SCU System Control Units
发布时间：
2020-01-13
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
-
该技术资料详细阐述了AURIX™微控制器的系统控制单元（SCU）功能，涵盖了时钟生成与分配、复位操作与来源、电源管理控制以及多种控制单元等核心内容。资料深入解析了时钟升级与分布机制、复位类型与效果、单电源供电概念，并重点介绍了空闲、睡眠和待机模式下的电源管理策略，以及看门狗定时器和紧急停止输出控制等关键特性，为开发者提供了系统底层配置与控制的全面参考。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。平台专职FAE团队提供选型、设计验证及调试技术支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
IPZA60R016CM8 MOSFET
Rev. 2.1
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IPP60R016CM8 MOSFET
Rev. 2.2
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IPT60R016CM8 MOSFET
Rev. 2.1
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IAUCN04S7L019汽车级MOSFET
Rev. 1.0
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IAUCN04S7L004汽车级MOSFET
Rev. 1.0
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IMBG65R040M2H MOSFET
Rev. 2.2
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IMZA65R020M2H MOSFET
Rev. 2.2
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IPF031N13NM6 MOSFET
Rev. 2.0
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IMBG65R015M2H MOSFET
Rev. 2.2
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| 商品功能框图 - 英文 |
SMD-1概述
REV.A
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用于Xilinx VersalPower交付的DB359演示板性能数据和基础设施
V1.0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IRHNM597110电气特性产品变更通知单
August 19, 2019
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| 技术文档 - 英文 |
原型制作从未如此简单–XENSIV™ 传感器评估工具
2019/10/19
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PSI5外围传感器接口
V1.1
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IDH16G65C6第6代CoolSiC™ 650V SiC肖特基二极管数据表
Rev. 2.0
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BTF3125EJ智能低压电源开关产品介绍
Rev. 1.0
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2EDL23x06PJ系列600 V半桥门驱动器，带OCP和集成自举二极管数据表
Version 2.6
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SPK-4101-3C15A车载无线充电发射机
2019/04/22
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MyInfineon协作平台（myICP）
March 2018
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BFP840FESD SiGe:C NPN射频双极晶体管数据表
v2.0
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IRF150P221 MOSFET红外MOSFET™ 数据表
Rev.2.0
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英飞凌球栅阵列封装板组装建议
Revision 3.0
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技术信息IGBT模块FZ2400R17KE3\U B9
revision: 2.1
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营销信息DD600S16K4
Feb.97
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| 数据手册 - 中文 |
技术信息 IGBT-模块 FF200R33KF2C
revision: 2.0
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| 数据手册 - 中文 |
技术信息 IGBT-模块 FF400R33KF2C
revision: 2.1
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技术信息 IGBT-模块 FD400R33KF2C-K
revision: 2.2
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| 数据手册 - 中文 |
技术信息 IGBT-模块 FD400R33KF2C
revision: 2.3
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| 数据手册 - 英文 |
IKW40N120T2 TrenchStop®第二代系列低损耗DuoPack：第二代TrenchStop®中的IGBT，带软、快速恢复反并联发射极控制二极管
Rev. 2.4
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表IKW40T120
29. August 2013
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| 数据手册 - 英文 |
IKW25T120 TrenchStop®系列低损耗DuoPack:TrenchStop®中的IGBT和Fieldstop技术，具有软、快速恢复反平行发射极控制的HE二极管
Rev. 2.3
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息IGBT模块FS100R17KE3
revision: 2.0
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表IKQ120N60T
27. October 2015
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息IGBT模块FZ1600R17KE3
revision: 2.0
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表TLE4984C-HT E6747
28. August 2013
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| 数据手册 - 英文 |
TLE4997可编程线性霍尔传感器
2016/12/09
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| 数据手册 - 英文 |
用于载波聚合的BGSX212MA18 DP12T分集交叉开关
Revision 3.0
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| 数据手册 - 英文 |
BGS12PN10 SPDT高线性、大功率射频开关
Revision 1.2
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
650 V自由转动二极管（FWD）选择树
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Infineon Designer 入门简介
Infineon Designer是一款在线数字原型设计工具，提供多浏览器支持，无需安装，具有无限免费仿真授权服务器配置。该工具支持精准的时域信号仿真和系统能效仿真，快速参数设置，数字/模拟交互仿真，并已发布超过150个应用电路。新特性包括应用电路参数配置器、增强型MCU代码调试功能、功率损耗和效率计算、信号处理等。此外，Infineon Designer还提供了多种新增电路，如电机控制、智能低边/高边开关、静电保护ESD、功率转换等。
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低压驱动器（<1000V RMS）解决方案树
本资料详细介绍了低电压驱动器（<1000V RMS）的分类和具体产品。内容涵盖异步和直流驱动器，包括异步和同步电机驱动，以及各种类型的转换器，如LCC、LCI、SCI、DC、CSI和VSI。资料中列举了多种模块和器件，如晶闸管模块、二极管模块、IGBT模块、启动模块和晶闸管圆盘，并提供了产品型号和规格。此外，还简要介绍了不同类型的转换器及其工作原理。
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RC-H5：反导IGBT感应烹饪用具用高性能IGBT产品简介
RC-H5系列反向导通IGBT器件，专为感应烹饪应用开发，具有20%的开关损耗降低，提高系统效率。该系列包括30A和40A新电流等级，以及1200V和1350V的阻断电压。产品特点包括低导通损耗、降低的开启电流尖峰、175°C的最高结温、软电流关断波形以降低EMI，以及更高的阻断电压。与竞争对手相比，RC-H5系列在开关频率、功耗、热管理和EMI滤波要求方面具有优势。
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双通道隔离二十面体™ 家族快速，稳健，双通道，功能和加强隔离MOSFET栅驱动集成电路与准确和稳定的时序产品简介
该资料介绍了双通道隔离EiceDRIVER™系列MOSFET栅极驱动IC，适用于高性能电源转换应用。产品特点包括快速开关、精确时序、低功耗、高集成度、以及针对不同应用场景的灵活配置。该系列IC旨在提高系统效率，降低损耗，并增强产品的可靠性。
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驱动汽车电子的未来汽车应用指南
本文档由Infineon Technologies提供，主要介绍了其在汽车电子领域的解决方案和应用。内容涵盖安全应用、车身应用、动力系统应用、电动汽车应用、增强通信、外围应用亮点、嵌入式软件以及零缺陷计划等方面。Infineon通过其传感器、微控制器和功率半导体等元器件，助力汽车制造商实现安全、经济和高效的目标，同时推动可持续移动性发展。文档还详细介绍了Infineon在安全应用、车身控制模块、电动助力转向系统、电子驻车制动器、制动系统控制单元、雷达、短程雷达、多功能摄像头和轮胎压力监测系统等方面的产品和技术。
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Infineon（英飞凌）Coolsic™碳化硅肖特基二极管第5代产品介绍
本文介绍了Infineon的CoolSiC™技术，这是一种基于碳化硅（SiC）的功率半导体解决方案。SiC技术因其高效率、小型化和可靠性等优点，正在改变功率半导体市场。文章详细阐述了SiC技术的优势，包括降低系统成本、提高系统效率、减少冷却需求等，并介绍了CoolSiC™ MOSFET、CoolSiC™肖特基二极管和CoolSiC™ J-FET等产品的特性。此外，文章还回顾了Infineon在SiC技术领域的研发历程，并提供了购买渠道和客户服务信息。
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基于TLE5009巨磁电阻的角度传感器
本资料为Infineon Technologies AG发布的TLE5009 GMR-Based Angular Sensor应用笔记，主要内容包括TLE5009传感器的GMR参数（幅度、偏移和相位）的校准方法、角度计算过程以及温度依赖行为的补偿。资料详细介绍了使用最小-最大法和精确法提取参数的方法，并提供了角度计算的具体公式和步骤。此外，还讨论了温度系数的计算和补偿方法，以确保在不同温度下获得准确的角值。
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带磁性传感器接口的TLB932C-3D磁传感器
本资料介绍了TLV493D-A1B6 3D磁力传感器，包括其产品描述、功能描述、测量方法和I2C接口等。该传感器可检测三维空间中的磁通密度，具有低功耗、高分辨率、可变更新频率和多种工作模式等特点，适用于多种需要精确角度测量的应用，如游戏手柄、控制元件、电表等。资料详细描述了传感器的功能模块、测量原理、I2C接口配置和使用方法。
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