Material Composition Declaration
发布时间：
2018-03-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
LB1861M-MPB-H
本资料为一份关于元器件的材料成分声明文件，详细阐述了制造商所列项目中的物质构成。文件核心内容涵盖了RoHS合规性声明、详细的材料成分表、供应商信息、制造地点及产品重量等关键数据。此外，该声明还深入说明了RoHS限制物质的管控要求，明确列出了铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯和多溴联苯醚的含量限制标准，并附带了相关的豁免条款说明，旨在确保元器件符合环保法规及市场准入要求。基于该声明所涉及的合规器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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LB1861M两相半波变速风机电机驱动器产品概述
7/21/2019
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LB1861M-MPB-H材料成分声明
2020-04-13
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LB1861M-MPB-H材料成分声明
2019-07-22
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LB1861M-MPB-H材料成分声明
2019-05-13
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LB1861M：两相半波变速风扇电机驱动器
12/9/2017
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材料成分声明LB1861M-MPB-H
2018-01-02
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产品概述LB1861M：两相半波变速风扇电机驱动器
10/27/2017
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LB1860、LB1860M、LB1861、LB1861M单片数字IC两相半波调速风扇电机驱动器
Rev. 1
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LB1861M-MPB-E材料成分声明
2020-04-13
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LB1861M-MPB-E材料成分声明
2019-07-22
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LB1861M-MPB-E材料成分声明
2019-05-13
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材料成分声明
2017-11-27
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材料成分声明
2017-11-27
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材料成分声明
2017-11-27
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材料成分声明LB1861M-MPB-E
2018-01-02
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LB1861M-TLM-E材料成分声明
2020-04-13
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LB1861M-TLM-E材料成分声明
2019-07-22
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LB1861M-TLM-E材料成分声明
2019-05-13
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LB1861M-TLM-H材料成分声明
2020-04-13
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LB1861M-TLM-H材料成分声明
2020-01-22
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LB1861M-TLM-H材料成分声明
2019-09-13
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LB1861M-TLM-H材料成分声明
2019-07-22
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LB1861M-TLM-H材料成分声明
2019-05-13
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材料成分声明LB1861M-TLM-H
2018-01-02
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材料成分声明LB1861M-TLM-E
2018-01-02
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ADP3193A：8位、可编程、2至3相同步降压控制器
Rev. 1
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用于VR11奔腾IV处理器应用的NCP5389 2/3相降压控制器
Rev. 2
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NCP5392-用于CPU应用的2/3/4相控制器
Rev. 4
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NCP5203二合一DDR电源控制器
Rev. 1
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NCP5383-集成栅极驱动器和AVP的2相降压控制器
Rev. 3
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NCV898032-2 MHz汽车级异步升压控制器
Rev. 2
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NCP1546-具有同步功能的1.5 A、170 kHz降压稳压器
Rev. 5
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NCP1596A-1.5 A、1.5 MHz电流模式PWM降压转换器
Rev. 0
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CS5111 1.4 A开关稳压器，内置5.0 V、100 mA线性稳压器，具有看门狗、复位和使能功能
Rev. 9
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CAT28C65B 64K位CMOS并行EEPROM
Rev. H
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NTMT061N60S5F-MOSFET-功率，单N沟道，SUPEFET V，FRFET，Power88 600 V，61 mΩ，41 A
Rev. 0
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NTMFSC011N08M7-MOSFET-功率单N沟道
Rev. 2
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NSS40600CF8-40 V、7.0 A、低V-CE（sat）PNP晶体管
Rev. 4
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NSS40301MZ4-双极性功率晶体管40 V，3.0 A，低V-CE（sat）NPN晶体管
Rev. 3
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NTLJD3115P MOSFET–功率、双通道、P沟道、WDFN 2x2 mm-20 V、-4.1 A
Rev. 7
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HUF75852G3-MOSFET–功率，N沟道，UltraFet，150 V，75 A，16 mΩ
Rev. 3
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HUF75652G3-MOSFET–功率，N沟道，UltraFet，100 V，75 A，8 mΩ
Rev. 3
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FDMS86500L MOSFET，N沟道，PowerTrench-60 V，158 A，2.5 mΩ
Rev. 2
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FDMA008P20LZ-MOSFET-功率，单P沟道，PowerTrench，-20 V，-11 A，13 mΩ
Rev. 2
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FDD86367-F085-MOSFET–N沟道，PowerTrench®80 V，100 A，4.2 mΩ
Rev. 3
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FDB1D7N10CL7-N沟道屏蔽栅极PowerTrench®MOSFET 100 V，268 A，1.7 mΩ
Rev. 2
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FCPF125N65S3-MOSFET-功率，N沟道，SuperFET III，易驱动，650 V，24 A，125 mΩ
Rev. 6
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FCMT180N65S3-MOSFET-功率，N沟道，SuperFET III，易驱动650 V，17 A，180 mΩ\n
Rev. 5
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NC7SZ19 TinyLogic UHS 2选1解码器/解复用器
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MC74LVX4051模拟多路复用器/解复用器
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