Material Composition Declaration MC14536BDWG LOG CMOS OSILATR TIMER
发布时间:
2018-03-02
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
MC14536BDWG
本资料为关于MC14536BDWG型号产品的物质声明文件,详细阐述了该可编程CMOS振荡器/定时器的材料成分构成。文件核心内容涵盖了产品名称、具体型号、详细的材料成分列表以及各成分对应的CAS号和含量占比,并重点声明了该产品完全符合RoHS指令的环保合规性要求,同时附带了供应商的相关认证信息,为用户在环保合规审查及供应链管理方面提供了权威的数据支持。基于该方案,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件,平台提供FAE团队支持选型、设计验证及调试,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
MC14536B可编程定时器
Rev. 14
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MC14536B:可编程定时器
12/10/2017
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MC14536B:可编程定时器
11/17/2017
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MC14536B可编程定时器
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MC14536BDWG
2018-01-07
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材料成分声明MC14536BDWGH
2018-01-07
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MCWG36H可编程材料成分计时器
2017-12-01
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材料成分声明MC14536BF
2018-01-07
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材料成分声明MC14536BF
2017-12-01
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MC14528B双单稳态多谐振荡器
Rev. 9
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MC14528B双单稳态多谐振荡器
Rev. 9
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MC14528B双单稳态多谐振荡器
Rev. 9
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MC14528B双单稳态多谐振荡器
Rev. 9
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MC14528B双单稳态多谐振荡器
Rev. 9
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MC14528B:双单稳态多谐振荡器
11/17/2017
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MC14528B双单稳态多谐振荡器
Rev. 9
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MC14536BFELG
2018-01-07
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MC74HC4538A双精度单稳态多谐振荡器(可再触发,可复位)
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MC14536BCPG
2018-01-07
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材料成分声明MC14536BCPG
2017-12-01
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MC14569B可编程分频N双4位二进制/BCD下行计数器
Rev. 8
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MC14569B可编程分频N双4位二进制/BCD下行计数器
Rev. 8
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MC14569B可编程分频N双4位二进制/BCD下行计数器
Rev. 8
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MC14569B可编程分频N双4位二进制/BCD下行计数器
Rev. 8
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MC14569B可编程分频N双4位二进制/BCD下行计数器
Rev. 8
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材料成分声明MC14536BDWR2G LOG CMOS OSILATR定时器
2017-12-01
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MC14549B、MC14559B逐次逼近型寄存器
Rev. 8
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MC14549B、MC14559B逐次逼近型寄存器
Rev. 8
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材料成分声明MC14536BDWR2G
2018-01-07
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MC14549B-逐次逼近寄存器
Rev. 8
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材料成分声明MC14536BFELG LOG CMOS OSILATR定时器
2017-12-01
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寄存器,MC14559B逐次逼近
Rev. 8
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材料成分声明MC14549BDWR2
2018-01-09
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MC14557B 1到64位可变长度移位寄存器
Rev. 6
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MC14557B:1到64位可变长度移位寄存器
12/11/2017
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MC14557B 1到64位可变长度移位寄存器
Rev. 8
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MC14557B 1到64位可变长度移位寄存器
Rev. 6
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材料成分声明MC14526BCP
2018-01-07
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材料成分声明MC14526BCP
2017-12-01
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MC14526B可预置4位下行计数器
Rev. 8
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MC14526B可预置4位下行计数器
Rev. 8
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MC14526B可预置4位下行计数器
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MC14526B可预置4位下行计数器
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MC14526B可预置4位下行计数器
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MC14526B可预置4位下行计数器
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应用/方案
采用IGBTs的电机驱动噪声管理
本文详细介绍了在采用IGBT的电机驱动中管理噪声的技术。文章首先概述了IGBT的应用如何导致EMI/噪声问题,并强调了EMI管理在电机驱动设计中的挑战。接着,文章讨论了电路设计、组件选择和布局在噪声管理中的重要性,包括前端SMPS、逆变器、驱动器、传感器和控制器等部分。此外,文章还强调了功率半导体、控制器和驱动器IC、磁性元件以及其他无源元件的选择对EMI抑制的影响。最后,文章提供了关于布局的一般原则,包括最小化环路面积、取消场、避免90度角、连接信号电路接地和谨慎使用通孔等。
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采用IGBTs的电机驱动噪声管理
本文主要讨论了在采用IGBT的电机驱动中,如何管理和减少电磁干扰(EMI)和噪声问题。文章首先介绍了IGBT的应用及其带来的EMI挑战,随后详细阐述了电路设计、元件选择和布局对EMI管理的重要性。具体内容包括:
1. 电路设计技巧,如前端SMPS、逆变器及驱动器、传感器和控制器的设计;
2. 元件选择,包括功率半导体、控制器和驱动器IC、磁性元件以及其他无源元件;
3. 布局原则,包括一般布局原则、功率级布局和控制器布局;
4. 通过优化设计减少EMI和噪声,确保电机驱动系统的稳定性和可靠性。
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NCP电源和电源适配器解决方案
ON Semiconductor提供高效能电源解决方案,涵盖从线到负载的节能产品。公司积极参与全球效率标准制定,提供符合DoE VI、CoC Tier 2、ENERGY STAR®和80 PLUS®等标准的电源产品。产品线包括AC-DC电源、DC-DC电源、功率因数校正器等,并提供参考设计和设计笔记,助力设计师快速提升系统效率。
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AN-4151 采用FSFR 系列飞兆电源开关(FPS™) 的半桥LLC 谐振变换器的设计
本文介绍了采用FSFR系列飞兆电源开关(FPS™)的半桥LLC谐振变换器的设计。文章首先阐述了谐振开关技术在降低开关损耗和噪声方面的优势,接着详细解释了LLC谐振转换器的工作原理、变压器与谐振网络的设计、元器件的选型,并给出了设计实例。文章还讨论了LLC谐振转换器的工作模式、可达最大增益、FSFR系列产品的特征以及设计步骤。
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产品概述CAT24C05:4-kb I2C串行EEPROM存储器
CAT24C05是一款4kb的I2C串行EEPROM存储器,内部组织为32页,每页16字节,总共512x8位。支持标准(100kHz)和快速(400kHz)I2C协议。数据写入时,通过提供起始地址,将1到16个连续字节加载到页写缓冲区,然后在一个内部写入周期内将所有数据写入非易失性存储器。数据读取时,提供起始地址,然后串行移出数据,同时自动增加内部地址计数。通过将WP引脚置高,可以禁止对内存上半部分的写操作。外部地址引脚使得在同一总线上可以寻址多达四个CAT24C05设备。特点包括支持标准和快速I2C协议、1.8V至5.5V供电电压范围、16字节页写缓冲区、内存上半部分的硬件写保护、I2C总线输入(SCL和SDA)上的施密特触发器和噪声抑制滤波器、低功耗CMOS技术、100万次编程/擦除周期、工业温度范围、100年数据保留。这些设备无铅、无卤素/无BFR,符合RoHS标准。适用于报警系统、音频播放器、汽车系统、电缆调制解调器、CDRW等应用。
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