Materials Declaration Form TLDZ*MQFHB62
发布时间：
2018-02-24
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ST（意法半导体）
型号：
STP24N65M2
本资料为STMicroelectronics提供的IPC 1752材料声明表，详细阐述了公司信息、产品详情及制造数据。该声明表重点涵盖了RoHS指令与REACH法规的合规性查询，并精确列出了产品材料成分、含量及其对应的CAS编号，明确声明产品符合相关环保法规要求。基于该合规声明，用户可通过世强硬创平台获取STMicroelectronics原厂授权的正品器件，该品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。平台相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外，平台专职FAE团队可提供选型、设计验证及调试支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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加工定制
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可定制ATA TE Cooler的冷却功率范围：35~800W；控温精度：≦±0.1℃；尺寸：冷面：20*20到500*300；热面：60*60到540*400 （长*宽；单位mm）。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
STB24N65M2、STF24N65M2、STP24N65M2 N沟道650 V，0.185Ω典型值，D2PAK、TO-220FP和TO-220封装中的16 A MDmesh M2功率MOSFET
Rev 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表TLDZ*QD0DB31
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STP24DP05 24位恒流LED灌电流驱动器，具有输出错误检测功能
Rev 5
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| 测试报告 - 英文 |
STP24DP05BTR材料申报表
Version 2
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| 技术文档 - 英文 |
STF2NK60Z-STQ2NK60ZR-AP STP2NK60Z-STD2NK60Z-1 N通道600V-7.2Ω-1.4ATO-220/TO-220FP/至-92/IPAK齐纳保护超级网™ MOSFET
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
STP24NF10 N沟道100 V、55 mΩ（典型值）、26 A STRIPFET II功率MOSFET，采用TO-220封装数据手册
Rev 8
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| 测试报告 - 英文 |
STP240N10F7物资申报表
Version 2
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| 技术文档 - 英文 |
STP200NF04 STB200NF04-STB200NF04-1 N沟道40V-120 A-3.3 mΩTO-220/D²PAK/I²PAK STripFET™II MOSFET
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
STP24N60M6 N沟道600 V、162 MΩ（典型值）、17 a、MDMesh™M6功率MOSFET，采用TO-220封装
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表TLDZ*MQ6HB63
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB24NF10 STP24NF10 N沟道100V-0.0055Ω-26A-TO-220-D²PAK低栅电荷剥离场效应晶体管™ II功率MOSFET
09-Aug-2006
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| 测试报告 - 英文 |
TLDZ*BQ65B62物资申报表
Version 2
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| 数据手册 - 英文 |
STP240N10F7 N通道100 V，2.85 mΩ典型值，110 A带状场效应晶体管™ TO-220封装的F7功率MOSFET
Rev 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表TLDZ*FQ6HB61
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
基于STP24DP05BTR的STEVAL-ILL032V1多色LED矩阵演示板
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
STP2NK90Z材料申报表
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
基于STP24DP05和STM32的带LED错误检测的STEVAL-ILL015V1高亮度RGB LED阵列
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报TLDZ*5H3AB52
Version A
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| 技术文档 - 英文 |
智能产业产品与解决方案
January 2018
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| 数据手册 - 英文 |
STB24N60M2、STI24N60M2、STP24N60M2、STW24N60M2N沟道600 V、0.168Ω（典型值）、18 a MDMesh II Plus™低Qg功率MOSFET，采用D2PaK、I2PaK、TO-220和TO-247封装
Rev 5
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表STP26N60M2 T2DZ*MQ6WB62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB24N60DM2、STP24N60DM2、STW24N60DM N沟道600 V、0.175Ω（典型值）、18 a FDmesh II Plus™低Qg功率MOSFET，采用D2PaK、TO-220和TO-247封装
Rev 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表TLDZ*EZ026WF
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
采用TO-220FP、I²PaK、TO-220和TO-247封装的STF24NM60N、STI24NM60N、STP24NM60、STW24NM60N N沟道600 V、0.168Ω（典型值）、17 a MDmesh™II功率MOSFET
Rev 4
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表T2DZ*MQ66B62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STW24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65-STB24NM65-STP24NM65N N沟道650 V-0.16Ω-19 a-TO-220-TO-220FP-D2PaK I2PaK-TO-247第二代MDmesh™功率MOSFET
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表T3DZ*7L3EBC2
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STP26N60DM6 N沟道600 V、165 mΩ（典型值）、18 A、MDmesh DM6功率MOSFET，采用TO‑220封装规格书
Rev 3
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| 测试报告 - 英文 |
物资申报表CCDZ*VJ80B52
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STP260N4F7 N通道40 V，1.8 mΩ典型值，120 A带状场效应晶体管™ TO-220封装中的F7功率MOSFET数据表
Rev 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表T2DZ*MQF6B62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STP26N60DM6 N沟道600 V、165 MΩ（典型值）、18 a、MDMesh™DM6功率MOSFET，采用TO‑220封装
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表STP28N60DM2 T2DZ*FQ66B62
Version A
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世强AI
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应用/方案
管理一流的MDmesh™ V和MDmesh™ II超级连接技术：驱动和布局关键注意事项
本文详细介绍了STMicroelectronics的MDmesh™ V和MDmesh™ II超级结技术，分析了两种技术在能量损耗、电压和电流速率方面的差异。文章重点讨论了外部驱动网络对性能的影响，并单独探讨了布局寄生效应及其对MOSFET行为的影响。文章强调，布局对于管理快速瞬态至关重要，需要精心规划以充分利用MOSFET的最佳潜力。
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STEVAL-LLL006V1：使用6LoWPAN网状网络的智能LED驱动器用于室外街道照明设计说明
本设计笔记介绍了基于6LoWPAN网状网络的80W恒流智能LED驱动器，适用于户外街道照明。该驱动器具有宽输入电压范围（90VAC至300VAC）和宽输出电压范围（60VDC至110VDC），具备高功率因数和低输入电流谐波因数。通过微控制器和SubGHz无线模块实现远程控制，待机功耗小于500mW。设计包括功率管理、LED驱动、MCU、Sub 1 GHz无线模块和网关，支持PWM调光、远程控制和6LoWPAN网状网络功能。
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电源管理指南
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电源管理指南
本文详细介绍了意法半导体在电源管理领域的解决方案和产品。涵盖了能源生产和分配、电源、可穿戴设备、LED照明和控制、电动汽车、工业电源及工具、大型家用电器等应用场景。重点介绍了意法半导体的AC-DC转换IC、电池管理IC、DC-DC转换IC、数字电源控制器和微控制器、二极管和整流管、热插拔电源管理、IGBT、智能电源模块、智能电源开关、LED驱动器、线性电压稳压器、LNB电源、光伏IC、功率MOSFET、有源以太网（POE）IC、保护器件、STDRIVE MOSFET和IGBT栅极驱动器、USB TYPE-C和功率传输控制器等产品。同时，还提供了eDesignSuite等软件工具和参考设计，以帮助工程师设计和优化高效的电源解决方案。
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电源管理指南
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医疗设备的电源解决方案
本资料主要介绍了STMicroelectronics公司为医疗设备提供的电源解决方案。内容包括医疗电源的重要性、不同类型的电源模块（如开放框架、封闭式、无风扇和可配置模型）、AC/DC转换器、DC/DC模块以及电池备份等。资料还详细介绍了ST公司提供的医疗级电源产品，包括PFC转换器、LLC转换器、MOSFET、二极管、保护器件、电池充电器、电池监控器、温度传感器、微控制器、线性稳压器和开关转换器等。此外，资料还强调了保护措施的重要性，并介绍了eDesignSuite软件套件，用于简化电源设计过程。
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MDMESH™DM6快速恢复体二极管SJ MOSFET
MDmesh™ DM6系列600V-650V快速恢复体二极管超结MOSFET，适用于全桥和半桥拓扑结构。该系列具有极低的RDS(on)和优化的电容特性，适用于轻载条件，提供高效率性能和增加功率密度。主要应用包括电动汽车充电站、LED照明、电信、服务器和太阳能逆变器等。
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EuP标段6备用的第2层生态设计要求：ST准备就绪
本文主要介绍了ST公司在降低待机功耗方面的承诺和技术进展。文章涵盖了全球能源标准趋同的背景，ST公司在待机功耗降低方面的技术发展，包括智能功率IC、功率离散元件、高效开关器件技术等。此外，文章还详细解读了EuP Lot 6 Tier2标准，并展示了ST公司如何通过其先进控制器和功率MOSFET技术满足这一标准。最后，文章通过系统解决方案STEVAL-ISA170V1和EVL400W-ADP/ATX，展示了ST公司在待机功耗降低方面的实际应用和测试结果。
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基于STCMB1、combo TM PFC、HB LLC和SRK2001、自适应SR控制器的12 V-210 W转换器
本资料介绍了EVLCMB1-AIO210W演示板，一款适用于一体机AC/DC适配器的12V-210W转换器。该转换器具有宽输入电压范围和轻载低功耗的特点。其架构采用两阶段设计：前端过渡模式PFC预调节器和下游LLC谐振半桥转换器。在次级侧，同步整流由SRK2001控制，从而提高了整体效率并减少了外部元件数量。PFC和LLC控制器均集成在STCMB1组合集成电路中，该集成电路还集成了高压启动发生器、X电容放电电路、AC/DC欠压/过压功能和一系列保护功能。PFC部分采用专有的恒定导通时间控制方法，无需正弦输入参考，从而降低了系统成本和外部元件数量。LLC部分基于专有的时间移位控制方法，改善了动态行为和输入纹波抑制，从而实现了更清洁的输出电压。
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电机控制参考指南
本资料详细介绍了ST公司在电机控制领域的生态系统，包括PMSM & BLDC电机、三相感应电机（ACIM）、步进电机、直流有刷电机和通用电机等。资料涵盖了关键产品、评估板、参考设计和开发工具，旨在简化设计周期并加速产品开发。ST公司致力于提供高效、可靠的电机控制解决方案，以支持市场对新技术的渗透。
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电源管理 2019版指南
本指南详细介绍了电源管理领域的最新技术和产品，涵盖了能源生产与分配、可穿戴设备、LED照明、电动车辆、工业电源、大型家用电器、软件工具、AC-DC转换IC、电池管理IC、DC-DC转换IC、数字电源控制器、微控制器、二极管、整流器、热插拔电源管理、IGBT、智能电源开关、LED驱动器、线性电压稳压器、LNB电源、光伏IC、功率MOSFET、通过以太网集成电路供电、保护器件等多个方面。指南重点介绍了意法半导体的产品组合，包括碳化硅功率分立器件、高压和低压功率MOSFET、IGBT、定制功率模块、二极管、保护器件、AC-DC转换器和控制器、DC-DC转换器、线性稳压器、模拟IC、电池管理IC、数字控制器、STM32微控制器、MOSFET和IGBT栅极驱动器，以及各种高性能传感器和无线、有线连接IC。此外，指南还提供了全面的参考设计、硬件和软件评估和开发工具，以帮助工程师设计高效电源解决方案。
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STP21N90K5 800/1500 V MDmesh K5: First VHV super-junction MOSFET series 产品介绍
ST公司推出新一代MDmesh™ K5系列高压超结MOSFET，适用于平板电视、太阳能逆变器、工厂自动化等领域。该系列MOSFET具有极低的导通电阻、高开关速度和宽BVdss电压范围，可提高电源效率并降低设计复杂性。
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电机控制参考指南
本资料详细介绍了ST公司在电机控制领域的生态系统，包括PMSM & BLDC电机、三相感应电机（ACIM）、步进电机和直流电机等。资料涵盖了从电机驱动IC、功率MOSFET、IGBT、门驱动器、功率模块到专用微控制器等全系列电子器件。ST致力于提供高效、可靠的电机控制解决方案，以支持市场对新技术的渗透，并提高安全性和可靠性。资料还提供了多种评估板、参考设计、固件和开发工具，以简化并加速设计周期。
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电机控制参考指南
本文档为ST公司提供的电机控制参考指南，涵盖了电机控制领域的多种技术和产品。内容包括永磁同步电机（PMSM）和Brushless DC电机、三相感应电机（ACIM）、步进电机、直流电机、通用电机、开关磁阻电机等。指南详细介绍了ST公司在电机控制领域的解决方案，包括微控制器、电机驱动IC、功率模块、功率MOSFET、IGBT、二极管和整流器等。此外，还提供了评估板、参考设计和开发工具等信息，以简化设计流程并加速设计周期。
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STL220N6F7 60, 80 and 100 V STripFET™ F7 MOSFETs 产品介绍
STripFET™ F7 MOSFETs是ST公司最新一代的先进技术产品，采用新型沟槽栅极结构，在导通电阻方面创造了新纪录。该系列MOSFET在60V、80V和100V电压等级下提供业界最佳的导通电阻，同时具有最小的电容和栅极电荷。这些特性有助于简化最终设计，减少设备尺寸和成本，并满足系统功率和效率目标。主要应用领域包括电信、计算系统、太阳能逆变器、工业自动化和汽车应用。
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Power management Guide 产品介绍
本指南介绍了ST公司在电源管理领域的解决方案，包括AC-DC转换器、开关DC-DC转换器、硅和SiC功率MOSFET、IGBT、硅和SiC整流器、保护器件、线性稳压器、电池管理IC、LED驱动器、数字控制器、微控制器等。指南详细介绍了ST的电源管理产品在电源、LED照明、可再生能源、无线充电、家用电器、焊接、不间断电源（UPS）和电动汽车车载充电器等领域的应用，并提供相关系统评估板和软件工具，以帮助设计师快速选择合适的器件。
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600 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost ef ciency and robustness 产品介绍
STMicroelectronics推出的600 V MDmesh™ DM6fast-recovery SJ MOSFETs，采用新型寿命终结工艺，优化电容特性和低栅极电荷（Qg）、极低恢复电荷（Qrr）、低恢复时间（trr）以及每单位面积RDS(on)的显著提升，适用于全桥和半桥拓扑结构，提高效率与系统可靠性。该系列MOSFETs具有极低RDS(on)、高dv/dt、优化体二极管恢复阶段和软度，适用于电动汽车充电站、LED照明、电信、服务器和太阳能逆变器等领域。
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