET–功率-60 V，-20 A，52 mΩ
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
用于PCIe®的NB3W1900L 3.3 V 100/133 MHz差分1:19 HCSL兼容推挽时钟ZDB/扇出缓冲器
Rev. 3
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| 电路原理图 - 英文 |
SiC驱动器板原理图
Revision: 1.1;Repository revision: 1219
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP1562评估板示意图
11/13/2006
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| 电路原理图 - 英文 |
NCV7750评估板第0版
Rev 0
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP3231同步降压转换器原理图
REV 1
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NTD6416AN：100V、17A、81MΩ单通道N沟道功率MOSFET
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
ES1B:1.0A超快恢复整流器
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NVJS3151P：单P沟道ESD保护沟槽式功率MOSFET-12V、-3.3A、60mΩ
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L：功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、易驱动、650V、19 A、165mΩ、TO-220F
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NGTB20N60L2TF1G：IGBT，N沟道600V，20A，VCE（饱和）；1.45V TO-3PF-3L，具有低VF开关二极管\n
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
运算放大器，单电源，四路
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NTP5860N：单通道N沟道功率MOSFET 60V，220A，3.0mΩ\n
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
TCP-5047UB：无源可调谐集成电路（PHIC），4.7 pF
1/28/2020
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP3235同步降压转换器
REV1
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| 数据手册 - 英文 |
FSB50250B：智能功率模块，500V，2A
1/27/2020
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FDMF4061：高性能60V智能功率级模块
1/26/2020
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| 数据手册 - 英文 |
15C02CH：双极晶体管，15V，1A，低VCE（sat），NPN单CPH3
1/26/2020
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NB6L611：时钟/数据扇出缓冲器，1：2差分，3 GHz，2.5 V/3.3 V，提供LVPECL输出
1/26/2020
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| 数据手册 - 英文 |
HMHA2801A:4引脚半间距小型平板光电晶体管光耦合器
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FCP125N65S3R0：功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、Easy Drive、650V、24A、125 mΩ、TO-220
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
CAV25160：EEPROM串行16 KB SPI-汽车级
1/25/2020
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NTZD3152P MOSFET–双通道、P沟道、ESD保护、小信号、SOT-563
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5820NL MOSFET–电源
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5826NL MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8FL
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5811NL MOSFET–功率、单通道、N沟道
Rev. 4
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世强AI
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应用/方案
NTTFS5116PL：功率MOSFET-60V-20A 52 mOhm单P沟道u8FL逻辑电平
NTTFS5116PL是一款60V、20A、52mΩ的单通道P沟道MOSFET，适用于负载开关、直流电机控制和DCDC转换等应用。该器件具有低RDS(on)、快速开关特性，且符合RoHS标准，无铅且无卤素。
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Ezairo®7111 Pre Suite入门指南
Ezairo® 7111 Pre Suite 是一款针对助听器的全面解决方案，包括 Ezairo 7111 混合模块和 Ezairo 7111 固件包。该产品通过 Sound Designer 软件进行配置，使用 Ezairo 7111 混合演示板和编程盒进行通信。该文档提供了 Ezairo 7111 Pre Suite 的入门指南，说明了系统组件的交互和所需工具。主要内容包括 Ezairo 7111 混合模块、Ezairo 7111 固件包、Sound Designer 软件、混合演示板和编程盒的配置和使用方法。
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LM2596-D2PAK降压演示型BD的测试程序
该资料详细描述了LM2596-D2PAK BUCK转换器演示板的测试流程。测试步骤包括连接测试设备、设置输入电压、检查输出电压以及加载测试。所需设备包括限流直流电源、直流电压表、直流电流表和直流电子负载。测试流程包括断开负载、施加输入电压、检查输出电压、加载至3A并再次检查输出电压，最后关闭负载和电源。
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