MC74VHC1G04 Single Inverter
发布时间：
2018-02-26
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MC74VHC1G04DFT1G; NLVVHC1G04DFT1G*; MC74VHC1G04DFT2G; NLVVHC1G04DFT2G*; MC74VHC1G04DTT1G
加工定制
可自由定制铜排形状尺寸；检测精度：0.5%~1.0；电流测量范围 ±300-500A。低噪音 (0.27mVpp)；低磁力残余误差:2mV；响应性能<4μSec；支持RoHS指令 、AEC-Q200。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MC74VHC1G04：单逆变器
2/5/2020
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MC74VHC1G04：单逆变器
12/1/2017
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材料成分声明MC74VHC1G04DTT1G
2018-01-19
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VHC1G0744单逆变器产品概述
1/15/2018
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| 测试报告 - 英文 |
CMOS逆变门的材料组成
2017-12-26
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| 测试报告 - 英文 |
CMOS逆变门的材料组成
2017-12-26
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| 测试报告 - 英文 |
CMOS逆变门的材料组成
2017-12-26
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CMOS逆变门的材料组成
2017-12-26
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CMOS逆变门的材料组成
2017-12-26
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CMOS逆变门的材料组成
2017-12-26
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CMOS逆变门的材料组成
2017-12-26
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材料成分声明MC74VHC1G04DFT1G
2018-01-19
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MC74VHC1G04单逆变器产品概述
7/13/2019
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MC74VHC1G04、MC74VHC1GT04单逆变器
Rev. 20
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MC74VHC1G04、MC74VHC1GT04单逆变器
Rev. 17
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MC74VHC1G04DFT1G材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHC1G04DFT2G材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHC1G04、MC74VHC1GT04单路逆变器数据手册
Rev. 21
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材料成分声明MC74VHC1G04DFT2G
2018-01-19
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| 测试报告 - 英文 |
MC74VHC1G04DTT1G材料成分声明
2020-01-24
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MC74VHC1G04DTT1G材料成分声明
2019-07-18
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材料成分声明MC74VHC1G04DFT2
2018-01-19
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材料成分声明MC74VHC1G04DTT1
2018-01-19
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材料成分声明MC74VHC1G04DTT1
2017-12-26
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MC74VHC1G04DTT1材料成分声明
2019-07-18
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材料成分声明MC74VHC1G04DFT1
2018-01-19
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| 测试报告 - 英文 |
MC74VHC1G04DFT2材料成分声明
2019-07-18
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| 测试报告 - 英文 |
MC74VHC1G04DFT1材料成分声明
2019-07-18
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材料成分声明NLVVHC1G04DFT1G
2018-01-19
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NLVVHC1G04DFT2G材料成分声明
2019-07-18
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| 测试报告 - 英文 |
NLVVHC1G04DFT1G材料成分声明
2019-07-18
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NLVVHC1G04DFT2G
2018-01-19
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材料成分声明MC74VHC1G04DTT1H
2018-01-19
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MC74VHC1G04DT1H材料成分声明
2020-01-24
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MC74VHC1G04DT1H材料成分声明
2019-07-18
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| 测试报告 - 英文 |
单逆变器材料成分申报
2017-12-26
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| 测试报告 - 英文 |
MC74VHC1G04DBVT1H材料成分声明
2020-02-10
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MC74VHC1G04DTT2G
2018-01-19
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材料成分声明MC74VHC1G04DTT2G
2017-12-26
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MC74VHC1G04DTT2G材料成分声明
2019-07-18
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| 数据手册 - 英文 |
NCP5661，NCV5661低输出电压，超高速1.0A低压差线性稳压器与使能
Rev. 18
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NCP5661、NCV5661线性稳压器-低输出电压、超快速低压差、使能1.0 A
Rev. 19
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ATP304 MOSFET–功率，P沟道-60 V，6.5 mΩ，-100 A数据手册
Rev. 3
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BSS123 N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管数据表
Rev. 10
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NCV51705单通道6 A高速、低端SiC MOSFET驱动器
Rev. 4
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用于数字助听器的EZAIRO 7111混合音频处理器
Rev. 4
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FSCQ0765RT/FSCQ0965RT/FSCQ1265RT/fscq1565RT绿色模式Fairchild电源开关（FPS）
Rev. 2
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
产品概述NIMD6001A：带诊断输出的双N沟道MOSFET驱动器
NIMD6001A是一款双通道MOSFET驱动器，具备诊断输出功能。该产品具有3A的低边开关，集成公共禁用输入和漏极诊断输出。禁用引脚低电平时，将覆盖任何施加的栅极电压并关闭两个FET开关。若漏源电压超过约50V，诊断/反馈引脚将输出逻辑1。内部隔离二极管允许多个设备的禁用和诊断/反馈引脚以有线或配置相互连接，无需额外组件。主要特点包括低RDSON、低开关损耗、雪崩能量规格、电感负载额定、栅极驱动禁用输入、控制灵活性、漏源电压诊断反馈输出、关断验证、电气隔离漏极、低串扰、内部电阻限制峰值瞬态栅极电流、较低的驱动电流以及AEC-Q101认证，适用于汽车应用。
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产品概述NUP2201：瞬态电压抑制器，低电容，用于高速数据线
NUP2201MR6T1是一款低电容瞬态电压抑制器，专为高速通信线路设计，用于保护设备免受ESD、EFT和雷击的影响。其主要特点包括低电容（I/O线间最大3pF）、符合人体模型3B级（超过8kV）和机器模型C级（超过400V）的ESD额定值，以及针对IEC标准的保护。该产品适用于高速通信线路保护、数字视频接口（DVI）、USB 1.1和2.0电源和数据线路保护以及显示器和平板显示器。
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产品概述CAT5171：数字电位器（POT），256抽头，I2C兼容
CAT5171是一款256位置的线性梯形数字电位器，适用于替代机械电位器和可变电阻。它通过I2C兼容的数字接口控制滑动端设置。该设备在电源开启时滑动端位于中点，可在电源稳定后重新定位。CAT5171可在2.7V至5.5V的电压下工作，功耗低于2µA，适用于电池供电的便携式应用。该产品具有256位置、端到端电阻为50kΩ或100kΩ、I2C兼容接口、低功耗、宽工作温度范围（-40°C至+85°C）等特点，适用于电位器替代、工业设备、传感器调整、射频放大器偏置、增益控制和偏移调整等应用。
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