LC898119XC-MH Material Composition Declaration
发布时间:
2019-08-27
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
LC898119XC-MH
本材料成分声明详细阐述了LC898119XC-MH器件的RoHS合规性情况。该资料作为一份权威的技术文档,明确列出了产品制造过程中所使用的各类材料及其具体含量,涵盖环氧树脂、硅、钛、铜、聚酰亚胺等关键物质。声明内容严格对照欧盟关于限制有害物质使用的指令标准,详细说明了上述材料是否符合相关限制要求,并提供了详尽的测试数据作为支撑。此外,文档还包含了制造商的联系方式、具体产品信息以及可能的RoHS豁免条款,旨在为用户提供完整、透明的合规性证明,确保元器件在环保法规框架下的安全使用。基于该合规声明所涉器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关品牌在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。平台支持相关型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足,能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台配备专职FAE团队,为用户提供选型指导、设计验证及调试等全方位技术支持,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
LC898119XC CMOS LSI光学图像稳定(OIS)控制器和驱动器
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LC898119XC-MH
2018-01-15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LC898119XC-MH
2018-01-02
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述LC898119XC:光学图像稳定(OIS)控制器和驱动器
10/27/2017
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| 数据手册 - 英文 |
LC898119XC光学图像稳定(OIS)控制器和驱动器产品概述
3/31/2019
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| 测试报告 - 英文 |
LC898119XC-MH材料成分声明
2019-07-20
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| 数据手册 - 英文 |
用于PCIe®的NB3W1900L 3.3 V 100/133 MHz差分1:19 HCSL兼容推挽时钟ZDB/扇出缓冲器
Rev. 3
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| 电路原理图 - 英文 |
SiC驱动器板原理图
Revision: 1.1;Repository revision: 1219
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP1562评估板示意图
11/13/2006
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| 电路原理图 - 英文 |
NCV7750评估板第0版
Rev 0
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP3231同步降压转换器原理图
REV 1
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NTD6416AN:100V、17A、81MΩ单通道N沟道功率MOSFET
1/29/2020
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ES1B:1.0A超快恢复整流器
1/29/2020
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NVJS3151P:单P沟道ESD保护沟槽式功率MOSFET-12V、-3.3A、60mΩ
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L:功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、易驱动、650V、19 A、165mΩ、TO-220F
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NGTB20N60L2TF1G:IGBT,N沟道600V,20A,VCE(饱和);1.45V TO-3PF-3L,具有低VF开关二极管\n
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
运算放大器,单电源,四路
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NTP5860N:单通道N沟道功率MOSFET 60V,220A,3.0mΩ\n
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
TCP-5047UB:无源可调谐集成电路(PHIC),4.7 pF
1/28/2020
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP3235同步降压转换器
REV1
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FSB50250B:智能功率模块,500V,2A
1/27/2020
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FDMF4061:高性能60V智能功率级模块
1/26/2020
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15C02CH:双极晶体管,15V,1A,低VCE(sat),NPN单CPH3
1/26/2020
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NB6L611:时钟/数据扇出缓冲器,1:2差分,3 GHz,2.5 V/3.3 V,提供LVPECL输出
1/26/2020
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| 数据手册 - 英文 |
HMHA2801A:4引脚半间距小型平板光电晶体管光耦合器
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FCP125N65S3R0:功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、Easy Drive、650V、24A、125 mΩ、TO-220
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
CAV25160:EEPROM串行16 KB SPI-汽车级
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NTZD3152P MOSFET–双通道、P沟道、ESD保护、小信号、SOT-563
Rev. 6
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NTTFS5820NL MOSFET–电源
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5826NL MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8FL
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5811NL MOSFET–功率、单通道、N沟道
Rev. 4
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NTTFS4H07N MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8-FL
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS4C10N MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8FL
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS4C02N MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8FL
Rev. 7
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS4939N MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8FL
Rev. 3
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NTTFS4985NF MOSFET–功率、单通道、N沟道、WDFN8
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS6H880N MOSFET-功率、单通道N沟道
Rev. 1
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NTTFS5C673NL功率MOSFET
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5C466NL MOSFET–功率、单通道、N沟道
Rev. 4
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NTTFS5C454NL MOSFET–功率、单通道、N沟道
Rev. 4
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NTTFS5C453NL功率MOSFET
Rev. 3
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NTTFS4932N MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8FL
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS4929N MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8FL
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS4930N MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8FL
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS4821N MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8FL
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS1D8N02P1E MOSFET-功率,单N沟道,POWER33
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS2D8N04HL MOSFET-功率、N沟道、屏蔽栅
Rev. 1
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世强AI
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应用/方案
LC898119XC:光学图像稳定(OIS)控制器和驱动器
LC898119XC是一款集成了数字信号处理功能和饱和驱动H桥驱动功能的系统LSI(WLP类型)光图像稳定(OIS)控制器和驱动器。它具备内置数字伺服电路、陀螺仪滤波器、12位AD转换器、8位DA转换器、内置串行接口电路、霍尔偏置电路、霍尔放大器、内置振荡器和低 dropout稳压器。适用于OIS相机模块。
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Ezairo®7111 Pre Suite入门指南
Ezairo® 7111 Pre Suite 是一款针对助听器的全面解决方案,包括 Ezairo 7111 混合模块和 Ezairo 7111 固件包。该产品通过 Sound Designer 软件进行配置,使用 Ezairo 7111 混合演示板和编程盒进行通信。该文档提供了 Ezairo 7111 Pre Suite 的入门指南,说明了系统组件的交互和所需工具。主要内容包括 Ezairo 7111 混合模块、Ezairo 7111 固件包、Sound Designer 软件、混合演示板和编程盒的配置和使用方法。
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LM2596-D2PAK降压演示型BD的测试程序
该资料详细描述了LM2596-D2PAK BUCK转换器演示板的测试流程。测试步骤包括连接测试设备、设置输入电压、检查输出电压以及加载测试。所需设备包括限流直流电源、直流电压表、直流电流表和直流电子负载。测试流程包括断开负载、施加输入电压、检查输出电压、加载至3A并再次检查输出电压,最后关闭负载和电源。
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