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Material Composition Declaration 150mA LDO, Ultra Low Iq, High Ohmic State, Vout=3.3V
发布时间: 2018-03-06
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
ONSEMI(ON Semiconductor)
型号:
NCP170BMX330TCG
本资料为关于150mA低压差线性稳压器的物质组成声明,详细阐述了该器件在RoHS指令合规性方面的具体表现。该资料列出了产品名称、型号、生产日期、重量及工艺温度等关键物理参数,并重点披露了材料成分与含量,明确界定了铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯及多溴联苯醚等限制物质的浓度。同时,文件包含了供应商的权威认证与声明,确认产品符合RoHS指令要求,为用户在环保合规性审查方面提供了详实依据。针对文中所述器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台依托专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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数据手册 - 英文
NCP170 LDO稳压器-超低I-Q,CMOS
Rev. 23
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数据手册 - 英文
NCP170 LDO稳压器-超低I-Q,CMOS
Rev. 23
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测试报告 - 英文
材料成分声明NCP170BMX330TCG
2018-01-01
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电路原理图 - 英文
RSL10-SOLARSENS-GEVK评估板示意图
REV. 2
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NCP170超低IQ 150 mA CMOS LDO稳压器
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NCP170超低IQ 150 mA CMOS LDO稳压器
Rev. 14
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测试报告 - 英文
NCP170BMX330TCG材料成分声明
2019-03-30
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数据手册 - 英文
NCP170 LDO稳压器,超低Iq,150毫安产品概述
3/28/2019
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测试报告 - 英文
NCP170BMX285TCG材料成分声明
2020-02-01
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测试报告 - 英文
NCP170BMX285TCG材料成分声明
2019-07-13
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测试报告 - 英文
NCP170BMX285TCG材料成分声明
2019-03-30
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数据手册 - 英文
NCP170 LDO稳压器-超低IQ,CMOS 150 mA
Rev. 23
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数据手册 - 英文
NCP170 LDO稳压器-超低I/Q,CMOS 150 mA
Rev. 23
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数据手册 - 英文
NCP170 LDO稳压器,超低IQ,CMOS,150 mA
Rev. 23
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数据手册 - 英文
NCP170 LDO稳压器-超低IQ,CMOS150 mA
Rev.23
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数据手册 - 英文
NCP170 LDO稳压器超低I-Q,CMOS 150mA
Rev. 23
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数据手册 - 英文
NCP170 LDO稳压器-超低IQ,CMOS150 mA
Rev. 23
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测试报告 - 英文
材料成分声明NCP170BMX280TCG
2018-01-01
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数据手册 - 英文
NCP170 LDO稳压器,150 mA,超低IQ,CMOS
Rev. 20
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数据手册 - 英文
NCP170 LDO稳压器,150 mA,超低IQ,CMOS
Rev. 20
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数据手册 - 英文
NCP170 LDO稳压器,150 mA,超低IQ,CMOS
Rev. 20
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测试报告 - 英文
材料成分声明超低IQ 150 mA CMOS LDO稳压器,高欧姆状态,Vout=2.80V
2017-11-27
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数据手册 - 英文
LDO稳压器-超低I_Q,CMOS 150 mA
Rev. 21
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测试报告 - 英文
材料成分声明超低IQ 150 mA CMOS LDO稳压器,高欧姆状态,Vout=3.00V
2017-11-27
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技术文档 - 英文
连续收割机和半导体公司的低功率射频技术填补了物联网环境和加速度传感器的空白
Rev. 0
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测试报告 - 英文
材料成分声明NCP170BMX285TCG
2018-01-01
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测试报告 - 英文
材料成分声明150mA LDO,超低Iq,高欧姆状态,Vout=2.85V
2017-11-27
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测试报告 - 英文
材料成分声明NCP170BMX180TCG
2018-01-01
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测试报告 - 英文
材料成分申报NCP170BXV135T2G
2018-01-01
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电路原理图 - 英文
XDFN4 LDO原理图
REV 1
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测试报告 - 英文
NCP170BXV135T2G材料成分申报表
2019-03-30
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测试报告 - 英文
NCP170BMX300TCG材料成分声明
2019-07-13
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测试报告 - 英文
NCP170BMX300TCG材料成分声明
2019-03-30
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测试报告 - 英文
NCP170AMX285TCG材料成分声明
2019-07-13
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测试报告 - 英文
NCP170AMX285TCG材料成分声明
2019-03-30
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测试报告 - 英文
NCP170BMX250TCG材料成分声明
2019-07-13
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测试报告 - 英文
NCP170BMX250TCG材料成分声明
2019-03-30
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应用/方案
RSL10太阳能电池多传感器平台用户指南
该资料介绍了RSL10 Solar Cell Multi-Sensor Platform,这是一个专为电池供电的物联网应用而设计的开发平台。平台基于低功耗蓝牙低能耗无线电RSL10,集成了多种传感器,包括环境传感器、运动传感器和温度传感器。平台通过太阳能电池供电,并具有低功耗设计,适用于智能建筑、智能家居和工业4.0等领域。资料详细描述了平台的硬件配置、供电方式、操作条件、固件实现和调试方法。
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RSL10太阳能电池多传感器平台用户指南
该资料介绍了RSL10 Solar Cell Multi-Sensor Platform(RSL10-SOLARSENS-GEVK)开发平台,适用于电池供电的物联网应用。平台基于低功耗蓝牙低能耗无线电RSL10,集成了多种传感器,包括环境传感器、运动传感器和温度传感器。平台采用太阳能电池供电,具有低功耗设计,适用于智能建筑、智能家居和工业4.0等领域。资料详细介绍了平台的硬件配置、供电方式、操作条件、固件实现和编程调试等内容。
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NCV8163支持分层的LDO EVK用户指南和测试报告
本资料介绍了ON Semiconductor的Strata Enabled LDO EVK评估套件,该套件支持多种XDFN封装LDO系列,适用于DC-DC电源、电池供电设备、模拟和射频、汽车等应用。资料详细说明了硬件设置和使用步骤,包括连接电源、负载和计算机,以及如何在Strata应用中控制LDO和监控其遥测数据。此外,还提供了测试报告,包括热性能和瞬态数据。
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NCV8163支持分层的LDO EVK用户指南和测试报告
本资料为Strata Enabled LDO EVK用户指南和测试报告,介绍了该评估套件的使用方法、硬件设置、用户界面以及测试结果。报告涵盖了LDO的电压、电流、热性能等关键参数,并提供了详细的测试数据和图表。
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消费电子解决方案手册:安森美半导体为家庭娱乐和信息、小型电器和白色家电提供全面的解决方案
本文介绍了ON Semiconductor在USB-C接口元器件领域的解决方案,包括为移动电源、AC-DC适配器、壁式插座、坞站、主动线缆、蓝牙低功耗无线电SoC、IEEE 802.15.4无线收发器、Sigfox解决方案、低功耗无线电解决方案、KNX收发器、PoE控制器、图像传感器、视频信号放大器、自动对焦驱动器、光学图像稳定驱动器和电容式触摸传感器等。这些解决方案旨在提供高效、可靠和灵活的接口解决方案,以满足各种消费电子产品的需求。
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便携式和可穿戴解决方案节能创新
该资料主要介绍了ON Semiconductor在便携和可穿戴设备领域的元器件解决方案,包括CMOS图像传感器、光学图像稳定(OIS)和自动对焦(AF)控制器/驱动器、摄像头模块电机驱动器、MIPI切换设备、摄像头模块电源管理单元(PMIC)、音频处理器、蓝牙低功耗(BLE)技术无线电SoC、音频放大器、低功耗比较器、音频插孔检测解决方案、HiFi和低阻音频开关、USB Type-C混合模式开关、智能手机系统设备等。这些解决方案旨在提供高性能、低功耗和紧凑的封装,以满足便携和可穿戴设备的需求。
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NCP171-LDO稳压器,双模超低Iq设计说明
本文介绍了ON Semiconductor的NCP171线性稳压器,一款具有双模式超低静态电流(ULIQ)功能的器件。该器件适用于1.7V至5.5V输入电压范围的电池供电设备,如物联网节点和便携式通信设备。NCP171具有低功耗模式和活动模式,可根据应用需求选择。在低功耗模式下,静态电流可低至50nA,显著延长电池寿命。文章详细讨论了NCP171的电路描述、工作原理、性能参数以及与NCP170的比较。
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NCP170:LDO稳压器,超低Iq,150 mA
NCP170系列CMOS低压差稳压器专为便携式电池供电应用设计,具有超低静态电流(典型值为500nA),确保长电池寿命。该器件具有动态瞬态提升功能,可改善无线通信应用的瞬态响应。特点包括超低静态电流、低 dropout电压、宽输入电压范围、小封装尺寸,适用于电池供电应用。
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指南选择正确的超低Iq低压差线性稳压器应用说明
本文探讨了在选择低功耗应用中的线性稳压器时,如何平衡低静态电流和良好的动态性能。文章详细介绍了不同类型的低静态电流线性稳压器(LDO),包括恒定偏置、比例偏置和自适应偏置LDO,并分析了它们在动态性能方面的差异。此外,文章还讨论了影响LDO动态性能的因素,如技术工艺、设计技术和AE引脚功能。最后,文章强调了在评估LDO时,关注静态电流规格与实际测量值之间的差异,以及这些差异对电池寿命的影响。
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物联网和智能建筑解决方案
该资料详细介绍了ON Semiconductor在物联网和智能建筑领域的解决方案,包括传感器、连接性、执行器、电源管理、安全和软件等关键组件。资料涵盖了多种无线和有线连接技术,如SIGFOX、BLE、Thread、ZigBee、KNX等,以及各种传感器和执行器,如PIR、光敏、触摸、温度、湿度、压力等。此外,还介绍了ON Semiconductor的物联网开发套件、软件工具、认证解决方案和多种图像传感器产品。
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消费电子解决方案
本文介绍了多种图像传感器及其应用,包括无人机、VR/AR头戴设备、网络摄像头、深度感应摄像头和360°及家庭安全摄像头等。文章详细介绍了不同型号传感器的特点、分辨率、帧率和封装类型。此外,还涉及了图像传感器在视频流、家庭监控、手势控制和无接触游戏控制等领域的应用。
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便携式和可穿戴解决方案
本资料主要介绍了ON Semiconductor在元器件行业的多款产品和应用解决方案,包括CMOS图像传感器、光学图像稳定驱动器、自动对焦驱动器、图像传感器、相机模块PMIC、音频处理器、音频系统解决方案、蓝牙低功耗技术无线电SoC、音频放大器、电池管理、低功耗比较器、音频插孔检测、HiFi和低电阻开关、混合模式开关、RF天线调谐解决方案、集成无源器件等。这些产品广泛应用于便携式和可穿戴设备,提供高性能、低功耗和优化的用户体验。
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NCP170AMX280GEVB评估板的测试程序
本资料为NCP170AMX280GEVB评估板的测试流程说明。内容包括检查跳线位置、连接测试设置、施加输入电压和负载电流,以及检查输出电压等步骤。测试流程涵盖了从初始设置到测试结束的整个过程,确保评估板的性能符合预期。
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