Material Composition Declaration
发布时间：
2018-03-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MC74HCT574ADT
本资料为一份关于元器件物质声明的技术文件，由制造商Onsemi提供。该文件详细阐述了产品内部的材料构成，具体列出了包括硅、银、环氧树脂、铁、铜及金在内的多种物质及其含量，并明确声明产品符合RoHS指令要求。此外，文件还涵盖了制造商联系方式、产品详细信息以及相关的合规性声明，旨在为用户提供完整的环境合规性参考依据。Onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料所涉产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
MC74HCT574A八进制3态同相D触发器，带LSTL兼容输入高性能硅栅CMOS
Rev. 11
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MC74HCT574ADT
2018-01-09
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| 数据手册 - 英文 |
MC74HCT574A:八进制三态非反相D触发器
10/29/2017
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MC74HCT574A 8通道3态同相D触发器，具有LSTTL兼容输入：高性能硅栅CMOS
Rev. 11
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HCT574ADT材料成分声明
2019-07-18
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MC74HCT574ADT材料成分声明
2019-05-12
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MC74HCT574A：具有LSTTL兼容输入的8通道3状态同相D触发器
Rev.11
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带LSTTL兼容输入的MC74HCT574A 8路3态同相D触发器
Rev. 11
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带LSTTL兼容输入的MC74HCT574A 8路3态同相D触发器
Rev. 11
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带LSTTL兼容输入的MC74HCT574A 8路3态同相D触发器
Rev. 11
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带LSTTL兼容输入的MC74HCT574A 8路3态同相D触发器
Rev. 11
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-12-02
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-12-02
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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材料成分声明
2017-12-02
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MC74HCT574ADTR2材料成分声明
2019-07-18
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MC74HCT574ADTR2材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明日志CMOS D触发器OCTL
2017-12-02
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材料成分声明日志CMOS D触发器OCTL
2017-12-02
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MC74HCT574ADTR2G材料成分声明
2020-01-24
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| 测试报告 - 英文 |
MC74HCT574ADTR2G材料成分声明
2019-07-18
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MC74HCT574ADTR2G材料成分声明
2019-05-12
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| 数据手册 - 英文 |
MC74HCT574A八进制3态非反相D触发器产品概述
3/31/2019
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材料成分声明MC74HCT574ADTR2G
2018-01-09
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材料成分声明MC74HCT574ADTR2
2018-01-09
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MC74HCT574AN材料成分声明
2019-07-18
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MC74HCT574AN材料成分声明
2019-05-12
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MC74HCT574AF材料成分声明
2019-07-18
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MC74HCT574AF材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明MC74HCT574ANG
2018-01-09
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材料成分声明MC74HCT574AF
2018-01-09
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材料成分声明MC74HCT574AN
2018-01-09
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MC74HCT574ADW材料成分声明
2020-01-25
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MC74HCT574ADW材料成分声明
2019-07-18
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MC74HCT574ADW材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明MC74HCT574ADW
2018-01-09
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材料成分声明MC74HCT574AFEL
2018-01-09
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MC74HCT574ADWR2G材料成分声明
2019-07-18
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MC74HCT574ADWR2G材料成分声明
2019-05-12
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材料成分声明MC74HCT574ADWR2G
2018-01-09
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世强AI
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应用/方案
MC74HCT574A:八进制三态非反相D触发器
MC74HCT574A是一款八位三态非反相D触发器，与LS574引脚兼容，可用于TTL或NMOS输出与高速CMOS输入之间的电平转换。该器件在时钟上升沿将满足建立时间的数据时钟到输出，输出使能输入不影响触发器状态，但使能高时，所有输出被置于高阻态，即使输出未使能，数据也能存储。MC74HCT574A与HCT374A功能相同，但触发器输入位于封装的另一侧，便于PCB布局。其主要特点包括输出驱动能力、TTL NMOS兼容输入电平、直接接口到CMOS、NMOS和TTL、工作电压范围、低输入电流、符合JEDEC标准、芯片复杂度以及无铅封装等。
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产品概述NIMD6001A：带诊断输出的双N沟道MOSFET驱动器
NIMD6001A是一款双通道MOSFET驱动器，具备诊断输出功能。该产品具有3A的低边开关，集成公共禁用输入和漏极诊断输出。禁用引脚低电平时，将覆盖任何施加的栅极电压并关闭两个FET开关。若漏源电压超过约50V，诊断/反馈引脚将输出逻辑1。内部隔离二极管允许多个设备的禁用和诊断/反馈引脚以有线或配置相互连接，无需额外组件。主要特点包括低RDSON、低开关损耗、雪崩能量规格、电感负载额定、栅极驱动禁用输入、控制灵活性、漏源电压诊断反馈输出、关断验证、电气隔离漏极、低串扰、内部电阻限制峰值瞬态栅极电流、较低的驱动电流以及AEC-Q101认证，适用于汽车应用。
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产品概述NUP2201：瞬态电压抑制器，低电容，用于高速数据线
NUP2201MR6T1是一款低电容瞬态电压抑制器，专为高速通信线路设计，用于保护设备免受ESD、EFT和雷击的影响。其主要特点包括低电容（I/O线间最大3pF）、符合人体模型3B级（超过8kV）和机器模型C级（超过400V）的ESD额定值，以及针对IEC标准的保护。该产品适用于高速通信线路保护、数字视频接口（DVI）、USB 1.1和2.0电源和数据线路保护以及显示器和平板显示器。
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产品概述CAT5171：数字电位器（POT），256抽头，I2C兼容
CAT5171是一款256位置的线性梯形数字电位器，适用于替代机械电位器和可变电阻。它通过I2C兼容的数字接口控制滑动端设置。该设备在电源开启时滑动端位于中点，可在电源稳定后重新定位。CAT5171可在2.7V至5.5V的电压下工作，功耗低于2µA，适用于电池供电的便携式应用。该产品具有256位置、端到端电阻为50kΩ或100kΩ、I2C兼容接口、低功耗、宽工作温度范围（-40°C至+85°C）等特点，适用于电位器替代、工业设备、传感器调整、射频放大器偏置、增益控制和偏移调整等应用。
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产品概述FAN4800AU：功率因数控制器（PFC）CCM+PWM控制器，线路下垂保护
FAN4800AU是一款集成的功率因数控制器（PFC）CCM+PWM控制器，专为包含升压PFC和PWM的电源设计。它具有多种保护功能和补偿能力，外部组件需求极少。该产品支持电流模式或电压模式PWM操作，适用于桌面电脑、LCD电视和显示器等应用。FAN4800AU与ML4800、FAN4800、CM6800和CM6800A兼容，具有低功耗、创新开关电荷倍增器、平均电流模式输入电流整形、PFC过压和欠压保护等特点。
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产品概述FSCQ1265RT:140瓦离线反激变换器650V集成电源开关
FSCQ1265RT是一款650V集成功率开关，适用于140Watt离线反激式转换器。该产品采用准谐振转换器（QRC）技术，相比传统硬开关转换器，具有更低的EMI和更高的功率转换效率，适用于对噪声敏感的应用，如彩色电视和音频设备。FSCQ系列产品集成了PWM控制器和SenseFET，专为低外部元件的准谐振离线开关模式电源设计。该PWM控制器具备固定频率振荡器、欠压锁定、前沿消隐、优化栅极驱动器、内部软启动、温度补偿精确电流源和自保护电路等功能。与分立MOSFET和PWM控制器解决方案相比，FSCQ系列可降低总成本、组件数量、尺寸和重量，同时提高效率、生产力和系统可靠性。该产品提供了一种经济高效的准谐振开关反激式转换器设计平台。主要特点包括优化准谐振转换器、低于1W待机功耗的先进脉冲模式操作、脉冲电流限制、过载保护、过压保护、异常过流保护和内部热关断等。
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