Material Composition Declaration LOG CMOS BUFR 3ST OCTL
发布时间：
2018-03-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MC74VHCT541ADTRG
本资料为关于Material Composition Declaration LOG CMOS BUFR 3ST OCTL的物质组成声明文件，详细阐述了该元器件的材料成分、RoHS指令合规性及材料分布情况。声明中不仅列出了产品各成分的具体名称、CAS号及含量，还明确确认了产品符合RoHS指令要求，为用户在环保合规性审查及供应链管理中提供了权威依据。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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MC74VHCT541A：非反相八进制总线缓冲器/线路驱动器/线路接收器，TTL电平，3态
12/1/2017
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MC74VHCT541ADTRG材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHCT541ADTRG材料成分声明
2019-05-12
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MC74VHCT541A非反相八进制总线缓冲器/线路驱动器/线路接收器产品概述
3/31/2019
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材料成分声明MC74VHCT541ADTRG
2018-01-08
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产品概述MC74VHCT541A：非反相八进制总线缓冲器/线路驱动器/线路接收器，TTL电平，3态
1/18/2018
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MC74VHCT541A八进制总线缓冲器
Rev. 6
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MC74VHCT541A八进制总线缓冲器
Rev. 6
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材料成分声明MC74VHCT541ADT
2018-01-08
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MC74VHCT541ADT材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHCT541ADT材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明日志CMOS BUFR 3ST OCTL
2017-12-01
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材料成分声明日志CMOS BUFR 3ST OCTL
2017-12-01
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材料成分声明日志CMOS BUFR 3ST OCTL
2017-12-01
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MC74VHCT541ADTG材料成分声明
2020-01-26
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MC74VHCT541ADTG材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHCT541ADTG材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明MC74VHCT541ADTG
2018-01-08
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MC74VHCT541ADTR2材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHCT541ADTR2材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明MC74VHCT541ADTR2
2018-01-08
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MC74VHCT541ADW材料成分声明
2020-01-23
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MC74VHCT541ADW材料成分声明
2019-10-29
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MC74VHCT541ADW材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHCT541ADW材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明MC74VHCT541ADW
2018-01-08
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MC74VHCT541ADWR2材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHCT541ADWR2材料成分声明
2019-05-12
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MC74VHCT541ADWG材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHCT541ADWG材料成分声明
2019-05-12
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MC74VHCT541ADWRG材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHCT541ADWRG材料成分声明
2019-05-12
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MC74VHCT541AM材料成分声明
2019-07-18
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MC74VHCT541AM材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明MC74VHCT541ADWR2
2018-01-08
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材料成分声明MC74VHCT541ADWRG
2018-01-08
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材料成分声明MC74VHCT541ADWG
2018-01-08
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材料成分声明MC74VHCT541AM
2018-01-08
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NL37WZ17三同相施密特触发器缓冲器
Rev. 12
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KAI-11002 4008（高）x 2672（V）线间CCD图像传感器
Rev. 5
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世强AI
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应用/方案
NCP电源和电源适配器解决方案
ON Semiconductor提供高效能电源解决方案，涵盖从线到负载的节能产品。公司积极参与全球效率标准制定，提供符合DoE VI、CoC Tier 2、ENERGY STAR®和80 PLUS®等标准的电源产品。产品线包括AC-DC电源、DC-DC电源、功率因数校正器等，并提供参考设计和设计笔记，助力设计师快速提升系统效率。
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AN-4151 采用FSFR 系列飞兆电源开关(FPS™) 的半桥LLC 谐振变换器的设计
本文介绍了采用FSFR系列飞兆电源开关（FPS™）的半桥LLC谐振变换器的设计。文章首先阐述了谐振开关技术在降低开关损耗和噪声方面的优势，接着详细解释了LLC谐振转换器的工作原理、变压器与谐振网络的设计、元器件的选型，并给出了设计实例。文章还讨论了LLC谐振转换器的工作模式、可达最大增益、FSFR系列产品的特征以及设计步骤。
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产品概述CAT24C05:4-kb I2C串行EEPROM存储器
CAT24C05是一款4kb的I2C串行EEPROM存储器，内部组织为32页，每页16字节，总共512x8位。支持标准（100kHz）和快速（400kHz）I2C协议。数据写入时，通过提供起始地址，将1到16个连续字节加载到页写缓冲区，然后在一个内部写入周期内将所有数据写入非易失性存储器。数据读取时，提供起始地址，然后串行移出数据，同时自动增加内部地址计数。通过将WP引脚置高，可以禁止对内存上半部分的写操作。外部地址引脚使得在同一总线上可以寻址多达四个CAT24C05设备。特点包括支持标准和快速I2C协议、1.8V至5.5V供电电压范围、16字节页写缓冲区、内存上半部分的硬件写保护、I2C总线输入（SCL和SDA）上的施密特触发器和噪声抑制滤波器、低功耗CMOS技术、100万次编程/擦除周期、工业温度范围、100年数据保留。这些设备无铅、无卤素/无BFR，符合RoHS标准。适用于报警系统、音频播放器、汽车系统、电缆调制解调器、CDRW等应用。
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网络和电信解决方案电源管理，保护，定时和通信基础设施的控制解决方案，从半导体。
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产品概述AX8052F143：射频微控制器，超低功耗
AX8052F143是一款超低功耗的射频微控制器，适用于物联网的多种标准应用。该器件在868 MHz和1.2 kbps下的灵敏度达到-126 dBm，电流消耗仅为9.5 mA。其特点包括低相位噪声和高效率的16 dBm发射器，数据速率范围从0.1到125 kbps。频率范围27 MHz至1050 MHz，适用于自动抄表和安全等领域。AX8052F143微控制器核心执行8052指令集，系统时钟可编程，核心可提供20 MIPS的处理速度。该器件还具备双通道DMA引擎、AES加密引擎、通用定时器、SPI接口、ADC和比较器等外围设备。
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