IRAM256-2067A Series 20A,600V Integrated Power Module for Appliance Motor Drive Applications
发布时间：
2018-03-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
IRAM256-2067A; IRAM256-2067A2
本数据手册详细介绍了IRAM256-2067A系列20A、600V集成功率混合IC，该产品专为先进的家电电机驱动应用设计，涵盖节能空调及洗衣机等领域。作为一款高度紧凑且高性能的AC电机驱动器，它结合了国际整流器低VCE（on）沟槽IGBT技术与行业标准的3相高压高速驱动器，并支持3.3V兼容逻辑。该器件具备卓越的集成度与安全性，内置门极驱动器、自举二极管及高精度温度监控功能，同时提供过流保护、短路额定IGBT及所有通道的欠压锁定保护，确保了高水平的操作安全。其特性还包括匹配的传播延迟、防止交叉导通逻辑以及高达2000VRMS min的隔离电压，电机功率范围覆盖1.5kW，工作壳体温度最高可达125°C，能够适应85~253 Vac的宽电压输入环境。针对该产品，国际整流器在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
IRAM256-1567A系列15A、600V集成电源模块，用于电器电机驱动应用
September 4,2015
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| 数据手册 - 英文 |
IRAM256-1067A系列10A、600V集成电源模块，用于电器电机驱动应用
September 4,2015
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
PG-TSNP-6-9 封装结构图
2019/10/24
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息IGBT模块DD1200S17H4\U B2
V3.1
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| 数据手册 - 英文 |
IHW30N100T软开关系列低损耗双块：带反并联二极管的沟道和场阻技术中的IGBT
Rev. 2.7
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| 测试报告 - 英文 |
BGB707L7ESD BGB707L7ESD低Q电感低噪声放大器电路，适用于3.3GHz-3.8GHz WiMAX应用
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息D1461S35T D1461S45T
16 June 1997
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| 数据手册 - 英文 |
教授™+12V BTS5045-2EKA智能高压侧电源开关双通道，45mΩ
Rev. 2.1,
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| 数据手册 - 英文 |
热增强高功率射频低密度半导体场效应晶体管700瓦，50伏，1200–1400兆赫
Rev. 03.3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
封装外形AG-PRIME2-1-1电路图FF900R12IP4
Revision 01.00
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| 数据手册 - 英文 |
TLE6251D带总线唤醒的高速CAN收发器
Rev. 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
IRLB8743PbF HEXFET®功率MOSFET
04/22/09
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
第8-5页
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
第8页TD7
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
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技术信息F12-25R12KT4G
revision:2.0
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息FS25R12W1T4
revision: 2.1
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技术信息FS25R12W1T4
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技术信息FF300R12KE4
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技术信息FF300R12ME4\U B11
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技术信息FF300R12ME4\U B11
revision:2.0
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技术信息FF450R12ME4\U B11
revision:2.0
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技术信息FF450R12ME4\U B11
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技术信息FF450R12ME4
revision:3.1
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技术信息FF600R12KE4
revision:V2.2
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技术信息FF600R12ME4C\U B11
revision: 3.0
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技术信息FF600R12ME4A\U B11
revision:V3.0
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技术信息FF600R12ME4A\U B11
revision:V3.0
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技术信息FF600R12IE4V
revision:2.0
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技术信息FF600R12IE4
revision:2.4
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技术信息FS50R12KT4\U B15
revision: 3.0
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技术信息FS50R12KT4\U B15
revision: 3.0
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技术信息FS75R12W2T4
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技术信息FS100R12KT4\U B11
revision: 2.0
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技术信息FS100R12KT4
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技术信息FS100R12KT4G
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FST41002P技术信息
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技术信息FS150R12KT4\U B11
revision: 2.1
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技术信息FS150R12PT4
revision: 2.2
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技术信息FS150R12PT4
revision: 2.2
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
应用说明AN-1215 Gen2 SIP1A IRAM
本文详细介绍了Gen2 SIP1A IRAM产品，包括其设计概念、技术特点、产品规格、封装和引脚描述、内部电路和功能。重点介绍了Trench IGBT技术、热设计、封装设计、内部电路、保护功能、启动电路、接口电路和功率损耗及结温计算等内容，旨在提高模块效率和长期可靠性。
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【产品】基于50V LDMOS工艺大功率晶体管PTVA047002EV，可靠性为同类器件的2倍
Inifineon（英飞凌）公司推出的基于LDMOS工艺的功率晶体管PTVA047002EV，频段为470MHz-850MHz，输出功率为350W，非常适用于广电市场应用领域。它采用耐高温性能的法兰型封装，在大功率下，不会轻易地被损坏，保证了其优异的稳定性和可靠性。值得一提的是，这款产品的可靠性是同类器件的两倍。
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【产品】700W射频功率晶体管PTVA127002EV，适用于雷达系统1200-1400MHz功率放大器及通用功率放大器
PTVA127002EV采用英飞凌先进的LDMOS工艺制造，在功率增益高达16dB的情况下，能量转换效率仍能达到56%，极大地降低了功率消耗和冷却成本，广泛应用于1200-1400MHz功率放大器。
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