NVMFD5485NLT1G Material Composition Declaration
发布时间:
2019-10-18
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
NVMFD5485NLT1G
本资料为Onsemi公司关于NVMFD5485NLT1G产品的材料成分声明,详细阐述了该器件的RoHS合规性。声明中不仅列出了产品制造过程中所使用的硅、银、铅、锡、铁、铜、磷等关键材料及其具体含量,还明确了生产环节的温度与时间参数,旨在全面验证产品符合RoHS指令的相关环保要求,为用户在绿色电子设计与合规性审查方面提供权威依据。Onsemi在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可协助用户进行选型、设计验证及调试,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFD5485NL双N沟道功率MOSFET 60V、20A、44mΩ产品概述
3/28/2019
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFD5485NL:双N沟道功率MOSFET 60V、20A、44mΩ产品概述
7/11/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NFET DFN8 60V 20A 60MOHM
2017-12-04
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材料成分声明NFET DFN8 60V 20A 60MOHM
2017-12-04
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材料成分声明NFET DFN8 60V 20A 60MOHM
2017-12-04
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材料成分声明NFET DFN8 60V 20A 60MOHM
2017-12-04
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述NVMFD5485NL:功率MOSFET 60V,20A,44 mOhm,双N沟道,SO8-FL,逻辑电平。
12/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFD5485NLT1G材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFD5485NLT1G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFD5485NL功率MOSFET 60 V,44 m×0002×20 A,双N沟道
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFD5485NLT1G
2018-01-17
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| 数据手册 - 英文 |
NVMFD5485NL MOSFET–功率、双通道
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFD5485NLT3G材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFD5485NLT3G材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明NVMFD5485NLT3G
2018-01-17
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NVMFD5485NLWFT3G材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFD5485NLWFT3G材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NVMFD5485NLWFT1G
2018-01-17
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NVMFD5485NLWFT1G材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFD5485NLWFT1G材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明NVMFD5485NLWFT3G
2018-01-17
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| 数据手册 - 英文 |
用于PCIe®的NB3W1900L 3.3 V 100/133 MHz差分1:19 HCSL兼容推挽时钟ZDB/扇出缓冲器
Rev. 3
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| 电路原理图 - 英文 |
SiC驱动器板原理图
Revision: 1.1;Repository revision: 1219
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP1562评估板示意图
11/13/2006
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| 电路原理图 - 英文 |
NCV7750评估板第0版
Rev 0
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP3231同步降压转换器原理图
REV 1
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NTD6416AN:100V、17A、81MΩ单通道N沟道功率MOSFET
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
ES1B:1.0A超快恢复整流器
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NVJS3151P:单P沟道ESD保护沟槽式功率MOSFET-12V、-3.3A、60mΩ
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FCPF165N65S3R0L:功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、易驱动、650V、19 A、165mΩ、TO-220F
1/29/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NGTB20N60L2TF1G:IGBT,N沟道600V,20A,VCE(饱和);1.45V TO-3PF-3L,具有低VF开关二极管\n
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
运算放大器,单电源,四路
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NTP5860N:单通道N沟道功率MOSFET 60V,220A,3.0mΩ\n
1/28/2020
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| 数据手册 - 英文 |
TCP-5047UB:无源可调谐集成电路(PHIC),4.7 pF
1/28/2020
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| 电路原理图 - 英文 |
NCP3235同步降压转换器
REV1
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| 数据手册 - 英文 |
FSB50250B:智能功率模块,500V,2A
1/27/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FDMF4061:高性能60V智能功率级模块
1/26/2020
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| 数据手册 - 英文 |
15C02CH:双极晶体管,15V,1A,低VCE(sat),NPN单CPH3
1/26/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NB6L611:时钟/数据扇出缓冲器,1:2差分,3 GHz,2.5 V/3.3 V,提供LVPECL输出
1/26/2020
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| 数据手册 - 英文 |
HMHA2801A:4引脚半间距小型平板光电晶体管光耦合器
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
FCP125N65S3R0:功率MOSFET、N沟道、SuperFET®III、Easy Drive、650V、24A、125 mΩ、TO-220
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
CAV25160:EEPROM串行16 KB SPI-汽车级
1/25/2020
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| 数据手册 - 英文 |
NTZD3152P MOSFET–双通道、P沟道、ESD保护、小信号、SOT-563
Rev. 6
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NTTFS5820NL MOSFET–电源
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5826NL MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8FL
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS5811NL MOSFET–功率、单通道、N沟道
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
NTTFS4H07N MOSFET–功率、单通道、N沟道、μ8-FL
Rev. 3
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世强AI
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应用/方案
产品概述NVMFD5485NL:功率MOSFET 60V,20A,44 mOhm,双N沟道,SO8-FL,逻辑电平。
NVMFD5485NL是一款60V、20A、44 mOhm的双通道N沟道MOSFET,采用SO8-FL封装,适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计,具有高热性能。产品具有低导通电阻、最小传导损耗、小型封装和减少的模块尺寸等特点,适用于汽车应用,包括电磁阀驱动器、汽车发动机控制器、低边/高边驱动器和防抱死制动系统等。产品符合AEC-Q101标准,并具备PPAP能力。
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Ezairo®7111 Pre Suite入门指南
Ezairo® 7111 Pre Suite 是一款针对助听器的全面解决方案,包括 Ezairo 7111 混合模块和 Ezairo 7111 固件包。该产品通过 Sound Designer 软件进行配置,使用 Ezairo 7111 混合演示板和编程盒进行通信。该文档提供了 Ezairo 7111 Pre Suite 的入门指南,说明了系统组件的交互和所需工具。主要内容包括 Ezairo 7111 混合模块、Ezairo 7111 固件包、Sound Designer 软件、混合演示板和编程盒的配置和使用方法。
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LM2596-D2PAK降压演示型BD的测试程序
该资料详细描述了LM2596-D2PAK BUCK转换器演示板的测试流程。测试步骤包括连接测试设备、设置输入电压、检查输出电压以及加载测试。所需设备包括限流直流电源、直流电压表、直流电流表和直流电子负载。测试流程包括断开负载、施加输入电压、检查输出电压、加载至3A并再次检查输出电压,最后关闭负载和电源。
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