LP2951CD-3.0R2G Material Composition Declaration
发布时间：
2020-02-29
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
LP2951CD-3.0R2G
本资料为Onsemi公司关于LP2951CD-3.0R2G产品的物质成分声明文件，详细阐述了该产品的材料构成、具体物质含量及供应商信息。文件重点声明该产品符合RoHS指令要求，列明了各项受限物质的详细含量数据，为用户进行环保合规性审查及供应链管理提供了权威依据。针对文中所述器件，Onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
LP2951：LDO稳压器，100 mA，30V，微功耗，带关断功能产品概述
2/20/2020
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| 测试报告 - 英文 |
LP2951CD-3.0R2G材料成分声明
2019-07-13
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| 测试报告 - 英文 |
LP2951CD-3.0R2G材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
LP2951线性电压调节器产品概述
3/28/2019
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| 数据手册 - 英文 |
LP2951：线性电压调节器，LDO，30V，100mA微功率电压调节器与关机
12/28/2017
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| 测试报告 - 英文 |
100MA 3V LDO VREG材料成分声明
2017-12-03
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100MA 3V LDO VREG材料成分声明
2017-12-03
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| 数据手册 - 英文 |
LP2950 100 mA、低功耗、低压差稳压器
Rev. 31
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材料成分声明LP2951CD-3.0R2G
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
LP2950、LP2951、NCV2951稳压器-低功耗，压差100 mA
Rev. 34
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LP2950、LP2951、NCV2951稳压器-低功耗，压差100 mA
Rev. 33
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LP2951CD-3.0G材料成分声明
2019-07-13
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| 测试报告 - 英文 |
LP2951CD-3.0G材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
LP2950，LP2951，NCV2951稳压器-低功耗低，压差100mA
Rev. 32
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LP2950、LP2951、NCV2951稳压器-低功耗、低压差
Rev. 34
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LP2951CD-3.0G
2018-01-16
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明ANA 0.1A ADJ OUT LDO REG
2017-12-03
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LP2951CDG材料成分声明
2019-07-13
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LP2951CDG材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LP2951CDG
2018-01-16
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材料成分声明
2017-12-03
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-12-03
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LP2951CD-5R2材料成分声明
2019-07-13
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LP2951CD-5R2材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明LP2951CD-5R2
2018-01-16
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LP2951CD-005材料成分声明
2019-07-13
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LP2951CD-005材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明LP2951CD-005
2018-01-16
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LP2951CD-3.3G材料成分声明
2019-07-13
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| 测试报告 - 英文 |
LP2951CD-3.3G材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明LP2951CD-3.3G
2018-01-16
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材料成分声明ANA 100MA 3.3V LDO VREG
2017-12-03
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材料成分声明ANA 100MA 3.3V LDO VREG
2017-12-03
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LP2951CD-3.3R2G材料成分声明
2019-07-13
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LP2951CD-3.3R2G材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明LP2951CD-3.3R2G
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
ArrayC系列硅光电倍增管（SiPM）4面可缩放阵列
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
NOIV1SN2000A，NOIV2SN2000A VITA 2000 2.3 MP 92 FPS全局快门CMOS图像传感器
Rev. 7
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| 数据手册 - 英文 |
FDV304P、FDV304P-F169 P沟道数字FET
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
用于氮化镓功率开关的NCP51820高速半桥驱动器
Rev. 6
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MC14538B双精度可再触发/可复位单稳态多谐振荡器
Rev. 12
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NVC160N120SC1碳化硅（SiC）MOSFET–160 mOhm，1200 V，M1，裸片
Rev. 1
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FAN4800AS/CS/01S/2S PFC/PWM控制器组合
Rev. 3
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
产品概述LP2951：线性稳压器，LDO，30V，100mA微功率稳压器带关机
LP2951是一款低功耗线性稳压器，适用于电池供电设备，具有低 dropout 特性和高输出电流能力。该器件具有75µA的超低静态电流，支持高达100mA的输出电流，并具备内部电流和热限保护。LP2951提供错误输出、可编程输出电压和逻辑电平关断功能。产品适用于汽车、航空电子和工业设备等领域。
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白色家电解决方案
该资料由ON Semiconductor提供，主要介绍了其在白色家电领域的完整解决方案。内容涵盖电源供应、逆变器驱动、系统控制、用户界面和智能家电等功能。资料详细介绍了多种元器件，包括传感器、驱动器、微控制器、电源管理组件等，并提供了相关产品的技术规格和应用图。此外，还涉及了无刷直流电机控制、步进电机驱动器、中高压功率MOSFET、高压功率MOSFET、智能功率模块（IPM）和离散IGBT等关键技术和产品。
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【产品】内置ESD防护器件的共模滤波器CMF EMI814x，高速差分线首选
安森美(littelfuses收购）推出的共模滤波器（CMF）EMI814x系列，内置ESD保护器件，属业内首创。EMI814x系列可以同时为差分信号提供共模滤波和ESD保护。EMI814x系列符合IEC61000-4-2标准，可防止高达±15 kV接触放电，非常适合保护系统高速差分端口，如USB 3.0、MIPI D-PHY以及小尺寸封装中需要ESD保护的其他应用。
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产品概述LC725KVS:RDS（RBDS）解调IC
LC72725KVS是一款RDS（RBDS）解调集成电路，符合欧洲广播联盟RDS标准和美国NRSC RBDS标准。该器件集成了带通滤波器、解调器和数据缓冲器。特点包括：带通滤波器为开关电容式，无需调整；RDS解调支持57 kHz载波和RDS数据时钟再生，双相解码和差分解码；数据缓冲器容量为128位（约100毫秒），可在片上数据缓冲器RAM中恢复；支持主从输出模式选择；低电压工作（3.0-5.5V）；易于替换竞争对手的RDS解调器（主模式）；具有待机控制功能，以降低功耗和减少EMI/EMC影响。适用于汽车/家用收音机、导航系统、自行车导航、便携式导航设备等。
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产品概述NCP1126：离线开关电源用高压开关稳压器
NCP1126是一款高压开关稳压器，适用于离线SMPS。该产品集成了固定频率峰值电流模式控制器和低导通电阻高压650V MOSFET。NCP1126提供高集成度，包括软启动、频率抖动、短路保护、热关断保护、频率折返模式和跳周期以降低轻载条件下的功耗。在正常负载下，该器件在65kHz或100kHz的可用频率之一下切换。当输出功率需求降低时，IC自动进入频率折返模式，并在轻载条件下提供优异的效率。当功率需求进一步降低时，它进入跳转模式以降低待机功耗至无负载条件。保护功能包括：定时器检测过载或短路事件，具有自动恢复或锁定保护，以及内置VCC过压保护。该开关器还提供抖动的65kHz或100kHz开关频率，以改善EMI。
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产品概述KA7909:3端子1A负电压调节器
KA7909是一款三端负压稳压器，适用于多种应用场景。该产品具有超过1A的输出电流，提供-5V至-24V的固定输出电压，并具备内部过热保护、短路保护和安全工作区补偿等功能。产品符合无铅标准，目前处于活跃状态。
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VE-TRAC™双重技术指南应用说明
本资料为ON Semiconductor的VE-Trac双面冷却功率模块技术指南，主要针对电动汽车牵引逆变器应用。内容涵盖模块的技术细节、特性、设计指南和推荐，包括芯片技术、封装设计、热性能、电气性能、集成传感器和设计考虑因素。资料详细介绍了模块的芯片技术、封装设计、热性能、电气性能、集成传感器和设计考虑因素，旨在确保产品在预期应用中的最佳使用。
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