FCP190N65S3 Material Composition Declaration
发布时间：
2019-09-10
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
FCP190N65S3
本资料详细介绍了Onsemi公司型号FCP190N65S3产品的物质成分声明。文件重点阐述了该器件的材料构成，具体列出了包括铝、硅、银、铅、锡、镍、铁、铜及磷在内的多种关键材料及其含量。同时，该声明明确确认产品符合欧盟RoHS指令的相关环保要求，并提供了供应商认证信息、产品环境管理联系方式以及制造地点和重量等详细规格数据，旨在为用户提供全面、透明的合规性参考。Onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3：功率MOSFET，N沟道，SUPERFET®III，易驱动，650 V，17 A，190 mΩ，TO-220产品概述
8/18/2019
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| 测试报告 - 英文 |
FCP190N65S3R0材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
FCP190N65S3R0材料成分声明
2019-03-30
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
WLCSP4 1.81x1.81/EFCP1818−4CE−022
ISSUE A
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，17 A，190 mΩ，TO-220
12/19/2017
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3 M沟道SuperFET®III MOSFET 650伏，17安，190兆欧
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3功率MOSFET，N沟道，SUPERFET III，易于驱动
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
FCP16N60材料成分声明
2019-08-14
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3 MOSFET–功率，N沟道，SuperFET III，易于驱动\n
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FCP165N65S3
2018-01-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FCP165N65S3
2018-01-27
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3R0:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，17 A，190 mΩ，TO-220
11/19/2017
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3 MOSFET–功率、N沟道、SuperFET III、Easy Drive 650 V、17 A、190 mΩ\n
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
FCP165N65S3材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
FCP165N65S3材料成分声明
2019-07-15
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| 数据手册 - 英文 |
FCP125N65S3:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，24 A，125 mΩ
12/19/2017
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| 数据手册 - 英文 |
MOSFET–功率、N沟道、SUPERFET III、Easy Drive 650 v、17 a、190MΩ
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
MOSFET–功率、N沟道、SUPERFET III、Easy Drive 650 v、17 a、190MΩ
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3R0功率MOSFET产品概述
3/28/2019
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| 测试报告 - 英文 |
FCP165N65S3R0材料成分声明
2019-07-13
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| 测试报告 - 英文 |
FCP165N65S3R0材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3R0功率MOSFET
Rev.3
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| 测试报告 - 英文 |
FCP11N60材料成分声明
2019-08-11
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| 测试报告 - 英文 |
FCP16N60N材料成分声明
2019-08-13
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FCP165N65S3R0
2018-01-27
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明FCP165N65S3R0
2018-01-27
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3R0 N沟道SuperFET®III MOSFET 650伏，17安，190兆欧
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3R0-MOSFET–功率，N沟道，SuperFET III，易驱动，650 V，17 A，190 mΩ\n
Rev.4
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3R0 MOSFET–功率、N沟道、SUPERFET III、Easy Drive650 v、17 a、190 mW
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
FCP125N65S3材料成分声明
2019-08-18
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3R0 MOSFET–功率、N沟道、SuperFET III、Easy Drive\n
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
FCP125N65S3R0材料成分声明
2019-07-13
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| 测试报告 - 英文 |
FCP125N65S3R0材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
FCP190N65S3R0 MOSFET–功率、N沟道、SuperFET III、Easy Drive 650 V、17 A、190 mΩ\n
Rev.4
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| 测试报告 - 英文 |
FCP11N60F材料成分声明
2019-08-11
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世强AI
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应用/方案
FCP190N65S3:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，17 A，190 mΩ，TO-220
FCP190N65S3是一款650V、17A、190mΩ的N-Channel SuperFET III MOSFET，采用电荷平衡技术，具有低导通电阻和低栅极电荷性能。适用于各种电源系统，具有高系统可靠性、低开关损耗、低有效输出电容等特点。
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650V SuperFET®III Easy Drive，用于硬开关和软开关拓扑的优化高压超级结MOSFET应用笔记
本文介绍了ON Semiconductor的第四代Super Junction MOSFET技术，即SUPERFET III Easy Drive MOSFET。该技术具有650V的击穿电压，主要特点包括易于使用、较低的EMI和降低的开关瞬态电压尖峰，同时具备优异的体二极管鲁棒性。Easy Drive技术通过集成优化的内部栅极电阻和优化器件电容来实现这些特性，适用于硬开关和软开关拓扑结构。文章还详细比较了Super Junction MOSFET技术与平面MOSFET技术的差异，并介绍了SUPERFET III Easy Drive系列产品的性能和优势。
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FCP190N65S3 650V SUPERFET III易驱动，适用于硬开关和软开关拓扑的优化高压超结MOSFET应用说明
本文介绍了ON Semiconductor的第四代Super Junction MOSFET技术，即SUPERFET III Easy Drive MOSFET。该技术具有650V的击穿电压，主要特点包括易于使用、较低的EMI和降低开关瞬变期间的电压尖峰，以及优异的体二极管鲁棒性。Easy Drive技术通过集成优化的内部栅极电阻和优化的器件电容来实现这些特性，适用于硬开关和软开关拓扑结构。文章详细讨论了Super Junction MOSFET技术，包括其结构、工作原理和性能优势，以及SUPERFET III Easy Drive系列产品的应用和特性。
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FCP190N65S3R0:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，17 A，190 mΩ，TO-220
FCP190N65S3R0是一款650V、17A、190mΩ的N-Channel SuperFET III MOSFET，采用ON Semiconductor的全新高压超结(SJ)MOSFET技术，具有低导通电阻和低栅极电荷性能。该器件适用于各种电源系统，以实现小型化和高效率。主要特点包括700V耐压、低有效输出电容、超低栅极电荷和优化电容。此外，该器件具有高系统可靠性、低开关损耗和低峰值Vds及Vgs振荡。适用于计算、消费、电信、工业、LCD/LED电视、LED照明/镇流器和适配器等领域。
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消费电子解决方案手册：安森美半导体为家庭娱乐和信息、小型电器和白色家电提供全面的解决方案
本文介绍了ON Semiconductor在USB-C接口元器件领域的解决方案，包括为移动电源、AC-DC适配器、壁式插座、坞站、主动线缆、蓝牙低功耗无线电SoC、IEEE 802.15.4无线收发器、Sigfox解决方案、低功耗无线电解决方案、KNX收发器、PoE控制器、图像传感器、视频信号放大器、自动对焦驱动器、光学图像稳定驱动器和电容式触摸传感器等。这些解决方案旨在提供高效、可靠和灵活的接口解决方案，以满足各种消费电子产品的需求。
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白色家电解决方案
该资料由ON Semiconductor提供，主要介绍了其在白色家电领域的完整解决方案。内容涵盖电源供应、逆变器驱动、系统控制、用户界面和智能家电等功能。资料详细介绍了多种元器件，包括传感器、驱动器、微控制器、电源管理组件等，并提供了相关产品的技术规格和应用图。此外，还涉及了无刷直流电机控制、步进电机驱动器、中高压功率MOSFET、高压功率MOSFET、智能功率模块（IPM）和离散IGBT等关键技术和产品。
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【产品】内置ESD防护器件的共模滤波器CMF EMI814x，高速差分线首选
安森美(littelfuses收购）推出的共模滤波器（CMF）EMI814x系列，内置ESD保护器件，属业内首创。EMI814x系列可以同时为差分信号提供共模滤波和ESD保护。EMI814x系列符合IEC61000-4-2标准，可防止高达±15 kV接触放电，非常适合保护系统高速差分端口，如USB 3.0、MIPI D-PHY以及小尺寸封装中需要ESD保护的其他应用。
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FCP125N65S3:N沟道SuperFET®III MOSFET 650 V，24 A，125 mΩ
FCP125N65S3是一款650V、24A、125mΩ的N-Channel SuperFET III MOSFET，采用电荷平衡技术，具有低导通电阻和低栅极电荷性能。该产品适用于计算、显示、电信和工业电源系统，具有700V耐压、105mΩ典型导通电阻、46nC典型栅极电荷和439pF典型有效输出电容等特点。
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为开关电源设计选择功率开关器件mosfet还是igbt？
本文探讨了在开关模式电源（SMPS）设计中选择功率开关器件（MOSFET或IGBT）的关键参数。文章分析了硬开关和软开关ZVS拓扑中的开关损耗，并讨论了二极管恢复性能对硬开关拓扑的影响。文章还强调了冷却系统对器件选择的影响，并比较了IGBT和MOSFET在低频和高功率设计中的优势。此外，文章还讨论了导通损耗、关断损耗和栅极驱动要求，以及热管理和器件选择的重要性。
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650V快速恢复SuperFET®II MOSFET，用于谐振拓扑中的高系统效率和可靠性
本文介绍了650V快速恢复SuperFET II MOSFET技术，该技术结合了更快的开关速度和更坚固的体二极管性能，与上一代SuperFET I MOSFET相比，RDS(ON)降低了40%。该MOSFET适用于谐振拓扑，具有低输出电容储能和极快的开关速度，提高了服务器和电信电源应用的可靠性和效率。文章还讨论了谐振拓扑中的软开关技术，以及如何通过优化MOSFET的性能来提高系统效率。
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FEBFAN7688SJXA_CP 14U306评估板用户指南
本资料为Fairchild Semiconductor公司生产的FEBFAN7688SJXA_CP14U306评估板的用户指南。该评估板基于FAN6982和FAN7688芯片，实现306W的80Plus铂金级电源解决方案。指南详细介绍了评估板的功能、规格、电路图、物料清单、变压器和绕组规格、测试条件与设备、性能测试结果等内容，旨在帮助用户了解和使用该评估板。
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LLC谐振转换器中MOSFET失效模式的分析
本文分析了LLC谐振转换器中MOSFET的潜在故障模式和机制，并提出了防止故障的简单且成本效益的解决方案。文章讨论了启动、过载和输出短路等条件下可能出现的故障模式，并重点介绍了改进的FRFET®器件在提高系统可靠性方面的作用。实验结果表明，FRFET®能够有效减少启动和短路条件下的潜在可靠性问题，同时不影响系统效率和其它操作。
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产品概述LC725KVS:RDS（RBDS）解调IC
LC72725KVS是一款RDS（RBDS）解调集成电路，符合欧洲广播联盟RDS标准和美国NRSC RBDS标准。该器件集成了带通滤波器、解调器和数据缓冲器。特点包括：带通滤波器为开关电容式，无需调整；RDS解调支持57 kHz载波和RDS数据时钟再生，双相解码和差分解码；数据缓冲器容量为128位（约100毫秒），可在片上数据缓冲器RAM中恢复；支持主从输出模式选择；低电压工作（3.0-5.5V）；易于替换竞争对手的RDS解调器（主模式）；具有待机控制功能，以降低功耗和减少EMI/EMC影响。适用于汽车/家用收音机、导航系统、自行车导航、便携式导航设备等。
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产品概述NCP1126：离线开关电源用高压开关稳压器
NCP1126是一款高压开关稳压器，适用于离线SMPS。该产品集成了固定频率峰值电流模式控制器和低导通电阻高压650V MOSFET。NCP1126提供高集成度，包括软启动、频率抖动、短路保护、热关断保护、频率折返模式和跳周期以降低轻载条件下的功耗。在正常负载下，该器件在65kHz或100kHz的可用频率之一下切换。当输出功率需求降低时，IC自动进入频率折返模式，并在轻载条件下提供优异的效率。当功率需求进一步降低时，它进入跳转模式以降低待机功耗至无负载条件。保护功能包括：定时器检测过载或短路事件，具有自动恢复或锁定保护，以及内置VCC过压保护。该开关器还提供抖动的65kHz或100kHz开关频率，以改善EMI。
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产品概述KA7909:3端子1A负电压调节器
KA7909是一款三端负压稳压器，适用于多种应用场景。该产品具有超过1A的输出电流，提供-5V至-24V的固定输出电压，并具备内部过热保护、短路保护和安全工作区补偿等功能。产品符合无铅标准，目前处于活跃状态。
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