Materials Declaration Form XLDZ*FQ6LB62
发布时间：
2018-02-24
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ST（意法半导体）
型号：
STP43N60DM2
本资料为STMicroelectronics提供的IPC 1752材料声明表，详细阐述了产品STP43N60DM2的制造信息，涵盖材料成分、环保要求及化学物质含量等核心数据。文件明确指出该产品符合欧盟RoHS指令2011/65/EU的要求，并声明不含有REACH法规中定义的高度关注物质，为产品的合规性与环保属性提供了权威依据。针对文中所述器件，STMicroelectronics在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可依托平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。此外，平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
加工定制
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
立即提交 丙烯酸/光固化&双固化UV胶定制 >>
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
立即提交 ATP半导体冷板制冷器定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
STP43N60DM2 N通道600 V，0.085Ω（典型值），34 A™ TO-220封装中的DM2功率MOSFET
Rev 5
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料申报单XLDZ*MQ6LB62
Version A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP4NK60Z，STP4NK60ZFP N通道600 V，1.7Ω典型值，4 A齐纳保护超级网™ TO-220和TO-220FP封装中的功率mosfet
Rev 2
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料申报表TLDZ*EZ62B61
Version A
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
STP4NK50Z-STP4NK50ZFP STD4NK50Z-STD4NK50Z-1 N通道500V-2.4W-3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK齐纳保护超级网™功率MOSFET
2017/12/13
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP45NF3LL-STP45NF3LLFP STB45NF3LL N沟道30V-0.014Ω-45a TO-220-TO-220FP-D2PaK STripFET II™功率MOSFET
Rev 4
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料申报表TLDZ*ED6QB61
Version A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP4LN80K5 N沟道800 V、2.1Ω（典型值）、3 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用TO-220封装
Rev 2
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
STP4NK80Z物资申报表
Version A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP45NF06 N沟道60 V、0.22Ω（典型值）、38 a、STripFET™II功率MOSFET，采用TO-220封装
Rev 6
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明TSDZ*E33C66N
Version A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP4N90K5 N沟道900 V、1.90Ω（典型值）、3 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用TO-220封装
Rev 1
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料申报表TLDZ*FZ51661
Version A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP410N4F7AG汽车级N沟道40 V，1.5 mΩ典型值，180 A带状场效应晶体管™ TO-220封装中的F7功率MOSFET数据表
Rev 1
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料申报表TLDZ*MM2KB61
Version A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP40NF10 N沟道100 V、0.025Ω、50 a TO-220低栅电荷STripFET™II功率MOSFET
Rev 5
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
STP46NF30材料申报表
Version 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP40NF12 N沟道120V-0.028Ω-40a TO-220低栅电荷STripFET™II功率MOSFET
Rev 3
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
STP410N4F7AG材料申报表
Version 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP45N60DM2AG汽车级N通道600 V，0.085Ω典型值，34 A MDmesh™ TO-220封装中的DM2功率MOSFET
Rev 1
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料申报表XLDZ*MQFLB62
Version A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP45N40DM2AG汽车级N沟道400 v、0.063Ω（典型值）、38 A MDmesh™DM2功率MOSFET，采用to-220封装
Rev 3
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
STP46N60M6材料申报表
Version 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP4NK80Z-STP4NK80ZFP STD4NK80Z-STD4NK80Z-1 N通道800V-3Ω-3A-TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-保护超级网™ MOSFET数据表
Rev 8
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料申报表STP45N40DM2AG
Version 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP4NK80Z-STP4NK80ZFP STD4NK80Z-STD4NK80Z-1 N通道800V-3Ω-3A-TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-保护超级网™ MOSFET
Rev 8
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
STP4NK60ZFP材料申报表
Version 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STB4NK60Z-1、STB4NK60ZT4、STD4NK60Z-1、STD4NK60ZT4 N通道600 V、1.7Ω典型值、4 A超级网孔™ I2PAK、D2PAK、IPAK和DPAK封装中的功率mosfet产品介绍
Rev 9
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ENF0*UQ34J31
Version A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP40NF10L N沟道100V-0.028Ω-40ATO-220低栅电荷剥离场效应晶体管™ 功率MOSFET
Rev 3
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料申报表TLDZ*MM0GB6B
Version A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STB40N60M2、STP40N60M2、STW40N60M2 N通道600 V，0.078Ω典型值，采用D2PAK、TO-220和TO-247封装的34 A MDmesh M2功率MOSFET
Rev 4
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
STP45N60DM6材料申报表
Version 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STF40NF03L STP40NF03L N通道30 V，0.018Ω，40 ATO-220，TO-220FP带状场效应晶体管™ 功率MOSFET
Rev 8
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料申报表STP4NK60ZFP TSFP*EZ62B6V
Version A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STI40N65M2，STP40N65M2 N通道650 V，0.087Ω典型值，32 A MDmesh™ I²PAK和TO-220封装中的M2功率MOSFET
Rev 1
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料申报表T2DZ*OD0CJ52
Version A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
STP45N60DM6 N通道600 V，0.085Ω（典型值），30 A™ TO-220和TO-247封装中的DM6功率mosfet产品介绍
Rev 2
|
下载 |
技术论坛
有一款ST厂牌的N型MOS管，料号为STP40NF03L，现因缺货继续寻找替代物料，国产亦可。
查看官方回答 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
AN2946应用说明太阳能LED路灯控制器，带有基于STM32F101 Rx的25W LED灯驱动器和85W电池充电器
本资料介绍了基于STM32F101Rx的太阳能LED路灯控制器，包括电池充电器和LED灯驱动器。控制器在白天存储太阳能模块收集的电能，晚上使用电池为LED路灯供电。控制器具备MPPT（最大功率点跟踪）算法、自动日夜检测、电池充电管理、LED灯驱动管理、系统监控等功能，并具有过压、欠压、过流、过温保护功能。资料详细描述了硬件设计和固件设计，包括电源电路、太阳能模块控制电路、电池充电器电路、LED灯驱动电路等。
阅读原文 >>
电源管理指南
阅读原文 >>
电源管理指南
本文详细介绍了意法半导体在电源管理领域的解决方案和产品。涵盖了能源生产和分配、电源、可穿戴设备、LED照明和控制、电动汽车、工业电源及工具、大型家用电器等应用场景。重点介绍了意法半导体的AC-DC转换IC、电池管理IC、DC-DC转换IC、数字电源控制器和微控制器、二极管和整流管、热插拔电源管理、IGBT、智能电源模块、智能电源开关、LED驱动器、线性电压稳压器、LNB电源、光伏IC、功率MOSFET、有源以太网（POE）IC、保护器件、STDRIVE MOSFET和IGBT栅极驱动器、USB TYPE-C和功率传输控制器等产品。同时，还提供了eDesignSuite等软件工具和参考设计，以帮助工程师设计和优化高效的电源解决方案。
阅读原文 >>
电源管理指南
阅读原文 >>
MDMESH™DM6快速恢复体二极管SJ MOSFET
MDmesh™ DM6系列600V-650V快速恢复体二极管超结MOSFET，适用于全桥和半桥拓扑结构。该系列具有极低的RDS(on)和优化的电容特性，适用于轻载条件，提供高效率性能和增加功率密度。主要应用包括电动汽车充电站、LED照明、电信、服务器和太阳能逆变器等。
阅读原文 >>
MDMESH™DM2：STPower MOSFET系列，采用快速恢复体二极管
MDmesh™ DM2系列STPOWER MOSFET采用超结技术，具有快速恢复体二极管，适用于电信、汽车、太阳能逆变器及电机控制应用。该系列MOSFET具有高耐压（400/650V）、低导通电阻（RDS(on)）、快速恢复二极管和低栅极电荷等特点，提供优异的关断能量、低输入电容和短恢复时间，适用于提高安全范围、动态行为、高负载效率和降低导通损耗。
阅读原文 >>
电源管理 2019版指南
本指南详细介绍了电源管理领域的最新技术和产品，涵盖了能源生产与分配、可穿戴设备、LED照明、电动车辆、工业电源、大型家用电器、软件工具、AC-DC转换IC、电池管理IC、DC-DC转换IC、数字电源控制器、微控制器、二极管、整流器、热插拔电源管理、IGBT、智能电源开关、LED驱动器、线性电压稳压器、LNB电源、光伏IC、功率MOSFET、通过以太网集成电路供电、保护器件等多个方面。指南重点介绍了意法半导体的产品组合，包括碳化硅功率分立器件、高压和低压功率MOSFET、IGBT、定制功率模块、二极管、保护器件、AC-DC转换器和控制器、DC-DC转换器、线性稳压器、模拟IC、电池管理IC、数字控制器、STM32微控制器、MOSFET和IGBT栅极驱动器，以及各种高性能传感器和无线、有线连接IC。此外，指南还提供了全面的参考设计、硬件和软件评估和开发工具，以帮助工程师设计高效电源解决方案。
阅读原文 >>
移动设备ST的解决方案
STMicroelectronics为移动设备提供全面的解决方案，涵盖MEMS和传感器、成像解决方案、音频解决方案、移动安全、NFC&RFID、串行EEPROM、信号调理、微控制器、电机驱动IC、射频、智能天线调谐、接口、保护、EMI滤波、ESD保护和电源/电池管理。这些解决方案包括高性能MEMS传感器、成像解决方案、音频子系统、移动安全产品、NFC和RFID标签和读取器，以及多种接口和保护产品。ST的产品旨在满足移动平台供应商和移动设备制造商的需求，提供高性价比的解决方案。
阅读原文 >>
Power management Guide 产品介绍
本指南介绍了ST公司在电源管理领域的解决方案，包括AC-DC转换器、开关DC-DC转换器、硅和SiC功率MOSFET、IGBT、硅和SiC整流器、保护器件、线性稳压器、电池管理IC、LED驱动器、数字控制器、微控制器等。指南详细介绍了ST的电源管理产品在电源、LED照明、可再生能源、无线充电、家用电器、焊接、不间断电源（UPS）和电动汽车车载充电器等领域的应用，并提供相关系统评估板和软件工具，以帮助设计师快速选择合适的器件。
阅读原文 >>
Products and solutions for Wearable devices 产品介绍
本资料介绍了STMicroelectronics公司为可穿戴设备提供的各类产品和解决方案，包括运动、环境和接近传感器、信号调理、微控制器、电机驱动IC、安全、无线连接、电源/电池管理、用户界面等。资料详细阐述了STMicroelectronics在可穿戴设备领域的解决方案，涵盖了智能手表、健身追踪器、心率监测器、体育设备等多种可穿戴设备的需求。同时，资料还介绍了STMicroelectronics的MEMS和传感器产品，包括加速度计、数字罗盘、惯性模块、麦克风、环境传感器等，以及信号调理、微控制器、电源管理等方面的产品和技术。
阅读原文 >>
600 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost ef ciency and robustness 产品介绍
STMicroelectronics推出的600 V MDmesh™ DM6fast-recovery SJ MOSFETs，采用新型寿命终结工艺，优化电容特性和低栅极电荷（Qg）、极低恢复电荷（Qrr）、低恢复时间（trr）以及每单位面积RDS(on)的显著提升，适用于全桥和半桥拓扑结构，提高效率与系统可靠性。该系列MOSFETs具有极低RDS(on)、高dv/dt、优化体二极管恢复阶段和软度，适用于电动汽车充电站、LED照明、电信、服务器和太阳能逆变器等领域。
阅读原文 >>
