GD25S512MD 3.3V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash
发布时间:
2019-08-19
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
兆易创新(GigaDevice)
型号:
GD25S512MD; GDXXXXXXXXXXX; GD25S512MDFIG; GD25S512MDFIS; GD25S512MDFIR; GD25S512MDYIG; GD25S512MDYIS; GD25S512MDBIG; GD25S512MDBIS; GD25S512MDBIR; GD25S512MDFJG; GD25S512MDFJS; GD25S512MDFJR; GD25S512MDYJG; GD25S512MDYJS; GD25S512MDBJG; GD25S512MDBJS; GD25S512MDBJR; GD25S512MDFEG; GD25S512MDFES; GD25S512MDFER; GD25S512MDYEG; GD25S512MDYES; GD25S512MDBEG; GD25S512MDBES; GD25S512MDBER; GD25S512MDxxRx; GD25S512MDxxSx
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GD55WR512ME统一扇区双通道和四通道串行闪存规格书
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GD25LQ256C 1.8V Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash
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GD55F512MF统一扇区双通道和四通道串行闪存
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摄像头模块项目,需要电压范围为2.7-3.6V,封装16-pin SOP、内存为512Mb的Flash有没有合适推荐?
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MICRON的Nor Flash,型号MT25QL512ABB1EW9-0SIT,寻求pin2pin替代,谢谢!
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小基站备用电源项目,目前在用MX25L51245GMI-10G,寻找替换型号,请推荐?
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应用/方案
【产品】1G串行闪存GD55LB01GE,支持四通道SPI和DTR模式,40μA典型待机电流
兆易创新GD55LB01GE(1G-bit)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持四通道SPI和DTR模式:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP)、I/O3和RESET。
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SPI NorFlash应用技术介绍
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【应用】512M bit串行Flash闪存存储器GD25S512MD用于智能电表,采用多芯片封装MCP技术具有高存储密度
由于智能电表数据存储量的增加,传统的EEPROM不能满足要求,推荐采用大容量的Nor Flash来实现存储功能。针对智能电表数据存储应用,推荐国产兆易创新的GD25S512MD系列串行Flash闪存存储器,采用多芯片封装MCP技术,基于两个独立的GD25B256D存储器封装堆叠成一个标准的芯片,实现低引脚封装增加内存容量,提高了存储密度,并可实现高编程、擦除数据吞吐量。
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【产品】2 x 256M-bit,3.3V均匀扇区双和四串行闪存GD25S512MD
兆易创新推出的GD25S512MD(2 x 256M-bit)串行MCP(多芯片封装)闪存基于流行的GD25B系列,将两个独立的GD25B256D堆叠成一个标准的8引脚封装。它为低引脚数封装提供了最高的存储密度,并为需要高编程和擦除数据吞吐量的应用提供串行闪存中的并发操作。
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