CAT5409WI-00-T1 Material Composition Declaration
发布时间：
2019-10-18
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
CAT5409WI-00-T1
本资料详细介绍了Onsemi公司CAT5409WI-00-T1产品的材料成分声明及RoHS合规性信息。该声明详细列出了器件内部所使用的硅、银、环氧树脂、锡、金等关键材料及其含量，并明确确认该产品完全符合欧盟RoHS指令的环保要求。此外，资料中还涵盖了产品的制造信息、温度曲线以及回流焊参数等关键技术细节，旨在为用户提供必要的数据支持，以确保产品在实际应用中的焊接质量与长期可靠性。Onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台支持相关型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并拥有充足的库存以满足不同阶段的采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
CAT5409四位数字电位器（POT），带64个抽头和I2C接口
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI-00-T1材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI-00-T1材料成分声明
2020-01-22
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CAT5409WI-00-T1材料成分声明
2019-07-14
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CAT5409WI-00-T1材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
带64个抽头和I²C接口的CAT5409四通道数字电位计（POT）规格书
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明DPP NV，四芯64分接头，I2C
2017-12-04
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材料成分声明DPP NV，四芯64分接头，I2C
2017-12-04
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材料成分声明DPP NV，四芯64分接头，I2C
2017-12-04
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材料成分声明DPP NV，四芯64分接头，I2C
2017-12-04
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT5409WI-00-T1
2018-01-06
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-12-04
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-12-04
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材料成分声明
2017-12-04
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CAT5409WI00材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI00材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI00材料成分声明
2019-03-30
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材料成分申报CAT5409WI00
2018-01-06
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CAT5409WI10材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI10材料成分声明
2019-07-14
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CAT5409WI10材料成分声明
2019-03-30
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CAT5409WI50材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI50材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI50材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT5409WI50
2018-01-06
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材料成分声明CAT5409WI10
2018-01-06
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT5409WI-10-T1
2018-01-06
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI-10-T1材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI-10-T1材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI-10-T1材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT5409WI-25-T1
2018-01-06
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI-50-T1材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI-50-T1材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI-50-T1材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI-25-T1材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI-25-T1材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
CAT5409WI-25-T1材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT5409WI-50-T1
2018-01-06
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| 数据手册 - 英文 |
用于PCIe®的NB3W1900L 3.3 V 100/133 MHz差分1:19 HCSL兼容推挽时钟ZDB/扇出缓冲器
Rev. 3
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| 电路原理图 - 英文 |
SiC驱动器板原理图
Revision: 1.1;Repository revision: 1219
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP1562评估板示意图
11/13/2006
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| 电路原理图 - 英文 |
NCV7750评估板第0版
Rev 0
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP3231同步降压转换器原理图
REV 1
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| 数据手册 - 英文 |
NTD6416AN：100V、17A、81MΩ单通道N沟道功率MOSFET
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
ES1B:1.0A超快恢复整流器
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NVJS3151P：单P沟道ESD保护沟槽式功率MOSFET-12V、-3.3A、60mΩ
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L：功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、易驱动、650V、19 A、165mΩ、TO-220F
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NGTB20N60L2TF1G：IGBT，N沟道600V，20A，VCE（饱和）；1.45V TO-3PF-3L，具有低VF开关二极管\n
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
运算放大器，单电源，四路
1/28/2020
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
Ezairo®7111 Pre Suite入门指南
Ezairo® 7111 Pre Suite 是一款针对助听器的全面解决方案，包括 Ezairo 7111 混合模块和 Ezairo 7111 固件包。该产品通过 Sound Designer 软件进行配置，使用 Ezairo 7111 混合演示板和编程盒进行通信。该文档提供了 Ezairo 7111 Pre Suite 的入门指南，说明了系统组件的交互和所需工具。主要内容包括 Ezairo 7111 混合模块、Ezairo 7111 固件包、Sound Designer 软件、混合演示板和编程盒的配置和使用方法。
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