2N3055A: 15 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor Product Overview
发布时间:
2019-08-22
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
2N3055A; 2N3055AG; 2N3055
本产品概述详细介绍了2N3055A型双极性功率晶体管的技术规格与应用优势。该器件是一款15 A、60 V的NPN功率晶体管,专为高功率音频、步进电机驱动及各类线性应用而设计,同时也广泛适用于继电器、电磁驱动器、直流-直流转换器、逆变器以及需要比2N3055具备更高安全工作区域的电感负载场景。在关键特性方面,该晶体管拥有优异的电流增益-带宽积,在IC = 1.0 A条件下,NPN型fT最小值为2.2 MHz,并分别提供60V和120V的安全工作区额定值,此外还支持无铅封装选项,满足环保设计需求。基于该产品,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型指导、设计验证到调试的全方位技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,从而有效缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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2N3055AG(NPN)、MJ15015G(NPN)、MJ15016G(PNP)互补型硅大功率晶体管
Rev. 7
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2N3055AG(NPN)、MJ15015G(NPN)、MJ15016G(PNP)互补型硅大功率晶体管
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2N3055AG(NPN)、MJ15015G(NPN)、MJ15016G(PNP)互补型硅大功率晶体管
Rev. 7
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2N3055AG材料成分声明
2019-08-17
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产品概述2N3055A:15A,60V NPN双极型功率晶体管
2017/10/30
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材料成分声明2N3055AG
2018-01-11
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材料成分声明2N3055
2018-01-11
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2N3055A:15A,60V NPN双极型功率晶体管
12/12/2017
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材料成分声明2N3055G
2018-01-11
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2N3055AG(NPN)MJ15015G(NPN)MJ15016G(PNP)互补硅大功率晶体管
Rev. 7
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2N3055AG(NPN)、MJ15015G(NPN)、MJ15016G(PNP)互补硅大功率晶体管
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材料成分声明2N3055H
2018-01-11
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材料成分声明2N3055HG
2018-01-11
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2N3055产品概述:15A,60V NPN双极型功率晶体管
10/29/2017
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2N3055(NPN)、MJ2955(PNP)互补型硅功率晶体管
Rev. 6
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2N3055(NPN)、MJ2955(PNP)互补型硅功率晶体管
Rev. 6
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2N3055(NPN)、MJ2955(PNP)互补型硅功率晶体管
Rev.6
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2N3055(NPN)、MJ2955(PNP)首选器件互补硅功率晶体管
Rev. 6
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产品概述MJ15016:15A,120V,PNP双极功率晶体管
10/29/2017
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产品概述MJ15015:15A,120V,NPN双极型功率晶体管
10/29/2017
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产品概述2N3055H:晶体管硅功率NPN
1/19/2018
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2N3055:15A,60V NPN双极型功率晶体管
12/12/2017
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2N6292:7.0A,70V NPN双极功率晶体管
12/12/2017
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2N5190:4.0A,40V NPN双极功率晶体管
12/12/2017
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2N5192:4.0 A,80 V NPN双极功率晶体管
12/12/2017
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MJE15028:8.0A,120V NPN双极功率晶体管
12/11/2017
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MJD3055TF:NPN双极功率晶体管,10A,60V产品概述
8/11/2019
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2N6288:7.0 A,30 V NPN双极功率晶体管
12/12/2017
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2N5191:4.0A,60V NPN双极功率晶体管
12/12/2017
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2N4923:1.0A,80V NPN双极功率晶体管
12/12/2017
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MJE243:4.0 A,100vnpn双极功率晶体管
12/11/2017
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MJF15030:8.0a,150vnpn双极功率晶体管
12/11/2017
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应用/方案
产品概述D44H8:功率双极晶体管,NPN,10A,60V
D44H8是一款NPN型功率双极性晶体管,具有10A电流和60V电压承受能力。该产品适用于通用功率放大和开关应用,如开关调节器、转换器和功率放大器。特点包括低集电极-发射极饱和电压、快速开关速度、互补对简化设计,并提供无铅封装。电规格包括最大饱和电压1.0V(8.0A时)、最大集电极连续电流10A、最小发射极开路电压60V等。
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产品概述TIP35C:25A,100V NPN双极功率晶体管
TIP35C是一款25A、100V的NPN双极型功率晶体管,适用于通用功率放大器和开关应用。该晶体管具有25A集电极电流、低漏电流、优秀的直流增益和高的电流增益带宽积。产品提供无铅封装,适用于多种电子设备。
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产品概述D44VH:功率双极晶体管,NPN,15A,80V
D44VH系列塑料封装、NPN型功率晶体管适用于通用功率放大和开关应用,如开关调节器、转换器和功率放大器。特点包括快速开关(tf ≤ 90 ns)、低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat) ≤ 1.0 V @ 8.0 A)和互补对简化电路设计。电气规格包括最大集电极-发射极饱和电压、连续集电极电流、最小击穿电压等,封装类型为TO-220-3。
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BD681:中功率NPN达林顿双极功率晶体管
BD681是一款中功率NPN达林顿双极型功率晶体管,适用于互补通用放大器应用的输出设备。其主要特点包括高直流电流增益、单片结构,与BD675系列等型号互补,并提供无铅封装选项。
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BD675:中功率NPN达林顿双极功率晶体管
BD675是一款中功率NPN达林顿双极型功率晶体管,适用于互补通用放大器应用的输出设备。其主要特点包括高直流电流增益、单晶结构,以及与BD676系列产品的互补性。此外,该产品提供无铅封装选项。
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BD675A:中功率NPN达林顿双极功率晶体管
BD675A是一款中等功率NPN达林顿双极型功率晶体管,适用于互补通用放大器应用中的输出设备。其主要特点包括高直流电流增益、单晶结构,与BD676系列晶体管互补,并提供无铅封装选项。
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产品概述MJB44H11:双极型功率晶体管,NPN,10A,80V,50W
MJB44H11是一款NPN型双极性功率晶体管,适用于通用功率放大和开关应用,如开关稳压器、转换器和功率放大器。该晶体管具有低集电极-发射极饱和电压、快速开关速度和互补对设计简化等优点。产品符合AEC-Q101标准,适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。提供无铅封装选项。
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产品概述TIP41:NPN双极功率晶体管
TIP41系列双极型功率晶体管适用于通用功率放大器和开关应用。该系列包括NPN型(TIP41, TIP41A, TIP41B, TIP41C)和PNP型(TIP42, TIP42A, TIP42B, TIP42C)两种类型。主要特点包括:集电极-发射极饱和电压低至1.5V,高电流增益带宽积3MHz,紧凑型TO-220 AB封装,无铅封装。
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BD677:中功率NPN达林顿双极功率晶体管
BD677是一款中等功率NPN达林顿双极型功率晶体管,适用于互补通用放大器应用的输出设备。其特点包括高直流电流增益、单晶结构,与BD676系列互补,等效于MJE系列。产品提供无铅封装,符合环保要求。
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BD679:中功率NPN达林顿双极功率晶体管
BD679是一款中功率NPN达林顿双极型功率晶体管,适用于互补通用放大器应用的输出设备。其主要特点包括高直流电流增益、单晶结构,与BD675系列等型号互补,等效于MJE系列。该产品提供无铅封装,符合环保要求。
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BDX53B:中功率NPN达林顿双极功率晶体管
BDX53B是一款中功率NPN达林顿双极型功率晶体管,适用于通用和低速开关应用。该晶体管具有高直流电流增益、低集电极-发射极饱和电压、单晶结构内置基极-发射极分流电阻等特点。产品规格包括8A的连续集电极电流、100V的集电极-发射极击穿电压、2.0V的最大饱和电压等。采用TO-220AB紧凑型封装,并提供无铅包装。
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BD677A:中功率NPN达林顿双极功率晶体管
BD677A是一款中功率NPN达林顿双极型功率晶体管,适用于互补通用放大器应用的输出设备。其主要特点包括高直流电流增益、单晶结构,与BD675系列等型号互补,等效于MJE系列。产品提供无铅封装,包括TO-225-3和TO-126-3两种封装类型。
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BD679A:中功率NPN达林顿双极功率晶体管
BD679A是一款中等功率NPN达林顿双极型功率晶体管,适用于互补通用放大器应用的输出设备。其主要特点包括高直流电流增益、单晶结构,与BD675系列等型号互补,并提供无铅封装选项。电规格方面,具有4安培的连续集电极电流、80伏的CEO击穿电压和2.8伏的最大VCE(sat)。
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2N6043:8.0A,60V NPN达林顿双极功率晶体管
该资料介绍了2N6043型NPN达林顿双极型功率晶体管。该晶体管适用于通用放大器和低速开关应用,具有高直流电流增益、高集电极-发射极维持电压、低集电极-发射极饱和电压等特点。产品规格包括连续电流、最小击穿电压、最大饱和电压、最小电流增益和最小特征频率等。此外,该晶体管提供无铅封装选项。
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2N6045:8.0A,100V NPN达林顿双极功率晶体管
该资料介绍了2N6045型NPN达林顿双极型功率晶体管。该晶体管适用于通用放大器和低速开关应用,具有高直流电流增益、高集电极-发射极维持电压、低集电极-发射极饱和电压等特点。产品规格包括连续电流、最小击穿电压、最大饱和电压、最小电流增益和最小特征频率等,并支持无铅封装。
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