NVMFS6B14NLWFT3G Material Composition Declaration
发布时间：
2019-07-18
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NVMFS6B14NLWFT3G
本资料详细介绍了Onsemi公司NVMFS6B14NLWFT3G器件的材料成分声明，重点阐述了该产品的RoHS合规性。内容涵盖了元器件的详细材料构成、各类材料的重量占比以及有害物质的含量检测，明确确认该产品符合欧盟RoHS指令要求，所含有害物质均未超过规定限量。此外，声明中还提供了供应商的认证信息、产品环境管理负责人的联系方式以及具体的制造地点等详细信息，为用户进行环保合规审查提供了全面依据。Onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS6B14NL单N沟道功率MOSFET产品概述
3/28/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS6B14NL单N沟道功率MOSFET产品概述
7/11/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS6B14NLWFT3G
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NVMFS6B14NL：功率MOSFET 100 V，55 A，13 mΩ，单N沟道
12/28/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T5 100V LL S08FL
2017-12-04
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明T5 100V LL S08FL
2017-12-04
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS6B14NL功率MOSFET 100 V，13 m ，55 A，单N-沟道
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS6B14NLWFT3G材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFS6B14NL：100V、55A、13mΩ单通道N沟道功率MOSFET
2/21/2020
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS6B14NLWFT1G材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS6B14NLWFT1G材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-12-04
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-12-04
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS6B14NLWFT1G
2018-01-16
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS6B14NLT3G材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS6B14NLT3G材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS6B14NLT3G
2018-01-16
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFS6B14NLT1G
2018-01-16
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS6B14NLT1G材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS6B14NLT1G材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
用于PCIe®的NB3W1900L 3.3 V 100/133 MHz差分1:19 HCSL兼容推挽时钟ZDB/扇出缓冲器
Rev. 3
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| 电路原理图 - 英文 |
SiC驱动器板原理图
Revision: 1.1;Repository revision: 1219
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP1562评估板示意图
11/13/2006
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| 电路原理图 - 英文 |
NCV7750评估板第0版
Rev 0
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP3231同步降压转换器原理图
REV 1
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| 数据手册 - 英文 |
NTD6416AN：100V、17A、81MΩ单通道N沟道功率MOSFET
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
ES1B:1.0A超快恢复整流器
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NVJS3151P：单P沟道ESD保护沟槽式功率MOSFET-12V、-3.3A、60mΩ
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L：功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、易驱动、650V、19 A、165mΩ、TO-220F
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NGTB20N60L2TF1G：IGBT，N沟道600V，20A，VCE（饱和）；1.45V TO-3PF-3L，具有低VF开关二极管\n
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
运算放大器，单电源，四路
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NTP5860N：单通道N沟道功率MOSFET 60V，220A，3.0mΩ\n
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
TCP-5047UB：无源可调谐集成电路（PHIC），4.7 pF
1/28/2020
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP3235同步降压转换器
REV1
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| 数据手册 - 英文 |
FSB50250B：智能功率模块，500V，2A
1/27/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FDMF4061：高性能60V智能功率级模块
1/26/2020
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| 数据手册 - 英文 |
15C02CH：双极晶体管，15V，1A，低VCE（sat），NPN单CPH3
1/26/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NB6L611：时钟/数据扇出缓冲器，1：2差分，3 GHz，2.5 V/3.3 V，提供LVPECL输出
1/26/2020
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| 数据手册 - 英文 |
HMHA2801A:4引脚半间距小型平板光电晶体管光耦合器
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FCP125N65S3R0：功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、Easy Drive、650V、24A、125 mΩ、TO-220
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
CAV25160：EEPROM串行16 KB SPI-汽车级
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NTZD3152P MOSFET–双通道、P沟道、ESD保护、小信号、SOT-563
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5820NL MOSFET–电源
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5826NL MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8FL
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5811NL MOSFET–功率、单通道、N沟道
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS4H07N MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8-FL
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS4C10N MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8FL
Rev. 3
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世强AI
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应用/方案
产品概述NVMFS6B14NL：功率MOSFET 100 V，55 A，13 mΩ，单N沟道
NVMFS6B14NL是一款100V、55A、13mΩ的单通道MOSFET，适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。该产品具有小尺寸（5x6mm）和低导通电阻，适用于汽车应用，符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力。主要特点包括低导通电阻、低QG和电容，以及可选的湿边选项以增强光学检查。该产品适用于高/低侧驱动器、H桥、开关电源、功率开关、电磁阀驱动器、电机控制以及负载开关等应用。
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Ezairo®7111 Pre Suite入门指南
Ezairo® 7111 Pre Suite 是一款针对助听器的全面解决方案，包括 Ezairo 7111 混合模块和 Ezairo 7111 固件包。该产品通过 Sound Designer 软件进行配置，使用 Ezairo 7111 混合演示板和编程盒进行通信。该文档提供了 Ezairo 7111 Pre Suite 的入门指南，说明了系统组件的交互和所需工具。主要内容包括 Ezairo 7111 混合模块、Ezairo 7111 固件包、Sound Designer 软件、混合演示板和编程盒的配置和使用方法。
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LM2596-D2PAK降压演示型BD的测试程序
该资料详细描述了LM2596-D2PAK BUCK转换器演示板的测试流程。测试步骤包括连接测试设备、设置输入电压、检查输出电压以及加载测试。所需设备包括限流直流电源、直流电压表、直流电流表和直流电子负载。测试流程包括断开负载、施加输入电压、检查输出电压、加载至3A并再次检查输出电压，最后关闭负载和电源。
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