Material Composition Declaration NB3V8312CFAR2G Low Skew 1 to 12 LVCMOS/LVTTL Fanout Buffer
发布时间：
2018-03-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NB3V8312CFAR2G
资料平台
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NB3V8312C超低抖动，低偏斜1:12 LVCMOS/LVTTL扇出缓冲器
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NB3V8312C超低抖动，低偏斜1:12 LVCMOS/LVTTL扇出缓冲器
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NB3V8312C超低抖动，低偏斜1:12 LVCMOS/LVTTL扇出缓冲器
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NB3V8312C超低抖动，低偏斜1:12 LVCMOS/LVTTL扇出缓冲器
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NB3V8312C超低抖动，低偏斜1:12 LVCMOS/LVTTL扇出缓冲器
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材料成分声明NB3V8312CFAR2G
2018-01-06
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NB3x6x1xxG16QFN Omniclock评估套件手册
Rev. 3
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材料成分声明NB3V8312CMNR4G
2018-01-06
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NB3x6x1xxG8DFNEVK NB3x6x1xxG8DFN OmniClock评估套件手册
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NB3x6x1xxG8DFNEVK NB3x6x1xxG8DFN OmniClock评估套件手册
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NB3x6x1xxG8DFNEVK NB3x6x1xxG8DFN OmniClock评估套件手册
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NB3V1102C：低倾斜扇出缓冲器，1:2，LVCMOS，3.3V/2.5V/1.8V
10/28/2017
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材料成分声明NB3V8312CMNG
2018-01-06
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NB3V1104C：低倾斜扇出缓冲器，1:4，LVCMOS，3.3V/2.5V/1.8V
10/28/2017
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材料成分声明NB3V8312CMNR4G低偏斜1至12 LVCMOS/LVTTL Fanou缓冲器
2017-12-01
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NB3V1103C：低倾斜扇出缓冲器，1:3，LVCMOS，3.3V/2.5V/1.8V
10/28/2017
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材料成分声明NB3V8312CMNG低偏斜1至12 LVCMOS/LVTTL扇出缓冲器
2017-12-01
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NB3x6x1xxG16QFNEVK NB3x6x1xxG16QFN全天候评估套件手册
Rev.3
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NB3x6x1xxG16QFNEVK NB3x6x1xxG16QFN全天候评估套件手册
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NB3V8312C:1至12 LVCMOS/LVTTL
12/10/2017
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NB3V8312C:1至12 LVCMOS/LVTTL
10/28/2017
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材料成分声明NB3V8312CFAG
2018-01-06
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材料成分声明NB3V8312CFAG
2017-12-01
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NB3x6x1xxG16QFNEVK Omniclock评估套件手册
Rev. 3
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NB3V110xC系列3.3V/2.5V/1.8V LVCMOS低倾斜扇形输出缓冲器系列
Rev.3
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NB3V110xC系列3.3V/2.5V/1.8V LVCMOS低倾斜扇形输出缓冲器系列
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NB3V110xC系列3.3V/2.5V/1.8V LVCMOS低倾斜扇形输出缓冲器系列
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NB3V110xC系列3.3V/2.5V/1.8V LVCMOS低倾斜扇形输出缓冲器系列
Rev. 3
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NB3V63143G00MNR2G 1.8V，可编程时钟发生器，带单端（LVCMOS）和差分（LVDS/HCSL）输出材料成分声明
2019-03-31
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NB3V63143G00MNR2G材料成分声明
2020-04-13
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NB3V63143G00MNR2G材料成分声明
2019-07-17
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材料成分声明NB3V63143G00MNR2G
2018-01-05
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材料成分声明1.8V，可编程时钟发生器，单输出（LVCMOS）和差分（LVDS/HCSL）输出
2017-11-28
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NB3V63143G-1.8V可编程OmniClock发生器，具有单端（LVCMOS）和差分（LVDS/HCSL）输出，带独立输出使能
Rev. 2
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NB3V63143G 1.8 V可编程全时钟发生器
Rev. 2
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NB3V63143G 1.8 V可编程全时钟发生器
Rev. 2
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NB3V63143G 1.8 V可编程全时钟发生器
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NB3V63143G 1.8 V可编程全时钟发生器
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材料成分声明NB3V1108CDTR2G
2018-01-06
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NB3V60113GV3MTR2G 1.8V单端（LVCMOS）输出全时钟发生器材料组成声明
2019-03-31
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应用/方案
使用NB3V8312C进行相位噪声和附加相位抖动分析
本文介绍了ON Semiconductor的NB3V8312C高性能低偏斜LVCMOS扇出缓冲器，用于分析相位噪声和附加相位抖动。文章详细讨论了相位噪声、附加相位抖动和噪声地板等概念，并通过实验室测试验证了NB3V8312C在不同电源电压下的相位噪声性能。实验结果表明，NB3V8312C在低噪声输入源下表现出优异的相位噪声性能，其附加相位抖动取决于输入源。
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NB3V1102C：低倾斜扇出缓冲器，1:2，LVCMOS，3.3V/2.5V/1.8V
NB3V1102C是一款低偏斜扇出缓冲器，属于NB3V110xC系列，该系列为模块化、高性能、低偏斜的通用LVCMOS时钟缓冲器家族。该器件具有1:2的扇出比，支持3.3V、2.5V和1.8V的供电电压，工作温度范围为-40°C至105°C。主要特点包括高性能、极低的输出到输出偏斜、低附加抖动、宽工作电压范围和多种封装选项。适用于时钟分配、开关和路由器、网络和数据通信、服务器、高端计算、测试和测量等领域。
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NB3V1104C：低倾斜扇出缓冲器，1:4，LVCMOS，3.3V/2.5V/1.8V
NB3V1104C是一款低偏斜扇出缓冲器，属于NB3V110xC系列，该系列是模块化、高性能、低偏斜的通用LVCMOS时钟缓冲器家族。该器件具有1:4的扇出比例，支持3.3V、2.5V和1.8V的供电电压，工作温度范围为-40°C至105°C。主要特点包括高性能、极低的输出到输出偏斜、低附加抖动等，适用于时钟分配、开关和路由器、网络和数据通信、服务器、高端计算、测试和测量等领域。
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NB3V1103C：低倾斜扇出缓冲器，1:3，LVCMOS，3.3V/2.5V/1.8V
NB3V1103C是一款低偏斜扇出缓冲器，属于NB3V110xC系列，该系列是模块化、高性能、低偏斜的通用LVCMOS时钟缓冲器家族。该器件具有1:3的扇出功能，支持3.3V、2.5V和1.8V的供电电压，工作温度范围为-40°C至105°C。主要特点包括高性能、极低的输出到输出偏斜、低附加抖动、宽工作电压范围和多种封装类型。适用于时钟分配、交换机、路由器、网络和数据通信、服务器、高端计算、测试和测量等领域。
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汽车解决方案手册
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消费电子解决方案手册：安森美半导体为家庭娱乐和信息、小型电器和白色家电提供全面的解决方案
本文介绍了ON Semiconductor在USB-C接口元器件领域的解决方案，包括为移动电源、AC-DC适配器、壁式插座、坞站、主动线缆、蓝牙低功耗无线电SoC、IEEE 802.15.4无线收发器、Sigfox解决方案、低功耗无线电解决方案、KNX收发器、PoE控制器、图像传感器、视频信号放大器、自动对焦驱动器、光学图像稳定驱动器和电容式触摸传感器等。这些解决方案旨在提供高效、可靠和灵活的接口解决方案，以满足各种消费电子产品的需求。
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便携式和可穿戴式解决方案宣传资料手册
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高密度计算解决方案
ON Semiconductor提供全面的半导体器件组合，用于高密度计算和通信基础设施。产品包括功率管理、数据完整性和传感与反馈解决方案。公司专注于中等电压MOSFET技术，以实现最低损耗的应用。此外，还提供多种封装选项以满足设计者的需求。产品线覆盖了服务器时钟生成、分配和重驱动器，以及高性能运算放大器和标准逻辑电路。还包括电子保险丝、负载开关、热插拔MOSFET和IMON输出等功能。
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便携式和可穿戴解决方案节能创新
该资料主要介绍了ON Semiconductor在便携和可穿戴设备领域的元器件解决方案，包括CMOS图像传感器、光学图像稳定（OIS）和自动对焦（AF）控制器/驱动器、摄像头模块电机驱动器、MIPI切换设备、摄像头模块电源管理单元（PMIC）、音频处理器、蓝牙低功耗（BLE）技术无线电SoC、音频放大器、低功耗比较器、音频插孔检测解决方案、HiFi和低阻音频开关、USB Type-C混合模式开关、智能手机系统设备等。这些解决方案旨在提供高性能、低功耗和紧凑的封装，以满足便携和可穿戴设备的需求。
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汽车解决方案半导体先进汽车子系统的综合解决方案
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