Bill of Materials for the NCP1032BGEVB Evaluation Board
发布时间：
2018-03-06
类型：
物料清单
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NCP1032BGEVB
本物料清单详细介绍了NCP1032BGEVB评估板所需的元器件信息，涵盖了包括2个二极管、2个电容、2个电阻以及1个飞回PWM稳压器在内的核心组件。资料具体列明了各元器件的型号、制造商及封装形式，旨在为该评估板的电路设计与硬件制造提供精准的参考依据，确保开发过程的准确性与高效性。针对文中涉及的元器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够满足从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队的技术支持，涵盖选型指导、设计验证及调试服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
片内集成功率开关的NCP1032低功耗PWM控制器
Rev. 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
片内集成功率开关的NCP1032低功耗PWM控制器
Rev. 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
片内集成功率开关的NCP1032低功耗PWM控制器
Rev. 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
片内集成功率开关的NCP1032低功耗PWM控制器
Rev. 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
片内集成功率开关的NCP1032低功耗PWM控制器
Rev. 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
片内集成功率开关的NCP1032低功耗PWM控制器
Rev. 3
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NCP1032BMNTXG
2017-12-31
|
下载 |
| 电路原理图 - 英文 |
NCP1032BGEV评估板示意图
05/01/15
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NCP1032BW
2017-12-31
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NCP1032：集成DC-DC转换器、PWM、3.0W产品概述
5/23/2021
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NCP1032：集成DC-DC转换器、PWM、3.0W产品概述
3/29/2019
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NCP1032BW材料成分声明
2020-4-12
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NCP1032BW材料成分声明
2019-07-15
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NCP1032BW材料成分声明
2019-03-30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NCP1032：集成DC-DC转换器，PWM，3.0 W
5/20/2021
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NCP1032BMNTXG材料成分声明
2020-4-12
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NCP1032BMNTXG材料成分声明
2020-01-31
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NCP1032BMNTXG材料成分声明
2019-07-15
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NCP1032BMNTXG材料成分声明
2019-03-30
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NCP1032低功耗PWM控制器，带片上电源开关和启动电路，用于电信系统
Rev. 3
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
低功率PWM控制器的材料组成
2017-11-26
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
低功率PWM控制器的材料组成
2017-11-26
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-11-26
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NCP1032AMNTXG材料成分声明
2020-4-12
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NCP1032AMNTXG材料成分声明
2020-01-22
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NCP1032AMNTXG材料成分声明
2019-09-13
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NCP1032AMNTXG材料成分声明
2019-07-15
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
NCP1032AMNTXG材料成分声明
2019-03-30
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明NCP1032AMNTXG
2017-12-31
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ATP304 MOSFET–功率，P沟道-60 V，6.5 mΩ，-100 A数据手册
Rev. 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
BSS123 N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管数据表
Rev. 10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NCV51705单通道6 A高速、低端SiC MOSFET驱动器
Rev. 4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
用于数字助听器的EZAIRO 7111混合音频处理器
Rev. 4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
FSCQ0765RT/FSCQ0965RT/FSCQ1265RT/fscq1565RT绿色模式Fairchild电源开关（FPS）
Rev. 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
FPF2595 IntelliMAX™28 V过压、过流保护负载开关，带可调限流控制数据表
Rev. 2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NCP51563 5 kV-RMS、4.5 A/9 A隔离式双通道栅极驱动器数据手册
Rev. P2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
用于自由运行准谐振操作的NCP1338 PWM电流模式控制器
Rev. 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NCS7101，NCV7101 1.8伏轨对轨运算放大器
Rev. 5
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
NCV5705B、NCD5705B高电流IGBT栅极驱动器
Rev. 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
mbrm120lt1g，nrvbm120lt1g，mbrm120lt3g，nrvbm120lt3g 1.0 A，20 V表面贴装肖特基功率整流器
Rev. 7
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
FDB035N10A MOSFET–N沟道，PowerTrench®
Rev. 3
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
NCP1032BGEVB评估板的测试程序
本文档详细描述了NCP1032BGEVB评估板的测试程序。测试步骤包括连接测试设置、施加输入电压、观察软启动、检查输出电压、调整负载电流并测量效率等。测试过程中使用了多种设备，如限流直流电源、直流电压表、直流电流表和直流电子负载。测试结果展示了效率曲线。
阅读原文 >>
NCP1032：集成DC-DC转换器，PWM，3.0W
NCP1032是一款集成DC-DC转换器，适用于电信和医疗隔离电源应用。它具备内部功率开关、启动电路、控制逻辑和保护电路，适用于多种开关调节器应用。该产品支持高达3W的输出功率，具有固定频率振荡器、外部频率同步能力、过温保护和内部软启动等功能。产品规格包括Pb-free、WDFN-8封装等。
阅读原文 >>
高密度计算解决方案
ON Semiconductor提供全面的半导体器件组合，用于高密度计算和通信基础设施。产品包括功率管理、数据完整性和传感与反馈解决方案。公司专注于中等电压MOSFET技术，以实现最低损耗的应用。此外，还提供多种封装选项以满足设计者的需求。产品线覆盖了服务器时钟生成、分配和重驱动器，以及高性能运算放大器和标准逻辑电路。还包括电子保险丝、负载开关、热插拔MOSFET和IMON输出等功能。
阅读原文 >>
网络和电信解决方案
本文介绍了ON Semiconductor在USB-C Docking Station领域的解决方案，包括USB-C数据集线器、充电能力等。此外，文章还详细阐述了ON Semiconductor在系统设备、端口电源、数据路径和控制方面的产品，如NCP81239、NCP81231、FUSB252UMX等。同时，文章还介绍了ON Semiconductor在时钟解决方案、数据分配子系统、PLL时钟合成器和发生器等方面的产品，如NB3N3002、NB3N5573、NB3N51032等。
阅读原文 >>
产品概述NCP1032：集成DC-DC转换器，PWM，3.0W
NCP1032是一款集成DC-DC转换器，适用于电信和医疗隔离电源应用。该产品具有高压单片开关转换器、片上功率开关和启动电路，适用于多种开关调节器应用，如次级侧偏置电源或低功耗DC-DC转换器。NCP1032x支持高达3W的应用，具有内部误差放大器、固定频率振荡器、欠压和过压线路检测器、可编程周期电流限制、内部软启动和热关断等功能。
阅读原文 >>
具有电压和电流限制的离线临界传导开关电源应用笔记
本文介绍了ON Semiconductor的两种关键控制IC，MC33364和MC33341，用于设计高效、低EMI的离线开关电源和电池充电器。MC33364作为主控IC，支持宽输入电压范围，全栅极驱动，频率钳位和初级侧控制。MC33341作为次级控制器，提供精确的电压参考和电流限制。文章还讨论了传统阻塞振荡器和经典次级侧控制方法的局限性，并提供了设计实例和变压器设计指南。
阅读原文 >>
产品概述NIMD6001A：带诊断输出的双N沟道MOSFET驱动器
NIMD6001A是一款双通道MOSFET驱动器，具备诊断输出功能。该产品具有3A的低边开关，集成公共禁用输入和漏极诊断输出。禁用引脚低电平时，将覆盖任何施加的栅极电压并关闭两个FET开关。若漏源电压超过约50V，诊断/反馈引脚将输出逻辑1。内部隔离二极管允许多个设备的禁用和诊断/反馈引脚以有线或配置相互连接，无需额外组件。主要特点包括低RDSON、低开关损耗、雪崩能量规格、电感负载额定、栅极驱动禁用输入、控制灵活性、漏源电压诊断反馈输出、关断验证、电气隔离漏极、低串扰、内部电阻限制峰值瞬态栅极电流、较低的驱动电流以及AEC-Q101认证，适用于汽车应用。
阅读原文 >>
产品概述NUP2201：瞬态电压抑制器，低电容，用于高速数据线
NUP2201MR6T1是一款低电容瞬态电压抑制器，专为高速通信线路设计，用于保护设备免受ESD、EFT和雷击的影响。其主要特点包括低电容（I/O线间最大3pF）、符合人体模型3B级（超过8kV）和机器模型C级（超过400V）的ESD额定值，以及针对IEC标准的保护。该产品适用于高速通信线路保护、数字视频接口（DVI）、USB 1.1和2.0电源和数据线路保护以及显示器和平板显示器。
阅读原文 >>
产品概述CAT5171：数字电位器（POT），256抽头，I2C兼容
CAT5171是一款256位置的线性梯形数字电位器，适用于替代机械电位器和可变电阻。它通过I2C兼容的数字接口控制滑动端设置。该设备在电源开启时滑动端位于中点，可在电源稳定后重新定位。CAT5171可在2.7V至5.5V的电压下工作，功耗低于2µA，适用于电池供电的便携式应用。该产品具有256位置、端到端电阻为50kΩ或100kΩ、I2C兼容接口、低功耗、宽工作温度范围（-40°C至+85°C）等特点，适用于电位器替代、工业设备、传感器调整、射频放大器偏置、增益控制和偏移调整等应用。
阅读原文 >>
